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克朗林圣母儿童医院
1.0 简介 克朗林儿童健康医院是爱尔兰最大的教学医院。克朗林儿童健康医院致力于在法律和监管要求的背景下，为其照顾的婴儿和儿童提供安全优质的护理。1 克朗林儿童健康医院认识到药物安全管理的重要性，并通过纳入 NMBI 2015 年指南中规定的药物管理“10 项权利”，制定了流程和实践，以最大限度地降低儿童面临的风险。'这些药物管理标准是由 NMBI 制定、监督和执行的权威声明。这些标准描述了护士和助产士在所有护理环境中与药物打交道时应承担的责任和行为。'NMBI（2015 年）2 健康服务管理局于 2018 年 7 月发布了有关脑膜炎球菌感染免疫的最新指南。3 血红蛋白病等免疫功能低下的情况会增加侵袭性和/或复发性脑膜炎球菌病的风险。 HSE 建议这些患者需要接种脑膜炎球菌 B (Men B) 和脑膜炎球菌 ACWY (Men ACWY) 疫苗。本 SOP 支持对血红蛋白病诊所中所有无脾或低脾血症血红蛋白病患者进行脑膜炎球菌 B 和脑膜炎球菌 ACWY 疫苗接种和单独检查。2.0 标准操作程序的定义“标准操作程序”一词是执行特定行动过程的手段，包括手术、调查、药物治疗、检查和任何其他治疗。护理人员将在医疗团队检查之前为所需的血红蛋白病患者群体接种 Men B 和 Men ACWY 疫苗。3.0 适用于血红蛋白病科室门诊的护理人员。 4.0 标准操作程序的目标 OPD 血红蛋白病部门的护理人员将在医疗团队检查之前和澄清后作为单一检查者管理 Men B 和 Men ACWY 疫苗接种；患者适合从父母那里接种疫苗。 5.0 定义 / 术语 HSE - 卫生服务执行局 OPD - 门诊部 Men B - 脑膜炎球菌 B Men ACWY - 脑膜炎球菌 ACWY 1 卫生信息和质量管理局 (2012) 《更安全更好的医疗保健国家标准》，HIQA，爱尔兰科克 2 护士和助产士药品管理标准（草案） 3 HSE 免疫接种指南，第 13 章脑膜炎球菌感染。
约翰·比斯特林
斯坦福大学工程学院奖学金 2010-2011 斯坦福大学 William K. Bowes, Jr. 研究员 2008-2011 卡内基梅隆大学贝内特学术成就奖 2008 Tau Beta Pi 研究员 2008-2009 美国国家科学基金会研究奖学金荣誉奖 2009 卡内基梅隆大学 CIT 院长名单 2004-2008 卡内基梅隆大学本科教学研究员 2008 卡内基梅隆大学 Thomas H. Johnson 工程与公共政策研究员 2007 莫里斯 K. 尤达尔奖学金机构提名人 2007 英特尔第一年研究经验补助金 2005 约翰·纳吉 (John Nagy, Sr.) 纪念奖学金 2004 约翰·S. 莫里森奖学金 2004
埃米尔·卡比布林
· ET Khabiboulline、JS Sandhu、MU Gambetta、MD Lukin 和 J. Borregaard。具有信息理论安全性的高效量子投票，arXiv：2112.14242。 PRX Quantum 的修订版。 · T. Schuster、B. Kobrin、P. Gau、I. Cong、ET Khabiboulline、NM Linke、MD Lukin、C. Monroe、B. Yoshida 和 NY Yao。通过可穿越虫洞协议中的算子传播实现多体量子隐形传态。物理。 Rev. X，12:031013，2022 年 7 月。 · ET Khabiboulline、J. Borregaard、K. De Greve 和 MD Lukin。量子辅助望远镜阵列。物理。 Rev. A ，100:022316，2019 年 8 月。· ET Khabiboulline、J. Borregaard、K. De Greve 和 MD Lukin。量子网络光学干涉测量法。Phys. Rev. Lett. ，123:070504，2019 年 8 月。· S. Peng、R. Zhang、VH Chen、ET Khabiboulline、P. Braun 和 HA Atwater。具有中红外带隙的三维单螺旋光子晶体。ACS Photonics ，3(6):1131–1137，2016 年。· ET Khabiboulline、CL Steinhardt、JD Silverman、SL Ellison、JT Mendel 和 DR Patton。具有活动星系核的 SDSS 星系中电离条件随环境变化而变化，从成对到成团。《天体物理学杂志》，795(1):62，2014 年。· EJ DiMarco、E. Khabiboulline、DF Orris、MA Tartaglia 和 I. Terechkine。用于质子直线加速器前端高能部分的超导螺线管透镜。IEEE 应用超导学报，23(3):4100905，2013 年 6 月。
药物：舍曲林
