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World File Search System蓝宝石
蓝宝石的特性和应用
• 它具有高弹性模量和高抗拉强度，因此具有极强的耐磨、耐磨损和耐冲击性。 • 由于其高介电常数，它是极好的电绝缘体。 • 由于蓝宝石的热稳定性，当暴露于从低温到 2000C 以上的温度时，它不会失去任何机械和光学属性。 • 导热性大于其他光学材料和大多数电介质。 • 由于极端热循环，不会造成表面损坏或失透。 • 与其他光学材料不同，它在极高的温度下不会下垂或塌陷。 • 它具有很强的耐腐蚀性，并且比大多数其他光学和非光学硬质材料更耐腐蚀性化学品。 • 在高辐射系统中不会发生日晒。 • 卓越的光学传输范围从紫外线到中红外线。（见图 2）蓝宝石具有六边形/菱形结构，并且具有取决于晶体方向的属性（图 1）。蓝宝石衬底有 C、R、A 和 M 平面以及随机取向。随机取向最便宜，通常用于非关键光学或机械应用。
EIA-Scoping-Report-Project-Valorous.pdf - 蓝宝石风能
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蓝宝石的上级泳池范围
上级材料上级材料所有池均使用新一代，高性能，耐腐蚀，环保玻璃纤维，具有提高的强度和刚度制造。我们的现场凝胶涂层制造工厂意味着每天批量批量材料以获得更好的产品。仅使用特种材料 - 没有通用产品。
蓝宝石dottm＆Check Point Quantum IoT protect
检查点软件Technologies Ltd.（www.Checkpoint.com）是全球最大的网络网络安全供应商，它提供行业领先的解决方案，并保护客户免受无与伦比的恶意软件和其他类型威胁的网络攻击。检查点除了最全面，最直观的安全管理外，还提供完整的安全体系结构捍卫企业（从网络到移动设备）。检查点可保护超过100,000多个大小的组织。
使用低温蓝宝石振荡器改进离子阱量子计算机
我们描述了一种灵活的微波合成系统，该系统由一个超低相位噪声低温蓝宝石振荡器 (CSO) 设计，可用作镱离子 (Yb+) 量子比特的主时钟。我们报告称，使用该合成系统，量子比特相干时间从 0.9 秒提高到 8.7 秒，提高了 10 倍，单量子比特量子门的误差为 1.6e-6。使用滤波函数方法 [1]，我们发现证据表明，0.9 秒的宝贵相干性受到精密级商用现成微波合成器 [1] 的相位噪声的限制。此外，我们还利用微波合成系统的灵活性来演示贝叶斯学习算法，该算法可以自主设计信息优化的控制脉冲来识别和校准定量动力学模型，以表征囚禁离子系统。我们通过实验证明，新算法在少量样本的情况下超过了传统校准方法的精度 [2]。
后退火对蓝宝石上多晶Ga2O3光电探测器电性能的影响
研究了后退火对蓝宝石衬底上日盲多晶氧化镓 (Ga 2 O 3 ) 紫外光电探测器的物理和电学性能的影响。随着后退火温度 (PAT) 从 800 °C 升高到 1000 °C，多晶 Ga 2 O 3 的晶粒尺寸变大，但随着 PAT 进一步升高到 1100 °C，晶粒尺寸变小。随着 PAT 的增加，在蓝宝石上的 Ga 2 O 3 的透射光谱的吸收带边缘发生了蓝移，这是由于蓝宝石衬底中的 Al 掺入 Ga 2 O 3 中形成 (Al x Ga 1 – x ) 2 O 3 造成的。高分辨率X射线衍射和透射光谱测量表明，1100°C退火后的(Al x Ga 1 – x ) 2 O 3 的取代Al组分和带隙分别可以达到0.30和5.10 eV以上。1000°C退火样品的R max 与沉积态器件相比提高了约500%，且1000°C退火样品的上升时间和下降时间较短，分别为0.148 s和0.067 s。这项研究为多晶Ga 2 O 3 紫外光电探测器的制作奠定了基础，并找到了一种提高响应度和响应速度的方法。
Ti掺杂的蓝宝石（Al（2）O（3））通过Kyropoulos技术和光学特征生长的单晶。
不可侵犯生长过程的缺陷。激光性能通常受到Ti3þ -Ti4Þ离子对8的光损失红外吸收带的限制，这些离子对8恰好发生在激光发射波长中。退火改善了成年晶体的质量。它允许将部分更改为ti3Þ，并改善所谓的功绩图（FOM），该图可以测量约500 nm的吸收系数与吸收系数相对于寄生虫Ti3Þ -Ti3Þ -Ti4Þ吸收带的吸收系数的比率。在本文中，大尺寸和高度Ti3Þ掺杂的Al 2 O 3单晶在RSA Le Rubis Company的Kyropoulos Technique（KT）成功生长，并执行了成年晶体的光学特征。
c 面 GaN 模板和蓝宝石衬底上 -Ga2O3 薄膜的晶体各向异性
β -氧化镓（β -Ga 2 O 3 ）的带隙约为4.9 eV [ 1 ]，作为一种新兴的超宽带隙半导体，近年来得到了广泛的研究。由于其具有成熟的块体材料制备、优异的Baliga 品质因数和高电子迁移率等优点[ 2 ]，β -Ga 2 O 3 被认为是一种很有前途的日盲紫外（UV）光电探测器、气体传感器、紫外透明导体和大功率电子器件的候选材料[ 3 ，4 ]。虽然块体β -Ga 2 O 3 是外延生长高质量β -Ga 2 O 3 薄膜的理想衬底，但其昂贵的成本和较差的热导率仍然阻碍了同质外延的商业化。因此，在低成本、大尺寸衬底上异质外延β -Ga 2 O 3 薄膜仍然具有重要意义。
