氮化铝 (AlN) 具有宽带隙 (6.2 eV)、高介电常数 (k B 9)、高电阻率 (r B 10 11 –10 13 O cm) 和高热导率 (2.85 W K 1 cm 1 )1 等特性,是微电子和光电子领域的重要材料。由于 AlN 具有压电特性,因此也可用于微机电系统 (MEMS 设备)。2 非晶态 AlN 有多种用途,例如用作钝化层和介电层。3 AlN 薄膜通常通过反应溅射、4 化学气相沉积 (CVD)、5 反应分子束外延 (MBE) 6 和原子层沉积 (ALD) 沉积。AlN 的 ALD 在需要坚固保护层的应用方面引起了广泛关注,例如开发耐腐蚀、绝缘和保护涂层。7
表1:在所有调查的CQD中,计算的CBM和VBM电荷密度(%)作为在球体内部的正方形的积分(与NC的同心)中的正方形的积分,半径为50%至90%的NC Radius R范围为NC Radius R R(无论是Cation-还是Anion-rich-Rich)。为例,在半径为14°A的INP NC中(富含磅的表面)42%的CBM,并且只有7.9%的VBM位于半径为8.4°A的球体中(即60%R)。因此,我们得出的结论是,该点中的大多数VBM电荷密度都包含在其外部,即在内半径= 8.4°A和外半径= r的球形壳中。