Bhawna Poudyal生物学和电子产品的抽象组合导致了许多新发明。这些对于打击致命疾病很有用。这样的发明是微电子药。这种现象用于检测体内疾病和异常。这是一种不可消化的药丸,由传感器组成。这些传感器测量了各种身体参数,例如胃酸的pH和肠道。有一个控制传感器的集成电路。所有四个传感器中都有。这些测量温度和溶解氧。这些传感器安装在两个硅芯片的顶部。微电子药对身体完全无害。有一个无线电发射机来传感器传输信号。数据将传输到附近的接收器,并将其转换为所需的形式进行分析。排列的顶部有一个化学涂层。本机由AG2O电池提供动力,其工作时间约为35小时。芯片本质上是高度适应性的,可以用于各种生物医学和工业应用中。这些芯片可用于快速检测复杂疾病,否则这些疾病将需要很长时间。使用此术语可以检测到许多胃肠道疾病。在不容易获取样本进行分析的情况下,它特别使用。关键字:微电子,药丸,生物传感器,芯片1。引言我们熟悉电子领域中广泛的传感器。顾名思义,该传感器是一种药丸。2。它们也广泛用于各种实验和研究活动中。这种微电代药是具有许多通道的传感器,被称为多通道传感器。那就是要进入体内并研究内部条件。早些时候是在发明晶体管时,首先使用辐射胶囊。这些胶囊利用简单的电路来研究胃肠道。阻止其使用的某些原因是它们的大小和不超过单个通道的传输限制。他们的可靠性和敏感性差。传感器的寿命也太短。这为实施单个通道遥测胶囊铺平了道路,后来开发了它们以克服大尺寸实验室类型传感器的缺点。半导体技术也有助于形成,因此最终开发了当前看到的微电药。这些药现在用于在研究和诊断中进行远程生物医学测量。传感器利用微技术来实现目的。使用该药丸的主要目的是进行内部研究,并识别或检测胃肠道中的异常和疾病。在此GI(胃肠道)中,我们不能在访问受到限制时使用旧的内窥镜。可以通过这些药丸来测量许多参数,其中包括电导率,pH温度和胃肠道中溶解的氧气量。微电代药,微电子药的设计是胶囊的形式。它具有的包裹是生物相容性的。内部是多通道(四个通道)传感器和一个对照芯片。它还包括无线电发射机和两个银氧化物细胞。四个传感器安装在两个硅芯片上。除此之外,还有一个控制芯片,一个访问通道和一个无线电发射机。通常使用的四个传感器是温度传感器,pH ISFET传感器,双电极电极传感器和三个电极电化学传感器。在这些温度传感器中,pH ISFET传感器和双电极电极传感器在第一个芯片上制造。三个电极电化学细胞氧传感器将在芯片2上。第二芯片还由可选的NICR电阻温度计组成。
引言量子协议领域的研究已经得到了广泛的开展。在量子密码学领域,Ekert [1]使用两个EPR量子比特(Einstein、Podolsky、Rosen)的状态作为状态紧密性测试器,并在Bennet通信协议[2]中通过单粒子和双粒子算子共享这个EPR。1993年,Bennet等人[3]首次提出了通过EPR通道进行一个量子比特状态的量子隐形传态的理论协议。量子隐形传态是通过划分量子纠缠态和涉及一些非局部测量的经典态,在发送者(Alice)和接收者(Bob)之间的不同地方发送任意数量的无法识别的量子比特的过程。一般来说,Alice中的非局部测量采用射影测量,而Bob中的非局部测量则是幺正操作。还有一些协议,其非局部测量是通过 Aharanov 和 Albert [4] 的方法实现的,Kim 等人 [5] 的实验和 Cardoso 等人 [6] 的工作中实现了非线性相互作用,这些相互作用利用了状态源腔和通道源之间的共振。对于任意两个比特的纠缠态,量子通道的选择是通过 Schmidt 分解测试 [23] 获得的,而在多立方体中,则是通过其约化密度矩阵的秩值的组合 [24] 获得的。
共晶SN-CU合金认为是有毒SN-PB焊料合金的潜在替代品之一。这项工作旨在通过研究每种需要x = 0.3和0.5 wt。%的需要次的需要次的鞭毛(BI)和银(Ag)含量的影响,从而提高共晶SN-SCU合金的机械性能,每种需要次的需要次的需要次鞭毛(BI)和银(Ag)含量对As- castectic Eutectic eutectic sn-cu alloy的机械性能的影响。使用X射线衍射(XRD)和蠕变测试机研究了三元AS-Cast Sn-Cu-X(X = BI或Ag)合金。 结果表明,在Eutectic Sn-Cu合金中添加0.3和0.5 wt。%的BI添加不会促进CU6SN5 IMC的形成,而只是将其从102转移到202个方向。 上述BI添加已完善了β-SN粒径和扩大的Cu6SN5 IMC,因此减少了晶格失真,通过在室温下(RT)的不同载荷(RT),通过拉伸载荷通过拉伸载荷来直接增强了这些AS铸造合金的机械性能和可靠性。 将BI的0.3和0.5 wt。在铸物的共晶合金中加入其他IMC(AG3SN),与Cu6Sn5相形成了其他IMC(AG3SN),由于其不同的晶体结构(AG3SN(orthorhombombic)和Cu6sn5(hex)),与其匹配的CU6SN5相位不匹配它。 为此,结构稳定性下降,导致外力的电阻较低,机械可靠性低。 机械改进(高破裂时间(5498.85 s),低应变速率和应力指数(9.48))已与BI添加0.5 wt。与其他添加相比,BI添加0.5 wt。与其高结构稳定性密切相关。三元AS-Cast Sn-Cu-X(X = BI或Ag)合金。结果表明,在Eutectic Sn-Cu合金中添加0.3和0.5 wt。%的BI添加不会促进CU6SN5 IMC的形成,而只是将其从102转移到202个方向。上述BI添加已完善了β-SN粒径和扩大的Cu6SN5 IMC,因此减少了晶格失真,通过在室温下(RT)的不同载荷(RT),通过拉伸载荷通过拉伸载荷来直接增强了这些AS铸造合金的机械性能和可靠性。将BI的0.3和0.5 wt。在铸物的共晶合金中加入其他IMC(AG3SN),与Cu6Sn5相形成了其他IMC(AG3SN),由于其不同的晶体结构(AG3SN(orthorhombombic)和Cu6sn5(hex)),与其匹配的CU6SN5相位不匹配它。为此,结构稳定性下降,导致外力的电阻较低,机械可靠性低。机械改进(高破裂时间(5498.85 s),低应变速率和应力指数(9.48))已与BI添加0.5 wt。与其他添加相比,BI添加0.5 wt。与其高结构稳定性密切相关。从机械的角度来看,建议使用SN-0.7CU-0.5BI合金成为大规模生产和加工焊接和电子组件的最可靠合金。