5.1 裕度。裕度应根据系统操作性能要求、系统硬件的公差以及系统级设计要求验证所涉及的不确定性来提供。安全关键和任务关键系统功能应具有至少 6 dB 的裕度。军械应具有至少 16.5 dB 的最大无射击刺激 (MNFS) 裕度,以确保安全,并具有 6 dB 的最大无射击刺激 (MNFS) 裕度,用于其他应用。合规性应通过测试、分析或两者结合来验证。在裕度测试期间安装在系统组件中的仪器应捕获最大系统响应,并且不得对组件的正常响应特性产生不利影响。当使用低于指定水平的环境模拟时,对于具有线性响应的组件(例如热桥线 EID),可以将仪器响应外推到完整环境。当响应低于仪器灵敏度时,应使用仪器灵敏度作为外推的基础。对于具有非线性响应的组件(例如半导体桥 EID),不允许外推。
预期结果 • 全年电池的可用裕度(MWh)(直方图) • 25 分钟能量需求的可用裕度(MWh)限制 • 可用裕度(MWh)在这些限制之内 • 显示设计的充电/放电带,以实现全年 100% 的所需能量可用性,以满足 25 分钟的能量需求
类别 M。EFB 供应商或其他来源可以为 EFB 用户/操作员进行此测试。RTCA/DO-160 EMI 测试结果的评估可用于确定 EFB 发出的 EMI 与飞机设备的干扰敏感度阈值之间是否存在足够的裕度。如果此步骤确定所有干扰都存在足够的裕度,则测试完成。但是,如果此步骤确定干扰裕度不足,则必须进行第 2 步测试。
由于 CMOS 的缩放,这些设备的局限性引发了对替代纳米设备的需求。提出了各种设备,如 FinFET、TFET、CNTFET。其中,FinFET 成为最有前途的设备之一,由于其在纳米范围内的低泄漏,它可以替代 CMOS。如今,电子设备在电池消耗方面更加紧凑和高效。由于 CMOS 的缩放限制,CMOS SRAM 已被 FinFET SRAM 取代。已经有两个 FinFET SRAM 单元,它们具有高功率效率和高稳定性。已经对这些单元进行了性能比较,以分析泄漏功率和静态噪声容限。这些单元的模拟是在 20 nm FinFET 技术下进行的。经分析,改进的 9T SRAM 单元的写入裕度实现了 1.49 倍的改进。读取裕度也显示出比本文中比较的现有单元有显著的改善。对于所提出的 0.4 V SRAM 单元,发现保持裕度更好。栅极长度已经改变,以发现栅极长度对读取裕度的影响。
图 1 所示的备用裕度指标对比了艾伯塔省的发电供需情况。它计算的是系统峰值时超过系统年峰值需求的稳定发电容量,以系统峰值的百分比表示。有关备用裕度内的年峰值需求信息,可在艾伯塔省电力系统运营商的预测网页上找到。稳定发电量定义为已安装和未来的发电容量,已根据季节性水电容量和围栏后需求和发电量进行调整,但不包括风能和太阳能容量。图中给出了三个预测备用裕度,每个都有不同的未来供应增量。供应增量与新一代项目和退役指标中的发电项目阶段相对应。由于在系统峰值需求时可能并不总是能够提供完整的进口能力,因此该指标以一个备用裕度中包含和不包含联网容量的形式绘制。
检查了保护的方向性、跳闸安全性和超限性。所有测试都是在电流互感器铁芯中有和没有剩磁通量的情况下进行的。很难对剩磁通量的额外裕度给出一般性建议。这取决于可靠性和经济性的要求。使用 TPY 型电流互感器时,由于有抗剩磁气隙,实际上不需要额外的裕度。对于 TPX 型电流互感器,在决定额外裕度时,必须牢记完全不对称故障的概率很小,并且最大剩磁通量的方向与故障产生的磁通量相同。当故障发生在零电压 (0°) 时,将实现完全不对称故障电流。调查证明,电网中95%的故障发生在电压在40°~90°之间。
预防痴呆症和中风对于维持大脑健康至关重要。该测试使用人工智能来测量和计算可能导致认知能力下降的脑萎缩的程度,以及与中风和认知能力下降有关的脑白质病变(大脑中出现的白点)。脑萎缩和脑白质病变可能随着年龄增长出现在任何人身上,但如果它们按照年龄以不适当的方式发展,则会增加罹患痴呆和中风等脑部疾病的风险。改善生活方式和控制与生活方式相关的疾病有助于降低这些脑部疾病的风险。我们推出这项测试是为了帮助人们了解当前的大脑健康状况,并以此为契机改善生活方式和管理生活方式相关疾病,从而预防未来的认知能力下降和中风。
经确认,IACS 油轮 CSR 中的焊缝尺寸基于所连接部件的总要求厚度。如果要求的总厚度发生变化,则相关焊喉厚度将相应增加和/或减少。但是,应注意,最小焊缝尺寸也适用,因此如果设计要求的总厚度减小(例如通过减小加强筋间距),如果焊缝尺寸受最小要求控制,则焊缝可能并不总是减小。关于焊缝中的腐蚀裕度,在服役检查期间通常不会测量焊缝本身,因此不为焊缝提供离散腐蚀裕度。油轮 CSR 中要求的焊缝尺寸是根据船级社现有的与总尺寸相关的规则焊接要求制定的,还包括增加油箱顶部附近的腐蚀区域,经验表明,相邻的镀层由于腐蚀需要增加裕度。