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微电子等离子蚀刻的未来：挑战与机遇
注：本文是专题集的一部分：CHIPS：半导体处理和设备的未来。 a) 电子邮件：oehrlein@umd.edu b) 电子邮件：stephan.brandstadter@arkema.com c) 电子邮件：rlbruce@us.ibm.com d) 电子邮件：jpchang@ucla.edu e) 电子邮件：jessica.demott@arkema.com f) 电子邮件：vmdonnel@Central.UH.EDU g) 电子邮件：remi.dussart@univ-orleans.fr h) 电子邮件：andreas.fischer@claryconresearch.com i) 电子邮件：Richard.Gottscho@lamresearch.com j) 电子邮件：hamaguch@ppl.eng.osaka-u.ac.jp k) 电子邮件：masanobu.honda@tel.com l) 电子邮件：hori@nuee.nagoya-u.ac.jp m) 电子邮件：ishikawa@plasma.engg.nagoya-u.ac.jp n)电子邮件：steven.g.jaloviar@intel.com o) 电子邮件：Keren.Kanarik@lamresearch.com p) 电子邮件：karahashi@ppl.eng.osaka-u.ac.jp q) 电子邮件：akiteru.ko@us.tel.com r) 电子邮件：hiten.kothari@intel.com s) 电子邮件：nobuyuki.kuboi@sony.com t) 电子邮件：mjkush@umich.edu u) 电子邮件：thlill@icloud.com v) 电子邮件：pingshan.luan@us.tel.com w) 电子邮件：mesbah@berkeley.edu x) 电子邮件：ermiller@us.ibm.com y) 电子邮件：shoubhanik_nath@berkeley.edu z) 电子邮件：yoshinobu.ohya@tel.com aa) 电子邮件： mitsuhiro.omura@kioxia.com bb) 电子邮件：ch1224.park@samsung.com cc) 电子邮件：John_Poulose@amat.com dd) 电子邮件：shahid_rauf@amat.com ee) 电子邮件：sekine@plasma.engg.nagoya-u.ac.jp
化学蚀刻 - 硅质辅助by-craphene-Oxide-
https://doi.org/10.26434/chemrxiv-2024-b3m60 orcid：https：//orcid.org/0009-0005-4780-8060 Chemrxiv不同行评论的内容。许可证：CC BY-NC 4.0
单组分等离子体在光电探测器阵列周期性结构的 ICP-RIE 蚀刻工艺中的应用
红外 (IR) 探测技术的发展主要依赖于 InAs/GaSb SL 外延 [1] 和生长后处理 [2] 的改进。为了实现最佳性能，必须优化器件架构 [3] 以及台面结构，使其侧壁垂直且光滑，以防止像素间距较小的焦平面阵列 (FPA) 中的串扰，其中周长与表面积的纵横比很高 [2, 4]。表面台面的粗糙度、反应产物的存在以及电活性缺陷的表面密度（包括断裂的化学键）都会影响表面漏电流的大小 [5]。台面型结构可以通过湿法或干法蚀刻来创建。先前的研究表明，无机和有机酸性蚀刻剂都适用于 InAs/GaSb 超晶格 (SL) 的湿法蚀刻 [5, 6]。湿法蚀刻有许多优点，例如断裂的化学键数量少、自由载流子密度降低，因此漏电流低 [6, 7]。然而，也会产生不良反应产物并残留在侧壁表面上，导致漏电流的显著增加。湿法蚀刻也是各向异性的，导致台面侧壁几何形状不理想 [8]。另一方面，InAs 和 GaSb 材料的干法蚀刻经常使用气态氯与惰性气体（如氩气）的组合 [9, 10]。气态氯因其高挥发性和高蚀刻速率而受到青睐，而氩离子通过轰击蚀刻表面简化了反应产物的解吸。BCl 3 蚀刻具有较低的蚀刻速率，但使用它会产生更光滑的台面侧壁 [11]。BCl 3 /Ar 等离子体的使用已被证明在分立探测器中是有效的。尽管如此，当用于台面时，它表现出次优性能
底切蚀刻 - 康奈尔纳米级设施
本文报告了基于氮化铝（ALSCN）的设计，制造和实验验证，基于下一代内在计算机中的多重元素（MAC）操作。女性乘数利用ALSCN中的铁电偏振开关改变了压电系数（D 31），促进了神经网络中的权重的非挥发性，模拟记忆存储。然后，使用膜的压电参数来更改电容差距进行读数。在100V V P（5MV/cm）的电压下，铁电薄膜可以部分极化，并达到216 µC/cm 2的峰值残余极化。对光学测量位移的实验结果证实了ALSCN Unimorph乘数的操作。最大共振模式位移线性取决于极化和输入电压。这项工作为在内存计算中利用ALSCN的利用提供了基本见解，开放了用于高速，低功率和高精度计算应用程序的新途径。
对(𝟐̅𝟎𝟏)中蚀刻坑参数的分析......
