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第 4 季度高峰参与度
第 4 季度事故高峰 在我们继续关注减少第 4 季度事故高峰的同时，第 102 期包括三篇与该任务相关的文章。首先，由首席准尉 4 Rocha 和评估与标准化局的 Silva 少校提交的一篇文章，介绍了如何正确使用应急响应方法并将其应用于机组；其次，一条简短的情景信息，介绍了机组人员的选择和风险缓解，旨在帮助经验不足的机长在遇到意外风险增加和潜在控制措施时；第三，简要回顾了任务简报流程和任务简报官的重要性。此外，事故回顾还着眼于与高操作节奏、低照度、机组协调和疲劳相关的因素。这些因素可能与第 4 季度的准备培训以及部署到培训中心和 OCONUS 有关。
数字流畅度 - 电子书
数字化和数字化转型、大数据和人工智能以及量子计算和区块链技术是当今媒体上最热门和被引用最多的流行语。每个人都听说过它们，但只有少数人理解它们。打个比方，他们似乎乘坐着一列即将出发的高铁。没有人知道从哪里出发，又要去哪里，但每个人都想立即上车，以免错失机会。因此，数字技术一直是政治、工业和社会中激烈猜测和争论的主题，这些猜测和争论是由夸大的希望和恐惧驱动的。乐观主义者强调数字技术的巨大未来前景，并设想新的非常实用的应用的到来，这些应用创造的就业机会甚至比数字化摧毁的还要多。另一方面，悲观主义者散布对数字技术的恐惧，担心超越人类智慧的智能且往往暴力的机器人会造成大规模失业，从而使数百万个工作岗位消失。
家庭可再生能源接受度
摘要：尽管由于政府旨在减少可再生能源普及障碍的政策，欧盟住宅部门的可再生能源采用率已大幅增加，但由于行为障碍和其他障碍，家庭部署可再生能源的全部潜力仍未实现。家庭采用可再生能源技术的最重要因素之一是实施可再生能源的决策；因此，在分析家庭可再生能源接受度时应考虑行为经济学的见解。本文通过分析政策和措施，对家庭可再生能源使用进行了系统的文献综述，这些政策和措施可以通过克服主要障碍来增加家庭可再生能源的使用。利用欧盟统计局的数据，对欧盟家庭可再生能源消费的动态进行了分析，并在立陶宛进行了实证案例研究，以了解家庭接受可再生能源的主要原因。尽管近年来欧盟成员国可再生能源的使用量大幅增加，但研究发现，传统政策无法克服以下最常见的障碍：（1）前期成本高、回报期长；（2）缺乏信息和知识；（3）对环境问题的重视程度低；（4）抵制改变；人类习惯。案例研究表明，大多数立陶宛家庭都希望在家中使用可再生能源技术，但他们遇到了财务困难和基础设施缺乏的问题。政策建议是根据研究结果制定的。
稀释液体的丰度
更高形式的对称性是对物质拓扑阶段进行分类的宝贵工具。然而，由于存在拓扑缺陷，相互作用多体系统中出现的高色对称性通常不准确。在本文中，我们开发了一个系统的框架，用于建立具有近似更高形式对称性的有效理论。我们专注于连续的u（1）q形式对称性和研究各种自发和显式对称性破坏的阶段。我们发现了此类阶段之间的双重性，并突出了它们在描述动态高素质拓扑缺陷的存在中的作用。为了研究物质这些阶段的平衡性动力学，我们制定了各自的流体动力学理论，并研究了激发的光谱，表现出具有更高形式的电荷松弛和金石松弛效应。我们表明，由于涡流或缺陷的增殖，我们的框架能够描述各种相变。这包括近晶晶体中的熔融跃迁，从极化气体到磁流失动力学的血浆相变，旋转冰跃迁，超流体向中性液体转变以及超导体中的Meissner效应。
柔性基板上薄硅片的倒装芯片组装
减薄硅芯片在柔性基板上的倒装芯片组装 Tan Zhang、Zhenwei Hou 和 R. Wayne Johnson 奥本大学 阿拉巴马州奥本 Alina Moussessian 和 Linda Del Castillo 喷气推进实验室 加利福尼亚州帕萨迪纳 Charles Banda 物理科学实验室 摘要 将减薄硅芯片（25-100 µ m）组装到柔性基板上为从智能卡到太空雷达等各种应用提供了超薄柔性电子产品的选择。对于高密度应用，可以通过堆叠和层压预组装和测试的柔性层然后处理垂直互连来制造 3-D 模块。本文介绍了将减薄芯片倒装芯片组装到聚酰亚胺和液晶聚合物 (LCP) 柔性基板上的工艺。已经开发出两种用于聚酰亚胺和 LCP 柔性基板的组装方法。在第一种方法中，将焊料凸块芯片回流焊接到图案化柔性基板上。需要使用夹具在回流期间保持柔性基板平整。回流之后是底部填充分配和固化。底部填充分配工艺对于避免底部填充流到薄硅片顶部至关重要，我们将在下文中讨论这一工艺。在第二种方法中，通孔通过聚酰亚胺或 LCP 蚀刻，露出接触垫的底面。将焊膏挤入通孔，回流并清洗，在通孔中形成焊料“凸块”。对浸焊产生的具有低轮廓焊料凸块的芯片进行焊剂处理、放置和回流。然后对芯片进行底部填充。这种方法可降低总组装厚度。简介为了满足单芯片和堆叠芯片封装中不断降低的轮廓要求，正在开发薄芯片的组装工艺。1-4 柔性基板（25-50 µ m）提供了一种进一步减小封装厚度的方法。减薄的 Si-on-flex 结构也有利于太空应用。减薄的 Si 虽然易碎，但也很灵活。减薄的 Si-on-flex 可以卷成管状进行发射，并在太空中展开，从而形成带有集成电子设备的大面积天线。组装减薄的 Si-on-flex 必须解决的问题包括：基板设计和制造、减薄后的凸块、芯片处理、回流期间的基板平整度和底部填充分配。这些将在以下章节中讨论。基板本工作中使用了两种柔性基板材料：聚酰亚胺和液晶聚合物 (LCP)。LCP 特性包括 100GHz 下的良好介电性能、低吸湿性和极低的透湿性。5-13 LCP 的热膨胀系数 (CTE) 可以在 LCP 薄膜的双轴挤出过程中控制。市售薄膜的 CTE 为 8 和 17ppm/o C。在本工作中使用 8ppm/o C LCP 薄膜。在用于倒装芯片组装的传统柔性基板设计中，铜芯片连接点的图案化位置与芯片组装位置在柔性薄膜的同一侧（图 1）。阻焊层用于定义可焊焊盘区域（顶面设计）。另一种方法是蚀刻聚酰亚胺或 LCP 通孔，露出铜焊盘的底面（背面设计）。通孔通过激光钻孔或反应离子蚀刻 (RIE) 制成。倒装芯片从铜图案的对面组装（图 2），从而无需阻焊层并减小了总厚度。这种方法的另一个优点（低轮廓凸块）将在后面介绍。顶面聚酰亚胺基板由约翰霍普金斯大学应用物理实验室制造，而激光钻孔背面 LCP 设计由 STS ATL 公司制造。背面 (RIE) LCP 和聚酰亚胺基板由奥本大学制造。只需一层金属即可布线菊花链芯片互连图案。
HF/H2O中硅片减薄的刻蚀特性...
