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ETMOS 项目旨在通过分子束外延 (MBE) 和脉冲激光沉积 (PLD) 开发电子级过渡金属二硫属化物 (TMD) 的大面积生长。根据最近关于在六方晶体衬底上生长的 MoS2 外延质量的报告和初步结果,我们将推动这些材料在宽带隙 (WBG) 六方半导体 (SiC、GaN、AlN、AlGaN 合金) 和绝缘蓝宝石上的外延层生长。五个合作伙伴在薄膜生长 (CNRS、SAS)、高级特性和模拟 (CNR、HAS、U-Pa)、加工和电子设备原型 (CNR) 方面拥有互补的技能。将在不同衬底 (Si、蓝宝石、SiC、块状 GaN) 上生长 WBG 半导体模板/薄膜,以完全控制起始材料的特性并制备外延就绪表面,从而实现高质量和均匀的 TMD MBE 和 PLD 生长。沉积范围将从单层 (1L) 到几层 (最多 5) MoS2 和 WSe2,并在直径最大为 100 毫米的晶片上控制亚单层厚度。将开发 MBE 或 PLD 期间的 TMD 替代掺杂,重点是 MoS2 的 p+ 掺杂,这对设备应用具有战略意义。除了生长设施外,ETMOS 联盟还拥有整套形态、结构、化学、光学和电扫描探针表征,有助于在每个生长步骤中实现高质量。将通过专门设计的测试设备研究 TMD 的电性能 (掺杂、迁移率、电阻率等) 以及跨 TMD/WBG 异质结的电流传输。实验将通过生长模拟和 WBG 上 TMD 电子能带结构的从头计算来补充。将制定多尺度表征协议,以将我们的外延 TMD 与使用相同或互补沉积方法的其他小组的结果进行对比。最后,将制造利用 TMDs/WBG 异质结特性的器件原型,包括:(i) 基于 p+-MoS2 与 n-GaN 或 n-SiC 原子突变异质结的带间隧穿二极管和晶体管;(ii) MoS2/GaN 和 MoS2/SiC UV 光电二极管;(iii) 具有 Al(Ga)N/GaN 发射极和 1L TMD 基极的热电子晶体管。开发的材料/工艺的目标是在项目结束时达到 TRL=5。由于 ETMOS 合作伙伴与 SiC 和 GaN 领域的领先工业企业(STMicroelectronics、TopGaN、Lumilog)保持着持续合作,因此来自行业的代表将成为 ETMOS 顾问委员会的成员,为工艺与生产环境的兼容性提供指导。我们的 TMDs 生长活动与常用的 CVD 方法高度互补。我们预计与石墨烯旗舰项目第 1 和第 3 部门的团队将产生强大的协同作用,从而促进欧洲在 TMD 和设备应用大面积增长方面的能力。
在评估频率标准时,有三个指标可以对其进行表征。它们是标准的稳定性、可重复性和准确性。在描述频率标准时,这三个术语具有特殊含义,不能互换使用。频率标准的稳定性描述了振荡(或时钟)频率随时间变化的程度。稳定的振荡器是指所有振荡在时间上间隔相等的振荡器。然而,稳定性并没有说明时钟的实际振荡频率,它只是描述了它的恒定程度。从历史上看,稳定性是通过使用从钟摆到氢原子钟、研究级石英振荡器到较新的低温蓝宝石振荡器以及现在的激光器的设备来实现的。可重复性描述了一组相同类型的频率标准之间的平均频率差。请注意,要达到特定的可重复性水平,稳定性需要超过该值,但反之则不然。氢原子钟就是一个很好的例子。这些设备产生的频率非常稳定(几千秒内可达 1 Ql5 分之一),但两台相同设计的设备的频率差异可能超过 1.Qll 分之一 [1.]。这是由于氢原子与它们所在的微波室之间的碰撞。标准的精度描述了其频率相对于秒的 SI 单位定义的测量精度,即 [2]:
纳米晶薄膜的光吸收可能会受到孔隙率和晶粒尺寸效应的影响。如果两者同时存在,则它们的效果很难分开。在这项研究中,这表明在多孔CEO 2部门对UV-VIS透射率和反射测量的组合提供了足够的数据以使这种分离。首席执行官2纤维是通过纳米化〜的沉积来制备的; 5 nm!从水胶体悬浮液到蓝宝石的颗粒,并将这些膜的颗粒呈现到烧结的温度上,以提供高度高的薄膜,提供典型厚度为0.6 m m的薄膜,具有较高的晶粒尺寸和孔隙率。X射线衍射,扫描电子显微镜,椭圆法和纤维计量法被用来表征膜的表征,并将观察到的晶粒尺寸和孔隙率与从光学测量中获得的孔径进行比较。所有使用的技术都给出了孔隙率和晶粒尺寸的结果,这些孔隙率和晶粒尺寸分别从15%到50%和5至65 nm。对于这些多孔纤维,发现吸收的变化通常由小晶体大小而导致的量子结构效应来解释,这主要归因于孔隙率的变化,而不是晶粒尺寸的变化。©2001美国物理研究所。@ doi:10.1063/1.1389329#
过去几年,量子计算已从一门学术学科转变为一个吸引业界和政府极大兴趣和投资的领域。超导量子比特电路的优势在于,它几乎完全采用硅基铝(或蓝宝石)技术制成,现已扩展到 100 个量子比特。该领域的这种凝聚力使技术得到了显著改进,现在可以制造可重复的大规模电路,尽管量子处理器的复杂性很高,但该社区仍能逐渐将量子比特相干时间延长到 100 微秒以上。近年来,一些用于辅助电路的新材料(如钽)已经出现,即使目前质量最好的量子比特约瑟夫森结仍然完全采用铝技术制造,也能产生具有更高相干性的量子比特。目前,缺乏可用于直接关联所用材料和由此产生的量子比特相干性的计量工具和方法,这意味着在理解是什么限制了超导量子比特的相干性方面存在巨大差距。为什么某些材料更好尚不清楚,因此需要新的测量技术来了解量子层面的材料特性,并需要更精确地比较量子比特的性能。
