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HBM2 DRAM 芯片中 RowHammer 的实验分析
RowHammer (RH) 是现代 DRAM 芯片的一个重大且日益恶化的安全性、可靠性问题，可利用该问题来破坏内存隔离。因此，了解真实 DRAM 芯片的 RH 特性非常重要。遗憾的是，之前没有研究广泛研究现代 3D 堆叠高带宽内存 (HBM) 芯片的 RH 漏洞，而这种芯片通常用于现代 GPU。在这项工作中，我们通过实验表征了真实 HBM2 DRAM 芯片的 RH 漏洞。我们表明：1) HBM2 内存的不同 3D 堆叠通道表现出明显不同级别的 RH 漏洞（误码率相差高达 79%），2) DRAM 组末尾的 DRAM 行（具有最高地址的行）表现出的 RH 位翻转明显少于其他行，3) 现代 HBM2 DRAM 芯片实现了未公开的 RH 防御措施，这些措施由定期刷新操作触发。我们描述了我们的观察结果对未来 RH 攻击和防御的影响，并讨论了理解 3D 堆叠存储器中的 RH 的未来工作。
玻璃芯基板：CHIPS和MMI的机遇
SK 集团将在佐治亚州科文顿建立首家基于玻璃的半导体部件合资企业（Absolics）与 GT-PRC 的互动 州长 Brian P. Kemp 宣布（佐治亚州亚特兰大 – 2021 年 10 月 28 日） 公司将在这个前所未有的合资企业中投资超过 4.73 亿美元，并将在牛顿县创造 400 多个新工作岗位 2022 年 11 月动工 2024 年产量最低；2025 年产量最高
集成光子芯片中的编码纠错
1 香港理工大学量子技术研究所 (IQT)，香港 2 南洋理工大学量子科学与工程中心 (QSec)，新加坡 639798 3 哥本哈根大学尼尔斯·玻尔研究所混合量子网络中心 (Hy-Q)，丹麦哥本哈根 DK-1165 4 布里斯托大学 HH Wills 物理实验室和电气电子工程系量子工程技术实验室，布里斯托 BS8 1QU，英国 5 同济大学物理科学与工程学院精密光学工程研究所，上海 200092，中国 6 新加坡科技研究局微电子研究所，新加坡 138634 7 先进微晶圆代工厂，新加坡 117685 8 新加坡国立大学量子技术中心，新加坡 117543 9 南洋理工大学国立教育学院，新加坡 637616
铁氧体电感器与压粉芯电感器
电感器和变压器磁芯由软磁材料制成。“软”磁材料很容易磁化和消磁，并且只有在通过改变缠绕在其周围的绕组（或“匝”）中的电流来激发这些磁芯并产生电磁场时，才会出现磁场。术语“软”表示磁场不是永久的，当电流停止时磁场就会消失。这与我们通常所说的磁铁不同。“永久”磁铁通常用于拾取或将物体附着在含铁（铁质）金属上（例如冰箱磁铁），并且无需绕组或外部刺激即可产生永久磁场。
氧化镍超导体在高温下超高...
在第二年，铜氧化物 *2中高温超导性的发现是极快的杰作，并且是一部杰作，它将留在科学史上。自2000年代初以来，Kuroki教授及其小组一直在研究实现TC的策略，该策略超过了氧化铜。尽管可以在理论模型的范围内实现高T C，但使用真实材料实现这一点并不容易。经过各种考虑，黑子教授和其他人在2017年的论文A中发现，即使不是理想的理论模型本身，La 3 Ni 2 O 7也可以达到类似的情况。六年后的2023年5月，来自中国中央大学的一个小组在其预印式服务器Arxiv上宣布，La 3 Ni 2 O 7在压力下以T C = 80K的最大t c = 80K表现出高温超导性，并于9月在自然界发表（H. Sun等人，自然，自然621，493（20233））。自从本文出现在5月的Arxiv上以来，Kuroki教授，Sakakibara副教授和Ochi副教授已经开始了联合研究，并于6月发表了有关Arxiv的论文。从那时起，关于ARXIV的大量相关实验和理论论文已经发表，并且在全球范围内一直在蓬勃发展。