XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System菱面体
训练集成 La0.15Bi0.85FeO3 中的极化
如此严重的化学取代会扰乱自发极化的幅度和方向，以及 BiFeO 3 的结构和畴结构。[10–12] 因此，与纯 BiFeO 3 相比，La 取代的 BiFeO 3 中的畴结构高度随机化。此外，晶体对称性从菱面体变为单晶。[10,11,13] 规则 BiFeO 3 条纹畴结构的丧失可能会影响与应用相关的特性，例如前述磁电开关过程。由于任何铁性材料的功能都受其畴操纵的支配，因此对集成到电容器架构中的 La 取代 BiFeO 3 进行非侵入性操作研究对于了解取代诱导的畴结构的影响至关重要
霸菱国际伞型基金招股说明书
单位信托的单位仅根据本招股说明书、相关补充文件、关键投资者信息文件、最新年度报告以及（如果随后发布）单位信托的半年报告中包含的信息提供。任何交易商、经纪人或其他人士提供或作出的任何进一步信息或陈述均应被忽略，因此不应依赖。除关键投资者信息文件、本招股说明书、每个相关补充文件、最新年度报告以及（如果随后发布）单位信托的半年报告中包含的信息外，任何人均无权提供任何信息或作出任何陈述，并且（如果提供或作出）此类信息或陈述不得被视为已获得授权。本招股说明书不构成出售或招揽购买与其相关的单位以外的任何此类单位的要约或要约邀请，也不构成任何人在任何此类要约或招揽非法的情况下出售或招揽购买此类单位的要约。在任何情况下，本招股说明书或相关补充文件的交付或单位的发行均不意味着单位信托的事务自本招股说明书之日起未发生改变，或本招股说明书中包含的信息在该日期之后的任何时间都是正确的。
铈掺杂氧化钇的微观结构和电子特性：理论解析
三价铈 (Ce 3 +) 掺杂的氧化钇 (Y 2 O 3 ) 基质晶体由于其流行的 5d-4f 光学跃迁而引起了广泛的兴趣。先前的研究已经证明了 Y 2 O 3 ：Ce 体系的优异光学性能，但是微观结构仍不清楚。Y 2 O 3 ：Ce 微观结构的缺乏可能会对进一步挖掘其潜在应用造成问题。为此，我们基于 CALYPSO 结构搜索方法结合密度泛函理论计算，全面研究了 Y 2 O 3 ：Ce 晶体的结构演变。我们的研究结果揭示了一种具有 R-3 组对称性的新型菱面体相 Y 2 O 3 ：Ce。在基质晶体中，中心位置的 Y 3 + 离子可以自然地被掺杂的 Ce 3 + 取代，从而形成完美的笼状结构。我们发现一个有趣的相变：当杂质Ce3+掺杂到基质晶体中时，Y2O3的晶体对称性由立方变为菱面体。当Ce3+的标称浓度为3.125%时，由于基质晶体中占据点的不同，也识别出许多亚稳态结构。模拟了Y2O3：Ce的X射线衍射图，理论结果与实验数据相一致，证明了最低能量结构的有效性。声子色散的结果表明基态结构是动态稳定的。电子性质分析表明Y2O3：Ce具有4.20eV的带隙，这表明杂质Ce3+离子的掺入导致Y2O3基质晶体从绝缘体到半导体的转变。同时，电子局域化函数表明晶体中O原子的强共价键可能对基态结构的稳定性有很大贡献。这些结果阐明了Y 2 O 3 ：Ce的结构和成键特征，也为理解实验现象提供了有用的见解。
体超导铟对一维锌超导纳米线超导电性的抑制效应'
（！“＃$”％＆'％（）＃'*+），“ - +。“＃+”）＃/ 0“ 1）％$ 2”＃$'＆345*。+*，3“ ##*5,6）＃。） div>- $）$“ 7＃.6”％*。
解决 γ‐Ga2O3 中的无序问题
氧化镓是一种超宽带隙 (UWBG) 半导体，有望扩展电力电子、日盲紫外光电探测器、气体传感设备和太阳能电池等领域的功能和应用极限。[1,2] 它已成功应用于一些领域，包括荧光粉和电致发光 (EL) 设备、[3] 日盲光电探测器、[4,5] 光催化 [6] 和电力电子。[7,8] Ga 2 O 3 与许多其他多态氧化物体系（如 Al 2 O 3 、In 2 O 3 和 Sb 2 O 3 ）相似，除了热力学稳定的单晶 β 相（C 2/ m）之外，至少还存在四个相。这些相包括菱面体 α -Ga 2 O 3 ( 3 ) R c 、立方 γ -Ga 2 O 3 ( 3 ) Fd m 、正交 ε / κ -Ga 2 O 3 ( Pna 2 1 ) 和立方 δ -Ga 2 O 3 ( 3) Ia 相。需要注意的是，δ 相的存在仍有待讨论，有人认为它可能是由 β 相和 ε / κ 相混合形成的。[9]
人工智能手语翻译工具试用会
3.与聋哑运动员的特别对话会 2023年聋哑足球世界锦标赛亚军成员冈田拓哉（埼玉县聋哑足球俱乐部、越谷FC）、中井健人（TDFC、LesPros Tokyo）、经理植松隼人 ★秘密嘉宾登场！ ！
パワー化合物半导体日本の视点
1。ST Microelectronics completes acquisition of Norstel AB, a SiC wafer manufacturer, ST Microelectronics, 2019/12/2: https://www.st.com/content/st_com/ja/about/ media-center/press-item.html/c2930.html 2.ROHM集团Sicrystal和St Microelectronics同意提供碳化硅（SIC）Wafers多年来，ST Microelectronics，2020/1/15：https：//newsroom.st.com/ja/ja/ja/media-ia-center/media-center/press-center/press-item/press-item.html/c2936.html，3。3.cree |。ST Microelectronics在意大利建立了新的集成SIC WAFER工厂，ST Microelectronics，2022/10/5：https：//newsroom.st.com/ja/ja/media-center/media-center/press-item.htm.html/ c3124.html 5。Stmicro在意大利建立新的SIC WAFER工厂，在欧洲首次，Nikkei Crosstech，2022/10/18：https：//xtps：//xtech.nikkei.com/atcl/news/news/news/news/news/13938/13938/ 6.Infineon和Cree同意长期供应Sic Wafers，Infineon，2018/3/16：https：//www.infineon.com/cmms/cmms/jp/jp/jp/jp/about-infineon/press/press/press/press/press/press/press/press-releases/2018/2018/Wolfspeed builds a new large-scale SiC factory in Germany, production begins in 2017, Nikkei Crosstech, 2023/2/28: https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/14642/ 8.Infineon收购了硅碳化物专家Siltechtra，Infineon，2018/12/7：https：//www.infineon.com/cms/cms/cms/jp/jp/about-infineon/press/press/press/press/press-releases/2018/2018/2018/Infineon通过GT Advanced Technologies，Infineon，2020/11/9：https：//wwwww.infineon.com/cms/cms/cms/jp/jp/about-infineon/ press/press/press/press/press/2020/infxx20202011-2011-2011-2011-014.html 10。有关电力半导体的SIC外延晶片：与Infineon Technologies签署的销售和联合开发协议，Showa Denko，2021年5月6日：https：//wwwwww.resonac.com/jp/