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World File Search System触发器
AEMO 非共同优化基本系统服务触发器...
根据政府的能源转型战略，能源转型工作组对 WEM 进行了一系列重大改革，其中大部分改革将于 2023 年 10 月 1 日开始实施。这些改革包括引入安全约束的经济调度、缩短交易间隔和“关门”，以及建立新的竞争性基本系统服务框架，该框架将在市场调度过程中与能源共同优化。
使用电池操作的触发器对反某人地雷
板载电池的尺寸可用于确定其武装时间，一旦电池电量耗尽了电荷，板载电子扳机就无法正常工作，并且地雷无法由压力板触发地雷。。发动战时，一旦地雷的武装状态的计算时间可以安全地删除，充电并在服务中诱导，从而确保可重复使用性，从而减少了成本和后勤挑战。在战后场景中，电池操作的触发机制几乎没有通过压力触发而爆炸的威胁，并且可以安全地删除并适当地处理。使用电池操作的触发因素还可以通过不污染战后肥沃的土地来帮助环境。
AEMO 非共同优化基本系统服务触发器...
随着 2022 年储备容量周期的推进，有关已确定短缺的更多信息将陆续公布，这可能会改变与量化该服务相关的输入假设。然而，行业反馈和 AEMO 对 SWIS 中交付新容量的开发时间的评估表明，NCESS 采购需要在 2022 年储备容量周期完成之前启动，以便支持者有足够的时间交付容量。
基于对称 D 触发器的 PUF，具有改进的独特性
物理不可克隆函数 (PUF) 作为安全原语出现，可为安全应用生成高熵、抗回火位。然而，实现面积预算限制了它们在物联网、RFID 和生物医学等轻量级应用中的使用。以 SRAM 或 D 触发器的形式，内在 PUF 几乎在所有设计中都大量存在。作为设计不可或缺的一部分，它们的使用可能会损害性能。在本文中，为了解决内在 PUF 的使用问题，提出了一种基于 D 触发器的轻量级 PUF。所提出的架构采用 40 nm CMOS 技术实现。模拟结果表明，它的唯一性为 0.502，在高温 125°C 下的最坏情况可靠性为 95.89%，在电源电压为 1.2 V 时为 97.89%。为了评估各种 PUF 架构的性能，提出了一个新术语——唯一性与可靠性比。与传统 D 触发器相比，在相同的布局面积下，该触发器的独特性提高了 4.491 倍，独特性与可靠性比提高了 127.74 倍。由于该触发器采用对称结构，与其他架构不同，该触发器不需要任何后处理方案来消除偏差，从而进一步节省了硅片面积。为了验证模拟结果的功能正确性，本文还介绍了传统和所提出的 D 触发器的 FPGA 实现。
全身α-突触核蛋白注射触发器选择性神经元...
Jessica C.F. Kwok 1,4,5，Katie Hall 1，Yanyan Zhao 6，Ole Tietz 6，Franklin I. Aigbirhio 6，Jessica C.F.Kwok 1,4,5，Katie Hall 1，Yanyan Zhao 6，Ole Tietz 6，Franklin I. Aigbirhio 6，Kwok 1,4,5，Katie Hall 1，Yanyan Zhao 6，Ole Tietz 6，Franklin I. Aigbirhio 6，
超导体 - 触发器零件中的分解性方面
混合超导体 - 触发器设备为固态量子信息处理提供了独特的优势。特别是，自十年前的成立以来，Gatemon Qubit已被证明是一个多功能的实验平台。对于所有类型的Qubits，理解和克服的破坏性是向大规模量子计算进展的重要部分。在本论文中，提出了与GATEMON中的分层有关的三个不同的研究。首先，在有限的磁场中研究了在Inas纳米线中形成的带有完全覆盖的壳的gatemon。在应用领域中调查该系统的是可能存在Majorana零模式的可能性，该模式可用于防止逆转。观察到量子转换频率对磁场的非单调依赖性被观察并解释为破坏性的小公园效应。没有观察到有限的主要耦合（E M）的特征。通过测量值的电荷分散体，将上限放置在E m / h <10mHz时。接下来，研究了纳米诺威氏菌在纳米线gatemon中诱导的奇偶校验切换。准颗粒中毒会导致逆转状态，并且是超导Qubits损失的重要来源。在零磁场时，发现切换在100 ms的时间尺度上发生。随着温度或磁场的增加，切换速率被观察到第一个常数，然后呈指数增加，这与共存非平衡和热准粒子的常规图片一致。在零磁场上缓慢的平价切换对于gatemon连贯时间的未来发展有希望。最后，提出了对基于2DEG的盖特尼人的早期结果，其多个大门接近约瑟夫森交界处。
信一种低功耗、高性价比的耐 SEU 脉冲触发器设计
摘要 提出了一种节能的抗单粒子翻转（SEU）脉冲触发器设计。双模块冗余设计充分利用了脉冲触发器结构简洁的优点，避免了脉冲触发器功耗大的缺点。采用时钟门控方案降低功耗。静态配置和避免竞争机制实现了功耗、速度和抗单粒子翻转能力的平衡。通过SEU截面评估了SEU耐受性，发现其显著低于传统D触发器。采用55nm CMOS工艺设计了触发器，并进行了性能评估。所提设计实现了最低功耗，甚至低于传统D触发器。虽然牺牲了速度，但在加固设计中实现了最低的功率延迟积。所提设计为速度不敏感和功率受限的应用提供了解决方案。 关键词：单粒子翻转，抗辐射，节能，触发器 分类：集成电路
采用新型 D 触发器的 QCA 技术中的异步计数器
细胞内的电子，这样每个细胞就可以保持其当前状态，而不会对其相邻细胞的状态变化作出反应 [19]。时钟在 QCA 中用于控制、同步电路的各个部分，以及
信件 MSIFF：通过交错主从级布局拓扑实现抗辐射触发器
敏感节点对之间的电荷共享。当入射离子撞击敏感晶体管（例如节点 mn2 中的 PMOS 晶体管）时，一列电子-空穴对会沿入射轨道电离。电离载流子扩散到相邻的晶体管，导致相邻敏感节点之间的电荷收集，如图 3 所示。对于传统的 DICE 触发器，敏感节点对将收集足够的电荷并导致 SEU。对于所提出的 MSIFF，增加的节点间距可有效减少由于复合过程引起的扩散收集。此外，从属锁存器的插入组件也有助于收集额外的载流子 [19]。它将显著降低电离载流子密度并阻止扩散收集过程。因此，敏感节点对不会同时收集足够的电荷，并且所提出的 MSIFF 中不会发生 SEU。