由于金属箔表面粗糙而导致的导体损耗对为 10+ Gbps 网络设计的背板走线上的高速信号传播有显著影响。本文提出了一种评估这些影响(包括信号衰减和传播相速度)的实用方法。假设周期性结构来模拟粗糙度轮廓的形态。从光栅表面波传播常数中提取等效表面阻抗来模拟粗糙度。因此,可以在传统的衰减常数公式中使用这种修改后的表面阻抗来计算实际导体损耗。使用全波仿真工具和测量验证了该方法,并表明能够在 0.2 dB/m 相对误差内提供可靠的结果。
Figure 7. Morphologies and surface roughness values of (a) the initial surface and the polished surface under conditions of (b) without UV-light, (c) TiO 2 film electrode with UV-light, (d) TiO 2 film electrode with UV-light and anodic bias, (e) CeO 2 -TiO 2 composite-film electrode with UV-light and (f) CeO 2 -TiO 2 composite-film elec- trode with UV-light and anodic bias [31] 图 7. (a) 初始表面; (b) 无紫外光条件下抛光表面; (c) 有紫外光并使用用 TiO 2 薄膜电极抛光下表 面; (d) 在有紫外光和阳极偏压的 TiO 2 薄膜电极下抛光表面; (e) 有紫外光并使用 CeO 2 -TiO 2 复合 膜电极下抛光表面; (f) 有紫外光和阳极偏压的 CeO 2 -TiO 2 复合膜电极抛光表面的形貌和表面粗糙 度值 [31]
砂型铸造是制造金属部件的传统铸造方法之一。砂型铸造部件的生产方法是用砂混合物形成模具,然后将熔融的液态金属倒入模具的型腔中。首先将形状与所需铸件非常相似的模型放在沙子中以制作印记。加入浇注系统,并将熔融金属填充到所得型腔中。熔体冷却凝固后,即可通过破坏砂型获得铸件。由于砂型铸造的造型材料是沙子,因此表面粗糙且尺寸精度低是预期结果,因此通常需要进行后期加工。砂型铸造的典型应用是机床底座、发动机缸体和气缸盖。
讨论了在空间各个区域遇到的环境对几种工程材料的定量效应。在空间真空中,镁的升华在升高的温度下;锌和镉在普通温度下。大多数其他工程师将不受真空影响,除了略微的表面粗糙。在有机物,多硫化物,纤维素,丙烯酸酯,聚氯乙烯,新prene以及一些尼龙,多酯,环氧脂蛋白,聚氨酸酯和醇酸酯中,在真空中的温度相当低的温度下分解。聚乙烯,聚丙烯,大多数氟化合物和硅树脂在250'C以下的真空中不会显着分解。除了增塑材料外,没有明显的升华或分解,在真空中的工程临时损失显着损失。同样,在1个大气处的气密墙的墙壁逃脱也不会引起人们的关注。
2028 锡拉库萨。狄奥尼修斯一世时期,公元前 405-367 年。十德拉克马(未签名,归于 Euainetos),约公元前 400-390 年。快速四轮马车左侧由女性车夫驾驶,车夫身体前倾,右手握着肯特隆,左手握着缰绳,右侧是飞翔的耐克女神,为她加冕,下方是厚重的护身符和全副武装。Rv。阿瑞图萨的头部戴着大麦花环,周围有四只海豚,后面有扇贝壳(向上)。40.08 克。Gallatin F.VIIa/R.XIV。表面粗糙,周围有腐蚀和点蚀。轻微工具痕迹。中灰色。非常精细,带有可爱的 Arethusa 头部。难得的机会,可以买到这款历史经典作品的精美且相对实惠的典范。(5,000-7,500)
为了表征有机sem iConductor中的内在电荷传输过程,必须最小化外部效应(例如接触电阻,非理想的污染物和外部污染物)的外在效应的影响。[1–3]半导体介电界面对于电荷传输至关重要,因为陷阱和表面粗糙可以阻止有效的电荷转移。[4,5]虽然表面粗糙度易于表征,例如,使用原子力显微镜(AFM)及其来源很容易识别,但[6]对于电活动陷阱而言,这是高度无琐的。此类陷阱通常与有机场效应晶体管(OFET)中使用的介电的影响有关,因为介电常数和其他内在特性会影响电荷转运。[4,5,7-10]为了减少半导体 - 二元界面处的捕获(例如,水和其他固有或外在陷阱),典型的是,表面是由于使用自组装单层(SAMS)而被钝化的。[11]最近还用本质上惰性的六角硼(H-BN)用作介电,其目标是实现无陷阱界面。[12–14]