副作用可能包括疲倦，呕吐，腹泻，食欲不振，不安，颤抖和喘气。几乎没有数据可以就与其他药物的相互作用进行建议，但是与以下药物相互作用是禁忌的：塞莱吉林，阿司匹林，地西epam，氯米帕明，阿米替林，cimetriptyline，cimetetidine，cisapride，cisapride，scisapride，sciplopride，metoclopramide and Metoclopramide and Amitraz。在用舍曲林治疗后至少不应在6周内使用这些药物。某些跳蚤和tick领与舍曲林相互作用。告诉您的兽医，您的宠物在过去两周内是否戴了跳蚤或tick虫。与兽医讨论宠物的其他药物和补品。
柔性基板上薄硅片的倒装芯片组装
减薄硅芯片在柔性基板上的倒装芯片组装 Tan Zhang、Zhenwei Hou 和 R. Wayne Johnson 奥本大学 阿拉巴马州奥本 Alina Moussessian 和 Linda Del Castillo 喷气推进实验室 加利福尼亚州帕萨迪纳 Charles Banda 物理科学实验室 摘要 将减薄硅芯片（25-100 µ m）组装到柔性基板上为从智能卡到太空雷达等各种应用提供了超薄柔性电子产品的选择。对于高密度应用，可以通过堆叠和层压预组装和测试的柔性层然后处理垂直互连来制造 3-D 模块。本文介绍了将减薄芯片倒装芯片组装到聚酰亚胺和液晶聚合物 (LCP) 柔性基板上的工艺。已经开发出两种用于聚酰亚胺和 LCP 柔性基板的组装方法。在第一种方法中，将焊料凸块芯片回流焊接到图案化柔性基板上。需要使用夹具在回流期间保持柔性基板平整。回流之后是底部填充分配和固化。底部填充分配工艺对于避免底部填充流到薄硅片顶部至关重要，我们将在下文中讨论这一工艺。在第二种方法中，通孔通过聚酰亚胺或 LCP 蚀刻，露出接触垫的底面。将焊膏挤入通孔，回流并清洗，在通孔中形成焊料“凸块”。对浸焊产生的具有低轮廓焊料凸块的芯片进行焊剂处理、放置和回流。然后对芯片进行底部填充。这种方法可降低总组装厚度。简介为了满足单芯片和堆叠芯片封装中不断降低的轮廓要求，正在开发薄芯片的组装工艺。1-4 柔性基板（25-50 µ m）提供了一种进一步减小封装厚度的方法。减薄的 Si-on-flex 结构也有利于太空应用。减薄的 Si 虽然易碎，但也很灵活。减薄的 Si-on-flex 可以卷成管状进行发射，并在太空中展开，从而形成带有集成电子设备的大面积天线。组装减薄的 Si-on-flex 必须解决的问题包括：基板设计和制造、减薄后的凸块、芯片处理、回流期间的基板平整度和底部填充分配。这些将在以下章节中讨论。基板本工作中使用了两种柔性基板材料：聚酰亚胺和液晶聚合物 (LCP)。LCP 特性包括 100GHz 下的良好介电性能、低吸湿性和极低的透湿性。5-13 LCP 的热膨胀系数 (CTE) 可以在 LCP 薄膜的双轴挤出过程中控制。市售薄膜的 CTE 为 8 和 17ppm/o C。在本工作中使用 8ppm/o C LCP 薄膜。在用于倒装芯片组装的传统柔性基板设计中，铜芯片连接点的图案化位置与芯片组装位置在柔性薄膜的同一侧（图 1）。阻焊层用于定义可焊焊盘区域（顶面设计）。另一种方法是蚀刻聚酰亚胺或 LCP 通孔，露出铜焊盘的底面（背面设计）。通孔通过激光钻孔或反应离子蚀刻 (RIE) 制成。倒装芯片从铜图案的对面组装（图 2），从而无需阻焊层并减小了总厚度。这种方法的另一个优点（低轮廓凸块）将在后面介绍。顶面聚酰亚胺基板由约翰霍普金斯大学应用物理实验室制造，而激光钻孔背面 LCP 设计由 STS ATL 公司制造。背面 (RIE) LCP 和聚酰亚胺基板由奥本大学制造。只需一层金属即可布线菊花链芯片互连图案。
HF/H2O中硅片减薄的刻蚀特性...
R. Ariff a,b , CK Sheng a,* a 马来西亚登嘉楼大学科学与海洋环境学院，21030 Kuala Nerus，登嘉楼，马来西亚。b 马来西亚登嘉楼大学海洋工程技术与信息学学院，21030 Kuala Nerus，登嘉楼，马来西亚。使用酸性或氟化物溶液对硅表面进行湿法蚀刻具有技术和基础意义，这对于生产用于微电子封装所需厚度的可靠硅芯片至关重要。在这项工作中，我们研究了湿法蚀刻对浸入 48% HF/水溶液中的硅晶片的厚度耗散、重量损失、蚀刻速率、表面形貌和晶体性质的影响。蚀刻速率是通过蚀刻重量损失和深度随时间的变化确定的。结果表明，随着蚀刻时间的增加，硅的厚度减少和重量损失增加。在高分辨率光学显微镜下可以在蚀刻后的硅晶片表面观察到粗糙的表面。从 XRD 分析可以看出，蚀刻后硅的结晶峰强度变弱，这意味着硅衬底上形成的非晶结构表面的光散射减少。毕竟，这一发现可以作为生产可靠的硅薄晶片的参考，这对于更薄的微电子器件制造和纳米封装至关重要，从而减少环境污染和能源消耗，实现未来的可持续发展。（2021 年 3 月 27 日收到；2021 年 7 月 7 日接受）关键词：湿法蚀刻、Si、蚀刻速率、HF、H 2 O