仅使用镀铬钢或无镀层钢工具执行本手册中描述的拆卸或重新组装程序。不允许使用镀镉或镀锌工具,因为这些镀层容易碎裂和剥落。如果这些碎片或薄片嵌入飞机部件中,将导致电化学腐蚀。如果这些碎片或薄片进入燃料润湿或油润湿部件,它们最终可能会堵塞过滤器或在高温下产生镍或钛基合金的晶间腐蚀。无论镀层类型如何,所有工具都应可维修且无碎裂。
在电磁干扰屏蔽、天线和电化学能存储与转换电极等应用中,MXene 薄膜需要具有高电导率。由于采用基于酸蚀的合成方法,因此很难分解化学成分和薄片尺寸等因素对电阻率的相对重要性。为了了解内在和外在因素对宏观电子传输特性的贡献,对 Ti y Nb 2- y CT x 系统中的固溶体进行了控制成分和结构参数的系统研究。特别是,我们研究了金属(M)位成分、薄片尺寸和 d 间距对宏观传输的不同作用。硬 x 射线光电子能谱和光谱椭圆偏振法揭示了 M 位合金化引起的电子结构变化。与光谱结果一致,低温和室温电导率以及有效载流子迁移率与 Ti 含量相关,而薄片尺寸和 d 间距的影响在低温传输中最为突出。该结果为设计和制造具有广泛电导率的 MXene 提供了指导。
Liu,J.,Notarianni,M.,Will,G.,Tiong,V.T.,Wang,H。,&Motta,N。(2013)。 用于电极膜的电化学去角质石墨烯:石墨烯薄片厚度对板电阻和电容性能的影响。 Langmuir,29(43),13307–13314。 https://doi.org/10.1021/la403159nLiu,J.,Notarianni,M.,Will,G.,Tiong,V.T.,Wang,H。,&Motta,N。(2013)。用于电极膜的电化学去角质石墨烯:石墨烯薄片厚度对板电阻和电容性能的影响。Langmuir,29(43),13307–13314。https://doi.org/10.1021/la403159n
使用粘合带的机械去角质进行了在六角硼(HBN)的天然晶体上进行的(图S1面板A和C),石墨烯(图s1 b)和石墨(图s1 d)在氧化硅晶片(290nm)上。h-bn薄片被用作顶部(图s1 a)和底部(图s1 c)介电层以及15 nm石墨片。通过手写笔轮廓仪中的测量确认了厚度。在异质结构的堆叠过程中,制造了聚碳酸酯(PC)膜并沉积在聚二甲基硅氧烷(PDMS)上。使用不同层的自然边缘对准两种材料的晶体方向,将顶部HBN薄片捡起50-60°,并在190°的石墨烯单层上沉积。之后,清洁HBN/石墨烯异质结构,通过在氯仿中冲洗几分钟来去除聚碳酸酯膜。使用相同的技术将HBN底部薄片沉积到石墨后门上。最后,堆叠的HBN顶部和石墨烯片以类似的方式捡起,并沉积在HBN底部和石墨堆上,并与天然边缘对齐。
摘要:二维(2D)磁体作为2D材料家族的重要成员,已成为自旋电子器件的一个有前途的平台。在此,我们报道了在惰性云母基底上化学气相沉积(CVD)生长高度结晶的亚毫米级自插金属2D铁磁(FM)三角碲化铬(Cr 5 Te 8)薄片。通过磁光和磁输运测量,我们揭示了这些2D薄片的特殊磁性能。三角Cr 5 Te 8薄片表现出强的各向异性FM序,居里温度高于220K。值得注意的是,在居里温度附近超薄Cr 5 Te 8薄片的MOKE信号中观察到一种新兴的反铁磁(AFM)状态。AFM状态具有相对较弱的层间交换耦合,允许通过调节温度在层间AFM和FM状态之间切换。同时,三角 Cr 5 Te 8 薄片表现出巨大的反常霍尔效应 (AHE),其反常霍尔电导率为 710 Ω − 1 cm − 1,零磁场下的反常霍尔角为 3.5%,超过了典型的流动铁磁体。进一步分析表明,三角 Cr 5 Te 8 中的 AHE 主要由斜散射机制驱动,而不是本征或外在的侧跳机制。这些发现证明了 CVD 生长的超薄 Cr 5 Te 8 薄片作为一种有前途的二维磁性材料的潜力,它具有出色的 AHE 特性,可用于未来的自旋电子应用。关键词:二维磁体、化学气相沉积、共存铁磁−反铁磁态、巨反常霍尔效应、碲化铬
摘要:2D材料在许多领域都显示出令人兴奋的特性,但是应用程序的开发受到低收益,高处理时间和当前去角质方法质量受损的障碍。在这项工作中,我们使用了MOS 2的出色MW吸收特性来诱导快速加热,从而产生吸附的,低沸点溶剂的近乎稳定性蒸发。突然的蒸发产生了内部压力,可以以高效率分离MOS 2层,并且通过分散溶剂的作用将其保持分离。我们的快速方法(90 s)给出了高度的高产(47%,在0.2 mg/ml时为47%,在1 mg/ml时为35%)高度脱落的材料(4层以下90%),大面积(高达几μm2)和优质的质量(未检测到显着的MOO 3)。关键字:钼二硫化物,过渡金属二盐元素(TMDC),微波驱动的去角质,大面积超薄片,高横向尺寸,高产量t