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垂直腔体发射激光器具有改善的宽温度依赖性
垂直腔体发射激光器（VCSEL）是高性能计算系统，数据中心和其他短距离光学网络中高速和功率短得分光学互连（OIS）的首选光源。这样的OI通常在0至70°C的温度范围内运行。但是，基于VCSEL的OIS的某些新兴应用，例如在某些军事系统中的汽车光学网络和光网络中，需要在温度范围更大的温度范围内运行，例如从 - 40到125°C。VCSEL是OI温度最敏感的组件，并且成本和功率效率所需的未冷却/未加热的操作需要降低温度依赖性的VCSEL，在温度范围更大的情况下运行。VCSER性能的温度依赖性源于光谱和共振波长偏移之间的光学增益和不匹配的变化。减轻这些效果的方法包括使用具有适当增益式失调的VCSEL和增益工程，以扩大光学增益频谱。本文研究了在大温度范围内优化运行的850 nm VCSEL。关键研究包括阈值 - 旧电流与性能参数（纸张A）的相关性和chire QW VCSels的设计，以稳定跨温度（Pa-per）。洞察设计为极端环境设计强大的VCSEL。
使用 NIST 60 毫米圆柱形腔体测量相对介电常数和损耗角正切
NIST 最初成立于 1901 年，当时名为美国国家标准局，致力于增强美国工业的竞争力；推动科学和工程发展；改善公共卫生、安全和环境。该机构的基本职能之一是制定、维护和保管国家测量标准，并提供将科学、工程、制造、商业、工业和教育中使用的标准与联邦政府采用或认可的标准进行比较的手段和方法。
ASIC 封装设计规则
当使用环氧树脂时，封装腔体与芯片基板电连接。在您使用的 IO 单元中，有一个基板连接可确保芯片基板接地。当使用导电环氧树脂时，这种材料可确保封装腔体也接地。当使用非导电环氧树脂时，封装腔体不与芯片基板电连接。在这种情况下，要将封装腔体接地，腔体连接是必需的。在这种情况下，腔体连接是使用一条从封装上的引脚到封装腔体的引线和另一条从芯片上的 VSS 引脚到封装腔体的引线来完成的。导电/非导电？
使用 NIST 60 毫米圆柱形腔体进行相对介电常数和损耗角正切测量
竞争力；推动科学和工程发展；改善公共卫生、安全和环境。该机构的基本职能之一是制定、维护和保管国家计量标准，并提供将科学、工程、制造、商业、工业和教育中使用的标准与联邦政府采用或认可的标准进行比较的手段和方法。
带有非球形镜的空腔，用于增强量子发射器 - 腔体相互作用
对于现代量子光学的各种应用，无论是在实验学术研究和商业量子技术中，都需要与光学谐振器的量子发射器的强耦合，并且同时在此谐振器中同时长期光子寿命很重要。满足这些实际应用这些要求的一些最有前途的系统是纤维上的微腔[1-4]，离子束蚀刻的介电谐振器[5]或微型组装结构[6]。可以通过紧密定位单个腔光子光子（即使腔非常小）来实现量子发射极与光学循环的强耦合。但是，对于大多数逼真的量子信息处理方案，需要从侧面对发射极的光学访问，例如，用于光学冷却[7]，状态准备和最终状态读数[8]。，将原子或离子传递到腔内的通道，并且将诱捕结构的整合到腔内可能会对骑士长度施加进一步的约束。在离子陷阱量子计算的情况下[9]，形成腔的介电镜还可以散布由于其电敏感性而捕获离子所需的射频频率，并且由于其面部电荷而导致的，如果它们离陷阱电极太近[10，11]。总体而言，因此需要在量子信息应用中使用的光腔，以将强耦合速率与低损失相结合，同时还可以使镜子足够分开。让我们首先审查主参数，以使光谐振器与单个细胞进行强耦合。我们在这里工作的目的是提出一种新方法来实现这些要求，从球形镜的范式转移到与标准高斯模式相比，具有更好的配置属性的工程师光腔模式。在两级发射极之间的相干耦合，例如量子点，离子或冷原子，位于具有光学场模式E（r）的腔坐标为r，其特征是强耦合
从硅 - 隔离器微林中的G中心合奏中的腔体增强零值发射
hal是一个多学科的开放访问档案，用于存款和传播科学研究文件，无论它们是否已发表。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
第三届国际辐射物理和化学大会...
可以直接从腔体输出非常快的高电流和高电压脉冲，而无需任何复杂的脉冲形成和脉冲压缩网络。由于输出脉冲上升时间和宽度可以轻松定制（脉冲成形）以满足特定应用需求，因此负载可以是真空电子二极管、z 型线阵列、气体喷射、衬套、等熵压缩负载 (ICE)（用于研究非常高磁场下的材料行为）或聚变能 (IFE) 目标。根据桑迪亚实验室的合同，俄罗斯托木斯克的高电流电子研究所 (HCEI) 设计和建造了十个 1-MA LTD 腔体。这些腔体最初设计为在真空或磁绝缘传输线 (MITL) 电压加法器配置中运行。在这种模式下成功运行后，我们正在逐步对其进行修改，使其能够在去离子水绝缘电压加法器中组装运行。特别注意通过过滤进行清洁，去除溶解和自由水，并除去腔体中的油。除了去离子和去除气泡外，还对电压加法器的水进行了类似的处理。为此，设计和建造了两个连续运行的水和油再循环系统。最重要的 LTD 驱动器应用之一 (IFE) 将需要不间断地进行数万次射击。目前，我们正在运行两个经过修改的腔体，这些腔体具有更坚固的组件和专门设计的
用于电路量子电动力学的多模态和超高 Q 值超导铌腔
2 3D 腔体.......................................................................................................................................................................................................................................................20 2.1 概述和动机..................................................................................................................................................................................................................................................................20 2.2 3D 腔体中的损耗机制..................................................................................................................................................................................................................................21 2.2.1 损耗概述..................................................................................................................................................................................21 . ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... 48 2.3.3 辐射损耗和衰减损耗 . ...
稳健混合光子晶体腔设计和制造的补充材料
通过改变横截面积、周期性和填充因子，我们可以对可能的晶胞进行网格搜索。在图 S.1B 中，我们绘制了正文中腔 C 1 的镜像晶胞的完整准 TE 能带图。为了使发射器耦合到腔体，有必要移动能带，使得导模存在于目标频率。这可以通过修改晶胞的周期性来实现，同时保持所有其他参数不变。如图 S.1C 所示，降低孔的周期性会将准 TE 模式移至更高的频率。腔体孔的数量和从镜像区域到腔体的啁啾的函数形式决定了引入的缺陷模式的绝热性。我们使用二次啁啾函数，其中腔体区域中给定晶胞的周期性由下式给出
电火花加工 (EDM) 用石墨等级
细粒石墨等级将是腐蚀非常精细和光滑的表面（最高可达 0.4 Ra（µ m））的首选。当涉及复杂的腔体时，它具有最大的优势。这种腔体很难抛光，耗时长，因此手工抛光成本高昂。