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World File Search System蓝宝石
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第三阶段将是最终层中掺杂水平的控制，该阶段针对N型，绝对浓度约为10 16 cm -3，代表低相对原子浓度的低相对原子浓度，为100 ppb。GAN材料（<10 ppb）所需的纯度水平以及对N型植物的控制，在2000年代已经在蓝宝石底物上证明，但据我们所知，在硅底物上却没有证明。
用于空气数据系统的高性能压力传感器
Crane 压力传感器采用蓝宝石硅基传感技术，具有出色的精度、可靠性和稳定性。直接位于压力膜片上的集成温度传感器可提供最佳温度补偿。Crane 压力传感器比传统的机械共振型传感器尺寸更小，耗电量更少，同时提供更好的热瞬态响应。出色的重复性和稳定性使用数字补偿可将异常精度提高到满量程的 0.01% 以内。
Kulwant Singh 教授（博士），技术硕士，博士
本发明将薄膜和基底之间存在错配应变时材料行为的变化关联起来。为了量化目的，发明人对沉积在厚蓝宝石/硅基底上的氮化镓 (GaN) 薄膜进行了纳米压痕数值实验，以评估薄膜中的负载与变形。这对于电子工业和 MEMS、NEMS、LED 等设备非常重要，因为变形的微小变化会影响这些设备的性能。印度专利
原子平面错位取向有助于提高纳米图案化蓝宝石 (0001) 表面上 AlN 外延生长的晶体质量，用于深紫外光电器件
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用于太空应用的高效钙钛矿太阳能电池
(ad) 光学、(eh) 顶视图 SEM；(il) AFM 和 (mp) 175 微米蓝宝石上层 ITO 的导电 AFM 图像，底层 Al 2 O 3 缓冲层厚度不同：(a、e、i、m) 0 nm；(b、f、g、n) 20 nm；(c、g、k、o) 40 nm 和 (d、h、l、p) 60 nm。(a) 至 (d) 中的光学图像的比例尺为 100 μm，其他图像 (e) 至 (p) 的比例尺为 300 nm。
Wafergrip基本信息
过程方法•从释放纸或甲膜层中除去Wafergrip粘合剂，然后在室温下涂在安装基板上（例如蓝宝石或玻璃）。•将零件或晶圆放在晶状体上，然后将整个组件加热至约110°C/230°F约110°C/230°F，持续30至60秒的光压力，最好使用真空室进行无效的粘合•为了删除Wafergrip，我们建议使用我们特殊配方的溶剂固定式“ latevent” lactaid x solvent”。
晶圆级单晶过渡金属的位错...
8 三星电子有限公司三星先进技术研究所 (SAIT)，韩国水原 16678 gwanlee@snu.ac.kr 摘要 (Century Gothic 11) 通过化学气相沉积 (CVD) 在具有外延关系的晶体基底（例如 c 面蓝宝石）上合成了晶圆级单晶过渡金属二硫属化物 (TMD)。由于 TMD 外延生长的基底有限，因此需要将转移过程转移到所需的基底上进行器件制造，从而导致不可避免的损坏和皱纹。在这里，我们报告了通过过渡金属薄膜的硫属化在超薄 2D 模板（石墨烯和 hBN）下方的 TMD（MoS 2 、MoSe 2 、WS 2 和 WSe 2 ）的异轴（向下排列）生长。硫族元素原子通过石墨烯在硫族化过程中产生的纳米孔扩散，从而在石墨烯下方形成高度结晶和层状的TMD，其晶体取向排列整齐，厚度可控性高。生长的单晶TMD显示出与剥离TMD相当的高热导率和载流子迁移率。我们的异轴生长方法能够克服传统外延生长的衬底限制，并制造出适用于单片3D集成的4英寸单晶TMD。参考文献 [1] Kang, K. 等。具有晶圆级均匀性的高迁移率三原子厚半导体薄膜。Nature 520 , 656-660 (2015).[2] Liu, L. 等。蓝宝石上双层二硫化钼的均匀成核和外延。Nature 605 , 69-75 (2022) [3] Kim, K. S. 等人。通过几何限制实现非外延单晶二维材料生长。Nature 614 , 88-94 (2023)。
国际平坦化/CMP技术会议
ICPT 作为平面化/CMP 的国际研讨会，为讨论包括 FEOL 和 BEOL CMP、3D/TSV、CMP 基础、抛光工艺、耗材、设备、绿色设备、新应用、计量、清洁、缺陷控制、工艺控制、CMP 替代品、SiC、GaN、蓝宝石和钻石在内的技术提供了绝佳的机会。会议为研究人员和工程师提供了一个会面、讨论和分享各自知识领域经验的地方。无论演讲者来自哪个国家或组织，担任什么职位，或在哪个技术领域积累了经验或成为专家，都希望在平等的基础上进行热情洋溢的演讲和讨论，就像晶圆表面一样平坦。