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World File Search System芯片选择
AN67 - 线性技术杂志电路集，第 III 卷
如时序图 (图 2) 所示，MUX 通道选择和 A/D 转换采用流水线方式，以最大程度地提高转换器的吞吐量。转换过程从选择所需的多路复用器通道对开始。将逻辑高电平应用于 LTC1390 的 CS 输入，通道对数据在 5MHz 时钟信号的上升沿上被时钟输入到每个数据 1 输入中。然后将芯片选择 MUX 拉低，锁存通道对选择数据。然后将选定 MUX 输入上的信号应用于 LTC1410 的差分输入。在 LTC1410 的转换启动输入 CONVST 被拉低之前 700ns，芯片选择 MUX 被拉低。这对应于 LTC1390 的 MUX 开关完全打开所需的最大时间。这可确保在 LTC1410 的 S/H 捕获其样本之前，输入信号已完全稳定。
EN25S20A (2SF)
活动功率、待机功率和深度掉电模式当芯片选择 (CS#) 为低时，设备启用并处于活动功率模式。当芯片选择 (CS#) 为高时，设备禁用，但可以保持在活动功率模式，直到所有内部周期（编程、擦除、写入状态寄存器）完成。然后设备进入待机功率模式。设备功耗降至 I CC1 。执行特定指令（进入深度掉电模式 (DP) 指令）时进入深度掉电模式。设备功耗进一步降至 I CC2 。设备保持此模式，直到执行另一条特定指令（从深度掉电模式释放和读取设备 ID (RDI) 指令）。当设备处于深度掉电模式时，所有其他指令都将被忽略。当设备未处于活动使用状态时，这可以用作额外的软件保护机制，以保护设备免受意外写入、编程或擦除指令的影响。
MEM-E050-16-数据表.pdf
芯片选择变为低电平后，地址信息将通过引脚 13 01 “'l0""'l 被输入到芯片中。在第四个时钟脉冲处，将决定是否读取或写入所选的 QQ V” 时间信息。然后，第五个和随后的时钟脉冲将输入或输出时间 I?“ w'DT:'. °' "ff. '”°' .p“": :h°\'“';3'tl'_es¥°:h':“ m:'}n'4u;"§' 数据。在选择性读写模式期间，第十三个和随后的时钟脉冲将被忽略，直到下一个芯片选择 ow' 高低偏移。在连续读写模式期间，时间脉冲输出（7、10、11、12）第 61 个和后续时钟脉冲也被忽略，直到“例如，chipdmect higmow gxcmsiom当§top输入（4）保持打开或连接到逻辑“1”时，连续输出定时脉冲通常为 32 us 宽，并且上电复位可用于每秒、每分钟为外部电路计时，
12v 2x10w hi-fi PAM8610音频立体放大器板...
使用官方标准电路设计的功率放大器板，芯片选择是使用美国进口的原始龙三脚架D类放大器芯片。好的产品筹码和可分享的大量音乐爱好者，这是我们一致的理念！在输出10W +10 W电源的情况下，放大器具有高效率，大功率，12V电源，没有散热器的芯片，但也有过热，过电流和其他保护功能，可以说该功能非常强大。
EN25E40A (2A) 4 兆位串行闪存，带有...
活动功率、待机功率和深度掉电模式当芯片选择 (CS#) 为低时，设备启用并处于活动功率模式。当芯片选择 (CS#) 为高时，设备禁用，但可以保持活动功率模式，直到所有内部周期（编程、擦除和写入状态寄存器）完成。然后设备进入待机功率模式。设备功耗降至 I CC1 。执行特定指令（进入深度掉电模式 (DP) 指令）时进入深度掉电模式。设备功耗进一步降至 I CC2 。设备保持此模式，直到执行另一条特定指令（从深度掉电模式释放、读取设备 ID (RDI) 和软件复位指令）。当设备处于深度掉电模式时，所有其他指令都将被忽略。当设备未处于活动使用状态时，这可以用作额外的软件保护机制，以保护设备免受意外写入、编程或擦除指令的影响。
EN25QH256A (2R)
该设备是一个 256 兆位（32,768K 字节）串行闪存，具有先进的写保护机制。该设备通过标准串行外设接口 (SPI) 引脚支持单比特和四比特串行输入和输出命令：串行时钟、芯片选择、串行 DQ0 (DI) 和 DQ1(DO)、DQ2(WP#) 和 DQ3(HOLD#/RESET#)。可以使用页面编程指令一次对内存进行 1 到 256 个字节的编程。通过提供保护和取消保护块的能力，系统可以取消保护块以修改其内容，同时确保内存阵列的其余块得到安全保护。这在以子程序或模块为基础修补或更新程序代码的应用程序中非常有用，或者在需要修改数据存储段而不会冒程序代码段被错误修改的风险的应用程序中非常有用。