成本降低是近期从占主导地位的金线键合向铜线键合转变的主要驱动力。封装成本的其他降低来自基板和引线框架的新发展,例如,QFP 和 QFN 的预镀框架 (PPF) 和 uPPF 降低了电镀和材料成本。但是,由于表面粗糙和镀层厚度薄,某些新型引线框架上的二次键合(针脚键合)可能更具挑战性。最近引入了钯涂层铜 (PCC) 线来改进裸铜线的引线键合工艺,主要是为了提高可靠性和增强针脚键合工艺。需要进行更多的基础研究来了解键合参数和键合工具对改善针脚键合性的影响。本研究调查了直径为 0.7 mil 的 PCC 线在镀金/镍/钯的四方扁平无引线 (QFN) PPF 基板上的针脚键合工艺。使用两种具有相同几何形状但不同表面光洁度的毛细管来研究毛细管表面光洁度对针脚式键合工艺的影响。这两种毛细管类型分别为常用于金线键合的抛光表面光洁度类型和表面光洁度更粗糙的颗粒光洁度毛细管。比较了无引线粘贴 (NSOL) 和短尾之间的工艺窗口。研究了键合力和表层剪切波幅度等工艺参数的影响。工艺窗口测试结果表明,颗粒毛细管具有较大的工艺窗口,出现短尾的可能性较低。结果表明,较高的剪切波幅度可增加成功填充针脚式键合的机会。为了进一步比较毛细管表面光洁度,测试了 3 组具有不同键合力和剪切波幅度的参数设置。对于所有三组测试的毛细管,粒状毛细管的粘合强度质量更好。与抛光型相比,粒状毛细管的针脚拉力强度更高。开发了该过程的有限元模型 (FEM),以更好地理解实验观察结果。从模型中提取了导线和基底界面处导线的表面膨胀量(塑性变形),并将其归因于粘合程度。该模型用于证实不同表面光洁度下粘合的实验观察结果。
新颖的聚酰亚胺堆积材料,用于高线制造高什岛,田中Shigeru tanaka,汉字木木木马斯拉·尼西纳卡(Masaru Nishinaka)和日本摘要的Mutsuaki Murakami Kaneka Corporation,我们摘要我们已经开发了一种新的热量型材料,以高效率堆积的pwbs高speed speed i/o o i/o o i sep speeed i/o o o i/sep speed i/o o i/o o o i/o。这些PWB满足以下要求;精细电路,低介电特性和出色的机械性能的良好加工性。我们提出的聚酰亚胺堆积材料显示出3.1的介电常数(DK),介电损耗(DF)为0.01(在1GHz时)。此外,机械性能以下材料显示;低温膨胀系数(CTE)为45ppm,拉伸强度为100MPa。尽管材料的表面粗糙度低于200米,但我们还是成功地沉积了具有非常高的果皮强度的无电镀层铜层。这意味着即使使用常规的半添加过程,该材料也适用于制造精细的电路。实际上,我们可以制作一个小于10micron l/s(线路和空间)的精细电路。近年来,需要电子设备具有许多功能和高处理速度。为了满足这些要求,像高性能CPU这样的IC芯片已经演变为具有高时钟频率和高I/O数字。要将CPU安装到基板上,通常采用翻转芯片附件方法以表现出CPU的最大性能,因此基板必须具有高接线密度。堆积的PWB,其电路是由半粘液方法形成的,这些底物已使用。下一代CPU的下一代堆积PWB,预计将具有较高的I/O数字,必须具有小于20微米L/s(线路和空间)的精细电路。对于制造精细的电路,对于构建材料而言,形成细缝电路的构建材料很重要,可以尽可能地具有少量的表面粗糙度,并且能够在不剥落的情况下粘附电路。环氧树脂主要用于堆积材料。处理环氧类型的堆积材料,以使材料的表面粗糙,并通过锚固效果牢固地粘附电路。为了制造小于20微米L/s的下一代细缝电路,需要一种新的堆积材料,其表面粗糙度比现有材料的表面粗糙度较小,并且对电路的良好粘合度。此外,新的积累材料必须具有低CTE(热膨胀系数)和低介电性能,这将改善堆积PWBS的电气可靠性或电气性能。为了开发下一代堆积材料,我们开始开发一种新的聚酰亚胺积聚材料,该材料基于用于电绝缘材料的聚酰亚胺树脂的特性,该材料期望具有出色的性质。由于这项研究,我们开发了一种新型的热固性聚酰亚胺积聚材料,该材料符合上述要求。在这项调查中,副本在本文中,评估了材料上无电镀层铜层的吉赫兹(GHz)周围的热性能,介电特性,通过可加工性能通过可加工性能通过激光进行细插电路的加工性。首先设计了新堆积材料的目标特性,设计了新堆积材料的目标特性。- - 一个小于50 ppm--的热膨胀系数(CTE)的介电损耗(DF)小于0.010,在1GHz- -a机械强度上,在100MPA-抗性的机械强度上,没有卤化的化合物 - 乘积构建的精细材料构建均超过20个微观的构建,构建均超过20个微观的过程,该过程的构建均超过20个,构建的启动构建的开发型构建均超过20个,构建的开发型构建均超过20次,构建了启用的新构建。堆积材料的表面以通过半添加过程制造精细的电路,堆积材料需要具有少量表面粗糙度的表面,并且具有较高的果皮强度,并具有无电镀层铜层。