膜测量

亚微米量表的晶格变形：电子穿梭设备中弹性应变的X射线纳米膜测量

金属电极诱导的晶格应变会损害用电子或孔自旋运行的高级量子设备的功能。在这里，我们通过nanobeam扫描X射线di效果显微镜很好地研究了由埋入10 nm厚的SI / SI 0.66 GE 0.34量子孔的晶状体上的CMOS制造钛电极引起的变形。我们能够测量2-8×10-4范围内的锡电极诱导的应变张量成分的局部调制，并具有约60 nm的横向分辨率。我们评估这些应变流动在局部调制中反映在SI传导带的最小值大于2 MeV的电势中，该电池的最小值大于2 MeV，该调制带接近静电量子点的轨道能。我们观察到，在量子孔层的给定深度处应变调制的符号取决于电极的横向尺寸。由于我们的工作探讨了设备几何形状对应变诱导的能量景观的影响，因此它可以进一步优化缩放CMOS加工的量子设备的设计。