摘要。将选择性湿法蚀刻技术应用于商用（2 ̅ 01）β-Ga 2 O 3 单晶衬底。一些蚀刻配方使我们能够在衬底表面上显示出尖锐的蚀刻坑。在交付的样品中研究了蚀刻坑的几何形状、方向和密度。对蚀刻坑相互位置的观察表明，加热后可能形成小角度晶界。将选择性湿法蚀刻技术应用于商用（2 ̅ 01）β-Ga 2 O 3 单晶衬底。一些蚀刻配方使我们能够在衬底表面上显示出尖锐的蚀刻坑。在交付的样品中研究了蚀刻坑的几何形状、方向和密度。对蚀刻坑相互位置的观察表明，加热后可能形成小角度晶界。关键词：选择性湿法蚀刻，β-Ga 2 O 3，氧化镓，半导体，晶体衬底，小角度晶界
致谢：半导体 PFAS 联盟谨感谢半导体 PFAS 联盟等离子蚀刻和去
作为行业专家，我们将必要用途定义为“半导体制造中极为重要的用途所必需的，但尚未找到替代品”。我们打算以此定义为视角，扩大对 PFAS 在我们行业中的使用情况的分析，而不仅仅是泛泛的总结。当然，一篇出版物无法涵盖半导体制造中每种 PFAS 用途的详细技术讨论。因此，在本白皮书中，我们将重点介绍三个工艺：等离子（干法）蚀刻、薄膜沉积和确保某些制造步骤稳定性所必需的腔室清洁工艺。对于那些对其他方面感兴趣的人，Ober 等人讨论了含 PFAS 材料在光刻中的使用（Ober、Kafer 和 Deng 2022），半导体 PFAS 联盟正在发布单独的白皮书，重点介绍湿化学和封装。
参考文献：Van de Sompel Phaedra、Khalilov Umedjon、Neyts Erik。- 对比碳纳米管等离子体辅助成核中的 H 蚀刻和 OH 蚀刻
参考文献：Van de Sompel Phaedra、Khalilov Umedjon、Neyts Erik。- 对比等离子体辅助碳纳米管成核中的 H 蚀刻和 OH 蚀刻 物理化学杂志：C：纳米材料和界面 - ISSN 1932-7447 - 125:14(2021)，第 7849-7855 页 全文（出版商 DOI）：https://doi.org/10.1021/ACS.JPCC.0C11166 引用此参考：https://hdl.handle.net/10067/1783930151162165141
反应性离子和原子层蚀刻的损伤分析...
在当前的MSC论文中，使用具有Cl 2 /ar +过程的常规RIE和具有相同蚀刻化学的新开发的啤酒对Si（100）中的辐射损伤进行了比较研究。然后通过开尔文力探针显微镜（KFPM）测量接触电势差（CPD）分析的表面损伤。这些实验的结果表明，由于CPD的值和蚀刻表面的工作函数远低于ALE样品的值，因此RIE过程造成的损害很高。根据接近原始Si的CPD值，啤酒过程显示在蚀刻的Si样品上几乎最小损伤形成（100）。最后，该项目为与本研究所使用的不同条件下进一步研究啤酒损害打开了大门，因为它对纳米制作和半导体行业的重要性。
掺杂选择性蚀刻 - 脱毛 - 薄薄的...
摘要 - 背面照明（BSI）3D堆叠的CMOS图像传感器对于包括光检测和范围（LIDAR）在内的各种应用中引起了重大兴趣。这些设备的3D集成中的重要挑战之一涉及单个光子雪崩二极管（SPAD）晶圆的良好控制的背面稀疏，后者堆叠着CMOS WAFERS。背面晶圆稀疏通常是通过硅的回培养和掺杂敏感的湿化学蚀刻的组合来完成的。在这项研究中，我们开发了一种基于量身定制的HF：HNO 3：CH 3 COOH（HNA）化学的湿蚀刻过程，能够在P+/P硅过渡层中实现蚀刻层，具有高掺杂级别的选择性（> 90：1）。在300毫米晶片中证明了〜300 nm的极佳总厚度变化的可行性。此外，还表征了包括染色和表面粗糙度在内的HNA蚀刻硅表面的众所周知的特性。最后，提出了一种湿的化学尖端方法来减少表面粗糙度。