R. Ariff a,b , CK Sheng a,* a 马来西亚登嘉楼大学科学与海洋环境学院，21030 Kuala Nerus，登嘉楼，马来西亚。b 马来西亚登嘉楼大学海洋工程技术与信息学学院，21030 Kuala Nerus，登嘉楼，马来西亚。使用酸性或氟化物溶液对硅表面进行湿法蚀刻具有技术和基础意义，这对于生产用于微电子封装所需厚度的可靠硅芯片至关重要。在这项工作中，我们研究了湿法蚀刻对浸入 48% HF/水溶液中的硅晶片的厚度耗散、重量损失、蚀刻速率、表面形貌和晶体性质的影响。蚀刻速率是通过蚀刻重量损失和深度随时间的变化确定的。结果表明，随着蚀刻时间的增加，硅的厚度减少和重量损失增加。在高分辨率光学显微镜下可以在蚀刻后的硅晶片表面观察到粗糙的表面。从 XRD 分析可以看出，蚀刻后硅的结晶峰强度变弱，这意味着硅衬底上形成的非晶结构表面的光散射减少。毕竟，这一发现可以作为生产可靠的硅薄晶片的参考，这对于更薄的微电子器件制造和纳米封装至关重要，从而减少环境污染和能源消耗，实现未来的可持续发展。（2021 年 3 月 27 日收到；2021 年 7 月 7 日接受）关键词：湿法蚀刻、Si、蚀刻速率、HF、H 2 O
薄列列聚合物网络的山脊能量
抽象将平滑等距沉浸式列表聚合物网络的薄板的弹性自由能最小化是主流理论所声称的策略。在本文中，我们拓宽了可允许的自发变形类别：我们考虑脊层浸入式浸入，这可能会导致浸入浸入的表面尖锐的山脊。我们提出了一个模型，以计算沿此类山脊分布的额外能量。这种能量来自弯曲；在什么情况下，它显示出与薄板的厚度四相缩放，落在拉伸和弯曲能量之间。，我们通过研究磁盘的自发变形，将径向刺猬的自发变形置于测试中。我们预测了外部试剂（例如热量和照明）在材料中诱导的材料诱导的顺序程度而发展的褶皱数量。
薄金属基材上的多层磁场发射器 div>
这项工作的目的是确定从材料接触中创建多层阴极的可能性，其在薄金属基板上的不同输出的不同输出，以及在微型流中，在电子流的交叉部分中形成密集的胶带和环的实际使用，但高电量设备。方法。gafnii层（𝑒3〜3。5 eV）和铂（𝑒3〜5。3 eV）分别使用相当简单且操作的Magnetron喷涂方法顺序将10 nm和2 nm依次应用于金属箔底物的侧面。阴极由箔制成，并用多层涂层在电子束的横截面中形成胶带和环。在三极管电子光学系统中产生了多层阴极发行特性及其形成的光束的实验测量，其中包括控制电极（阳极）和选举收集器的阴极以Pharanda圆柱体的形式进行。测量是在技术真空10-7的条件下进行的。。。10-8 Torr。 结果。 实验定义了由三极管电子光系统形成的电子流的横截面的特征和环在薄铝基板（9微米）和坦塔鲁斯（10微米）上形成的电子流的横截面。 测量了从阴极的电流对Cato室和控制电极之间电压（Volt-Ampere特性）之间的电压的依赖性，以及所形成的束的电子光系统中电流的变化。 结论。 。 。10-8 Torr。结果。实验定义了由三极管电子光系统形成的电子流的横截面的特征和环在薄铝基板（9微米）和坦塔鲁斯（10微米）上形成的电子流的横截面。测量了从阴极的电流对Cato室和控制电极之间电压（Volt-Ampere特性）之间的电压的依赖性，以及所形成的束的电子光系统中电流的变化。结论。。。在本文中，在电子流的薄金属基板上使用多层天主管在电子流的薄金属基板上进行了形成，并在高达300的田间发射场的横截面中，电流的横截面最大为几米，平均水平极大。400 A/cm 2。在选择技术真空中选择大型田间发射时，研究的阴极稳定运行的可能性。