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World File Search System蓝宝石
蓝宝石上双层石墨烯的无金属生长和干燥分离：对电子应用的影响
摘要：在过去的十年中，在不同的科学和工程领域中使用石墨烯的速率仅增加，并且没有表现出饱和的迹象。同时，最常见的高质量石墨烯的来源是通过化学蒸气沉积（CVD）在铜箔上的生长，随后的湿传输步骤，由于铜箔的依从性带来了环境问题和技术挑战。为了克服这些问题，已经使用了沉积在硅晶片上的薄铜纤维，但是石墨烯生长所需的高温可能会导致铜纤维的侵蚀，并在获得均匀的生长方面遇到挑战。在这项工作中，我们探索蓝宝石作为石墨烯直接生长的底物，而无需在常规金属CVD温度下任何金属催化剂。首先，我们发现在生长之前退火是提高可以直接在此类底物上生长的石墨烯质量的关键步骤。在退火蓝宝石上生长的石墨烯是均匀的双层，并且在文献中发现了一些最低的拉曼D/G比。此外，已经进行了干燥转移实验，该实验提供了直接衡量蓝宝石/石墨烯界面上相互作用范围的粘附能，强度和相互作用范围。石墨烯对蓝宝石的粘附能低于铜在铜上生长的石墨烯的粘附能，但是石墨烯 - 蓝宝石相互作用的强度更高。使用拉曼，SEM和AFM以及断裂力学概念评估了几厘米尺度转移的质量。关键字：石墨烯的生长，干燥转移，蓝宝石，粘附强度，粘附能基于对这项工作中合成石墨烯的电气特性的评估，这项工作对几种潜在的电子应用有影响。
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QSR，超出当前的放缓，还提供了可扩展的，重要的是有利可图的机会。在全球基准和自下而上的商店潜在工作中，我们看到某些品牌（尤其是肯德基）有机会在FY30到30财年的双重商店。汇总者部分民主化了该部门（尤其是交付），但我们将品牌偏好和过程复杂性视为可以阻止任何市场份额损失并维持该行业增长潜力的护城河。因此，我们更喜欢鸡肉作为类别，在蓝宝石食品（蓝宝石）中，对其提供的可伸缩性进行了合理的估值。Devyani International（DIL）虽然拥有与蓝宝石相似的驾驶员，但尽管有可选的方式，但仍不保证溢价。欢欣鼓舞的食品工厂（JFL）有限的Domino（以下简称）和更重要的是SSSG概况（vs vs之前），即使考虑了DP Eurasia和Popeyes，也使估值太高了。我们更喜欢蓝宝石（买）> dil（卖出）> jfl（卖出）。
修饰和抛光陶瓷基材的金属化指南
抛光超精度的第二或第三步，将公差从0.1微英寸拧紧到5个微英寸的金属（铁质和非有色人种），碳化物，陶瓷，蓝宝石，蓝宝石，Beo，AIN，AIN，AIN，99.6％铝，以及用于工业和科学应用的其他材料以及Microelectron的其他材料。注意：（1U-in = 0.000001”）
光学和激光技术
对宽带材料（例如眼镜和晶体）的精确和高质量加工的需求在科学和工业中具有相当大的意义。在这些材料中，蓝宝石由于其出色的机械和光学特性，高导热率和稳定性，低电导率以及针对苛刻的化学物质的弹性而脱颖而出。尽管蓝宝石的硬度很硬，但蓝宝石还是脆弱的，使其容易在传统的加工尝试中进行破解。最近，诸如激光消融之类的替代非接触方法已成为提高加工质量的潜在解决方案。然而，对宽带材料的激光处理的研究，尤其是利用飞秒固态激光系统的高谐波，仍然是不完整的。我们的研究重点是研究使用飞秒（300 fs）深紫外线（206 nm）激光脉冲的C-CUT蓝宝石晶体的非热激光消融，并将结果与传统的IR IR femtsosecond消融进行了比较。出版物涵盖了对消融过程的全面描述，以及与随附的扫描电子显微镜图像一起对各种已达到的形态进行了回顾。我们的发现表明，可以通过特定激光处理参数范围内的单步过程来实现表面粗糙度低于100 nm的有效消融。蓝宝石的消融过程涵盖了强烈的孵化效果，因此脉冲需要紧密地重叠。此外，我们还提供了用于提取表面粗糙度的方法的详细描述，该方法在所有提出的研究中都用于表面粗糙度，并提供了一个实用的框架来表征从不同激光系统获得的消融结果。