动力电感探测器(儿童)是超导能量分解检测器,对从近红外到紫外线的单个光子敏感。我们研究了由β-相触觉(β -TA)电感器和NB -TI -N互插电容器组成的杂种KID设计。设备显示的平均内在质量因子Q I为4.3×10 5±1.3×10 5。为了增加光敏感应器捕获的功率,我们在蓝宝石基板的背面打印了150×150 µm树脂微胶片的阵列。设计和印刷镜头之间的形状偏差小于1 µm,并且该过程的比对精度为δx = + 5.8±0.5 µm,δy = + 8.3±3.3 µm。我们测量1545–402 nm的解决功率,在孩子的相响应中限制为4.9。我们可以与光子事件产生的准粒子数量的演化对相响应中的饱和度进行建模。具有线性响应的替代坐标系将分辨能力提高到402 nm的5.9。,我们使用激光源和单色器通过两行测量来验证测得的分辨力。我们讨论了可以在具有高分辨率能力的儿童阵列的途径上对设备进行的一些改进。
圣戈班宣布,已进入独家谈判程序,将其晶体和探测器业务(高性能解决方案的一部分)出售给由 SK Capital Partners 和 Edgewater Capital Partners 牵头的财团,这两家美国私募股权公司在先进材料领域拥有专业知识,已提出具有约束力且不可撤销的报价,企业价值为 2.14 亿美元。交易需经过例行员工协商。交易需获得监管部门批准,预计将于 2022 年第四季度完成。晶体和探测器业务拥有约 400 名员工,经营 6 个生产基地(2 个在法国,3 个在美国,1 个在印度),2021 年的收入接近 7500 万欧元,调整后的 EBITDA 利润率约为 20%。它为医学成像、安全、核安全、石油和天然气勘探和环境监测提供辐射探测解决方案,并为医疗、工业、电子和航空航天应用提供蓝宝石产品。此次交易旨在将集团的高性能解决方案业务重点放在圣戈班凭借其领导地位和创新能力帮助客户加速实现碳中和和循环利用的市场。这是圣戈班持续业务结构优化战略的一部分,符合“增长与影响”计划的目标。
了解纳米级热传播的基本原理对于下一代电子产品至关重要。例如,已知层状材料的弱范德华键会限制其热边界导率 (TBC),从而成为散热瓶颈。本文提出了一种新的非破坏性方法,使用时间分辨的光致热应变 X 射线测量来探测纳米级晶体材料中的热传输。该技术通过测量光激发后 c 轴晶格间距的变化,直接监测晶体中随时间的温度变化以及随后跨埋层界面的弛豫。研究了五种不同的层状过渡金属二硫属化物 MoX 2 [X = S、Se 和 Te] 和 WX 2 [X = S 和 Se] 的薄膜以及石墨和 W 掺杂的 MoTe 2 合金。在室温下,在 c 平面蓝宝石衬底上发现 TBC 值在 10–30 MW m − 2 K − 1 范围内。结合分子动力学模拟,结果表明高热阻是界面范德华键合较弱和声子辐射度较低造成的。这项研究为更好地理解新兴 3D 异质集成技术中的热瓶颈问题奠定了基础。
硝酸钛(TIN)薄膜是通过在石英和蓝宝石底物上的反应性DC溅射来制备的。研究了沉积参数的结构,电和光学效应,例如厚度,底物温度,底物偏置电压。研究了45–180 nm厚的tinferm中的100–300 1 C范围内的底物温度变化和底物偏置电压变化的影响。在100-350 K范围内的温度依赖性电阻率和300-1500 nm范围内的光传递在样品中测量。此外,通过XRD和STM技术研究了结构和形态学特性。记录了在大约Vs¼1¼120V dc的最佳样品的最佳样品中记录的最低的表面和最低的电阻率。无偏的纤维显示出300 nm之间的狭窄光学传输窗口。但是,随着相同基板温度的偏置电压的增加,传输变得更大。此外,发现较低的底物温度在光学上产生了更多透明纤维。在最佳制备的锡膜上应用MGF 2的单层抗反射涂层有助于将可见区域的光传递增加到45 nm厚的样品中的40%以上。r 2003 Elsevier Science Ltd.保留所有权利。
自旋大厅和Rashba-Edelstein效应是由于自旋 - 轨道耦合而引起的旋转转换现象(SOC),随着快速管理和低消费的途径的途径越来越引起人们的兴趣,因此在旋转设备中迅速管理和处理大量数据的储存和处理。具有大SOC的材料,例如重金属(HMS),以进行大型旋转转换。最近,已经提出了将石墨烯(GR)与大型SOC层接近的使用,这是一种有效且可调的自旋传输通道。在这里,我们通过热自旋测量值探索了CO和HM之间的石墨烯单层及其界面自旋传输性能的作用。已经在蓝宝石晶体上生长的外观IR(111)/CO(111)结构上制备了GR/HM(PT和TA)堆栈,其中自旋检测器(即顶部HM)和自旋注射器(即CO,CO)都在受控条件和清洁和清洁和锋利的互动中生长出来。我们发现GR单层从底部CO层保留了注入HM的自旋电流。通过检测旋转seebeck和界面贡献之和的净减少,这是由于GR的存在而独立于所使用的HM的自旋霍尔角符号而观察到的。