tlc1543.pdf - 德州仪器
当芯片选择 (CS) 处于非活动状态（高电平）时，ADDRESS 和 I/O CLOCK 输入最初被禁用，DATA OUT 处于高阻抗状态。当串行接口将 CS 置于活动状态（低电平）时，转换序列从启用 I/O CLOCK 和 ADDRESS 以及将 DATA OUT 从高阻抗状态移除开始。然后，串行接口向 ADDRESS 提供 4 位通道地址，向 I/O CLOCK 提供 I/O CLOCK 序列。在此传输过程中，串行接口还从 DATA OUT 接收先前的转换结果。I/O CLOCK 从主机串行接口接收长度在 10 到 16 个时钟之间的输入序列。前四个 I/O 时钟将 4 位地址加载到地址寄存器的 ADDRESS 上，选择所需的模拟通道，接下来的六个时钟提供对模拟输入进行采样的控制时序。
航天级并行持久性 SRAM 存储器
非易失性 − √ √ √ 写入性能 √ − − √ 读取性能 √ − − √ 耐久性 √ − − √ 功率 − − − √ MRAM 是一种真正的随机存取存储器；允许在内存中随机进行读取和写入。MRAM 非常适合必须存储和检索数据而不会产生较大延迟的应用程序。它提供低延迟、低功耗、高耐久性、高性能和可扩展的内存技术。AS3xxx332 采用小尺寸（15mm x 17mm）142 球 BGA 封装。在 1、2、4Gb 密度下，该设备使用一个芯片选择 E#。在此配置中，形成一个 1、2、4Gb 的连续地址空间。在 8Gb 配置中，该封装有两个 4 个芯片组，每个芯片组可单独选择，但不能同时选择。每个芯片组可使用 E1# 和 E2# 选择。在 8Gb 配置中，不得同时选择 E1# 和 E2#，因为两个组共享相同的 I/O 引脚。AS3xxx332 提供工业扩展（-40°C 至 125°C）工作温度范围：这是以结温测量的。
EN25QX128A (2V) 128 兆位 3V 串行闪存...
该设备是一个 128 兆位（16,384K 字节）串行闪存，具有先进的写保护机制。该设备通过标准串行外设接口 (SPI) 引脚支持单比特和四比特串行输入和输出命令：串行时钟、芯片选择、串行 DQ 0 (DI) 和 DQ 1 (DO)、DQ 2 (WP#) 和 DQ 3 (HOLD#/RESET#)。支持高达 104Mhz 的 SPI 时钟频率，在使用四路输出读取指令时，允许四路输出的等效时钟速率为 532Mhz（133Mhz x 4）。使用页面编程指令，可以一次对内存进行 1 到 256 个字节的编程。该设备还提供了一种复杂的方法来保护单个块免受错误或恶意编程和擦除操作的影响。通过提供单独保护和取消保护块的能力，系统可以取消保护特定块以修改其内容，同时确保内存阵列的其余块得到安全保护。这在以子程序或模块为基础修补或更新程序代码的应用中非常有用，或者在需要修改数据存储段而又不冒程序代码段被错误修改的风险的应用中非常有用。该设备设计为允许一次执行单个扇区/块或全芯片擦除操作。该设备可以配置为以软件保护模式保护部分内存。该设备可以对每个扇区或块维持至少 100K 次编程/擦除周期。
SAMRH71 数据表
• 内核 Arm Cortex-M7 在典型条件下以 100 MHz 运行 – 16 KB I-Cache 和 16 KB D-Cache，具有错误代码校正 (ECC) – 单精度和双精度硬件浮点单元 (FPU) – 具有 16 个区域的内存保护单元 (MPU) – DSP 指令、Thumb ® -2 指令集 – 具有指令跟踪流的嵌入式跟踪模块 (ETM)，包括跟踪端口接口单元 (TPIU) • 内存 – 128 KB 嵌入式闪存，内置 ECC（最多 2 个错误校正） – 384 KB 嵌入式 SRAM 用于紧耦合存储器 (TCM) 接口，以与 Cortex-M7 相同的频率运行，内置 ECC（最多 1 个错误校正） – 768 KB 嵌入式多端口 SRAM，内置 ECC（最多 1 个错误校正），连接到 AHB 系统，以与系统时钟相同的频率运行 – 硬化外部存储器控制器 (HEMC) 用于寻址具有可变数据大小（从 8 位到 48 位）的 PROM、SRAM 和 SDRAM • 六个独立芯片选择 • 最多可访问 2 GB 的外部存储器 • 内置 ECC，允许每 32 位纠正最多 2 位 • 系统外设 – 内置电源故障检测 (PFD)、可编程电源监视器和独立看门狗，确保安全运行