科学家实现通用技术 - 称为范德华挤压 - 用于2D金属的原子制造
VDW砧座由两个单一晶体MOS 2单层在蓝宝石上生长。砧座对于生产2D金属至关重要，原因有两个。首先，单层MOS 2 /SAPPHIRE的原子平坦，无骨的表面确保大规模均匀的2D金属厚度。第二，蓝宝石和单层MOS 2（> 300 GPA）的高年轻人的模量使它们能够承受极端的压力，从而使两个砧之间形成2D金属到
利用亚带隙激发飞秒激光剥离技术生产独立 GaN 发光二极管芯片
激光剥离 (LLO) 通常用于将功能薄膜与下面的基板分离，特别是将基于氮化镓 (GaN) 的发光二极管 (LED) 从蓝宝石中分离出来。通过将 LED 层堆栈转移到具有定制特性的外来载体（例如高反射表面），可以显著提高光电器件的性能。传统上，LLO 是使用纳秒级的紫外激光脉冲进行的。当指向晶圆的蓝宝石侧时，蓝宝石/GaN 界面处的第一层 GaN 层吸收脉冲会导致分离。在这项工作中，首次展示了一种基于 520 nm 波长的飞秒脉冲的 LLO 新方法。尽管依赖于亚带隙激发的双光子吸收，但与传统的 LLO 相比，超短脉冲宽度可以减少结构损伤。在详细研究激光影响与工艺参数的关系后，我们开发了两步工艺方案，以制造边长可达 1.2 毫米、厚度可达 5 微米的独立 InGaN/GaN LED 芯片。通过扫描电子显微镜和阴极发光对分离的芯片进行评估，结果显示 LLO 前后的发射特性相似。
紫外线LED 101 UV LED技术的基础
高带gap（较短的波长）材料由III-V半导体组合形成，允许在紫外线范围内进行辐射排放。通过改变铝，粘液和凝胶的比率，可以获得特定的发射波长。UV LED进一步分类为UVA，UVB和UVC LED。在UV和UVA LED附近使用Ingan在活动区域中使用Ingan，并且主要在蓝宝石底物上生长。氮化铝含量是低于365 nm的波长的首选材料。对于发射较短的紫外线波长的设备，需要具有更大铝含量的组合物。蓝宝石底物含有氮化铝或氮化铝铝铝层，也用于提高较短波长的LED质量[4]。
通过化学束蒸气沉积对高质量外延锂薄膜的有效优化：阳离子化学计量的影响
Niobate锂是其具有挑战性的功能性能的特殊材料，可以适合各种应用。然而，到目前为止，在蓝宝石底物上生长的高品质200毫米li x nb 1-x o 3薄片迄今为止从未报道过这限制了这些潜在应用。本文报告了蓝宝石（001）底物在组合构造中通过化学梁蒸气沉积在蓝宝石（001）底物上对高质量的薄膜沉积的有效优化。使用此技术，LI/NB的流量比可以从单个晶圆上调整≈0.25至≈2.45。在膜的胶片（不同阳离子比）的不同区域进行了各种互补特征（通过不同的效果，显微镜和光谱技术），以研究阳离子化写计数器对纤维属性的影响。接近阳离子化学计量学（Linbo 3），外延纤维具有高质量（尽管有两个平面域，但低镶嵌性为0.04°，低表面粗糙度，折射率和带隙接近散装值）。偏离化学计量条件，检测到次级相（富含NB的流动比的Linb 3 O 8，Li 3 NBO 4具有部分非晶化的Li-foW流比）。linbo 3薄膜对于数据通信中的各种关键应用程序都具有很高的兴趣。