在半导体和高级材料行业中需要使用非接触式和非毁灭性工具,以表征散装,薄膜和2D材料的电气性能。
摘要:高接触电阻一直是开发高性能过渡金属二硫属化物 (TMD) 基 p 型晶体管的瓶颈。我们报道了简并掺杂的少层 WSe 2 晶体管,其接触电阻低至 0.23 ± 0.07 k Ω·μ m/接触,其使用氯化铂 (IV) (PtCl 4 ) 作为 p 型掺杂剂,该掺杂剂由与互补金属氧化物半导体 (CMOS) 制造工艺兼容的离子组成。栅极长度为 200 nm 的顶栅器件表现出良好的开关行为,这意味着掺杂剂扩散到栅极堆栈中并不显著。这些器件在空气中放置 86 天后未进行任何封装,同时在 78 K 温度下保持简并掺杂状态,且压力低于 10 − 5 Torr,突显了掺杂剂的稳定性。所提出的方法阐明了对具有减薄肖特基势垒宽度的晶体管进行图案掺杂以获得低接触电阻器件的高稳定性方法的可用性。关键词:二硒化钨、电荷转移掺杂、场效应晶体管、二维材料、高稳定性
大于 0.1 m,无论是平面化还是未平面化的测试 µ 芯片。凸块侧壁略微倾斜,因此凸块的平面化会略微增加凸块面积,见表 2。平面化工艺似乎还会使软金凸块略微变脏,见图 4。平面化凸块的凸块面积比未平面化凸块大 5% 到 15%。
太阳能灶是一种利用太阳能加热食物以进行烹饪的设备。太阳能烹饪可用于减少传统燃料的使用并提高食物质量。太阳能灶必须处理通过吸收板金属部件和食物容器接触的高浓度热流。对于热传递,接触热阻起着重要作用,降低接触点的热阻是主要关注点。在目前的研究中,通过结合接触电阻对轻质、节能的箱式太阳能灶进行了数学建模。开发了一种实验装置来找出接触热阻,并评估了铝材料表面粗糙度为 0.2 Ra 和 0.8 Ra 时的接触热阻。对灶具进行了性能测试以获得性能系数 F 1 和 F 2 。此外,还对表面粗糙度为 0.8 和 0.2 Ra 的测得的热接触阻进行了负载测试。对于 0.2 Ra 的表面粗糙度,考虑接头处热阻时观察到的 % 误差分别为 19.77%、13.69%、13.68%,不考虑接头处热阻时观察到的 % 误差分别为 −42.89%、18.95% 和 16.37%。对于 0.8 Ra 的表面粗糙度,考虑接头处热阻时观察到的偏差分别为 23.09%、17.52%、13.5%,不考虑接头处热阻时观察到的偏差分别为 −42.89%、18.95% 和 16.37%。计算得出的品质因数 F 1 为 0.12,而商用炊具的品质因数为 0.11,这表明新设计的炊具具有更高的光学效率。计算得出的品质因数 F 2 为 0.42,而商用炊具的品质因数为 0.38。因此,结果强调了热接触阻非常重要,在建模时应予以考虑。
加利福尼亚州和夏威夷州规定,到 2045 年,全州 100% 的能源生产必须来自可再生资源。1 其他 12 个州根本没有规定可再生能源目标,因此消费者继续依赖传统化石燃料。2 这些对未来可再生能源标准的对立观点代表了全州能源政策的边缘。其他 36 个州则处于中间位置。州级能源政策的这种反乌托邦是由许多影响因素造成的,这些因素最终加深了国家对化石燃料的依赖,并抑制了应对气候变化的私人经济行动。对公用事业公司的监管程度不同是一个因素,而国有或投资者所有的公用事业公司的存在是另一个因素。此外,化石燃料行业与州级官僚机构之间的密切联系也阻碍了采用渐进式可再生能源组合标准。最后,法律授予能源公司的垄断权力,再加上缺乏联邦监督和指导,进一步巩固了既定的规范。目前,国家层面应对气候变化的进展一片混乱,3 而州一级的方向和目标也完全不一致。本文通过对影响太阳能发电的不同法规的案例研究,突出了这种不一致。
有机半导体已用于各种电子设备,包括有机发光二极管 (OLED)、[1] 有机太阳能电池、[2] 有机光电探测器 [3] 和各种形式的有机晶体管 [4–7]。所有这些设备的根本要求是在有机半导体和电触点之间的界面上高效地注入和/或提取电荷。[8] 因此,对实现高效电荷注入/提取所需的活性材料和设备工程的广泛研究和开发对于实现 OLED 的商业化等至关重要。该领域的进展现已达到这样的程度,即与有效载流子和激子限制、能量转移、外耦合和寿命等其他方面相比,电荷注入和提取并不是限制 OLED 最新技术发展的最关键问题。 [9–12] 有机太阳能电池也是如此,最近其主要关注点和改进源泉与非富勒烯受体的开发更加紧密地联系在一起。[13] 另一方面,各类有机晶体管多年来一直被吹捧为新型大面积集成电路应用领域中基于无机半导体的晶体管的主要替代品,[14,15] 但尚未在消费电子产品中得到广泛采用。与无机晶体管相比,有机晶体管的几个缺点,例如电荷载流子迁移率通常较低、器件均匀性较差、可靠性降低[16],随着时间的推移,这些缺点已经得到显着改善,因此现在一些利用有机薄膜晶体管 (TFT) 的商用器件已经面世。[17] 然而,接触电阻 (RC) 仍然是进一步开发基于有机晶体管的电路的主要障碍。 [18–21] 对于低功耗、高频应用(如移动有源矩阵显示器)的有机 TFT 的开发尤其如此,因为高 RC 限制了通过器件小型化可以实现的最大单位电流增益截止(传输)频率。[22] 尽管在扩展有机 TFT 的宽度和性能方面取得了重大进展,但有机 TFT 中的高接触电阻仍然是一个主要问题
与必须为特定任务进行编程的基于计算机的人工智能系统不同,人脑可以实时“自我编程”以创建新策略并适应任意环境。嵌入人工智能系统的计算机执行任意信号处理算法以在特定任务上胜过人类,但如果没有实时自我编程功能,它们就是由人类预先编程的,在预编程领域之外的不可预测环境中失效,并且在任意环境中缺乏一般智能。本文展示了一种在任意和不可预测的环境中实时自我编程的突触电阻电路。通过集成每个突触电阻中的突触信号处理、记忆和相关学习功能,突触电阻电路可以实时同时处理信号和自我编程电路,其能源效率比计算机高出约 6 个数量级。与人类和预编程计算机相比,自编程突触电阻电路动态修改其算法,以在不可预测的空气动力学环境中控制变形机翼,从而以卓越的自编程速度和准确性提高其性能。突触电阻电路有可能绕过计算机的基本限制,从而为人工智能带来具有实时自编程功能的新型智能平台。
这是被接受出版的作者手稿,并且已经进行了完整的同行评审,但尚未通过复制,排版,分页和校对过程,这可能会导致此版本和记录版本之间的差异。请引用本文为doi:10.1002/aisy.202100016。本文受版权保护。保留所有权利