图 1. BCI 系统的一般框图 ................................................................................................ 7 图 2. 人脑及其组成部分 .............................................................................................. 14 图 3. 大脑的半球和功能 .............................................................................................. 14 图 4. 脑叶的位置 ............................................................................................................ 15 图 5. 神经元 ............................................................................................................. 16 图 6. Na+ 和 K+ 离子 ...................................................................................................... 17 图 7. EEG 信号捕获 ............................................................................................. 19 图 8. 级联方法 ............................................................................................................. 30 图 9. BCI 块系统 ............................................................................................................. 30 图 10. MindWave 耳机及其组成部分 ................................................................................ 31 图 11. 创建和配置 C# 项目 ............................................................................................. 35 图 12. C# 项目库 ............................................................................................................. 36 图 13. 导入NativeThinkgear64.cs 类 ...................................................................... 36 图 14. 代码截图 .............................................................................................. 38 图 15. 级别 0 .............................................................................................................. 42 图 16. 级别 1 .............................................................................................................. 43 图 17. 连接表单 ............................................................................................................. 45 图 18. 训练表单 ............................................................................................................. 46 图 19. 控制器表单 ...................................................................................................... 47 图 20. 电路图 ............................................................................................................. 48 图 21. 电路板布局 ............................................................................................................. 49 图 22. 外部设备操作 ............................................................................................................. 54 图 23. 控制器电路和连接 ................................................................................................ 55 图形索引
请勿打开 - 由于危险电压,仅授权人员应打开盖子的破坏用户。注意:必须将Autoglow 200/300运行,并将样品载体正确插入自动基室内。除非将载体插入室内,否则请勿运行系统,这可能会对RF发生器和匹配网络造成严重损害。简介本手册被分为涉及与Autoglow 200/300和Autoglow 300等离子体系统有关的所有问题的部分。Autoglow 300在每个电极架子上具有15英寸可用空间的较深室。本手册将这两个系统称为Autoglow 200/300。这包括详细的安装说明,规格以及设备以及设备组件上的所有控件和指示器的完整描述。安全危害和预防措施部分指出设备操作涉及的任何风险以及用于安全操作和维护系统的建议。系统中还概述了系统包含的安全功能。操作理论的一部分解释了在过程开发和优化过程中等离子体产生背后的原理以及在操作员控制的变量。目标是给予
3) 每台设备均应通过整体铸造的凸起字母或永久固定在主结构上的标牌进行标记,以显著标明:(a)制造商名称(b)用于识别设备的名称和编号。(c)适用于设备的 Element Materials Technology 测试报告的编号和日期。(d)批准使用设备的本函的设备参考编号。(e)保护等级。4) 每台设备均应附有一份证书,证明设备严格按照 Element Materials Technology 测试报告中提到的图纸制造,并且与 Element Materials Technology 测试和认证的图纸相同。5) 应向客户提供本函的副本、Element Materials Technology 在其测试报告中建议的条件和维护计划(如果有)的摘录以及详细说明设备操作和维护的说明书副本,以保持其防火特性。 6) 标的设备售后服务及维护将由贵方代表负责,地址:Process Sensing Technologies PST Private Ltd, 32 A&B 一楼,Ambit IT Park Ambattur Industrial Estate, Ambattur 村:Ambattur 城市:钦奈 等级/级别:钦奈 区:钦奈 州:泰米尔纳德邦 邮政编码:600058
摘要:本文详细介绍了符合半F47-0706标准的Ultimod和XGEN电源范围。简介一般而言,由于设备和过程控制的敏感性,工厂自动化设备需要非常高的电源质量。尤其是半导体处理设备可能容易受到输入线上的电压下垂。半F47-0706标准定义了半导体处理,计量和自动化测试设备的最低电压SAG免疫要求。作为本设备的组件,需要电源来满足这些最小电压SAG要求。什么是电压下垂?电压下垂(或倾斜)定义为RMS电压的降低或电流低于标称的90%的标称持续时间,直到一分钟为一分钟,但不完全中断。电压下垂可能有许多原因,例如恶劣的天气条件,公用事业设备操作或故障以及相邻的客户。我们中的许多人都会看到电压下垂的影响(例如,白炽灯的瞬间变暗),但是在生产环境中,输入电压下垂可能导致生产关闭,从而导致巨大的收入损失。为了解决此问题,1999年,半导体设备和材料研究所(SEMI)建立了与AC线SAG免疫有关的标准。
摘要 设计和实施用于选择性传输离子和分子种类的先进膜配方对于创造下一代燃料电池和分离装置至关重要。有必要了解与设备操作相关的时间和长度尺度上的详细传输机制,无论是在实验室模型中还是在实际操作条件下的工作系统中。中子散射技术包括准弹性中子散射、反射率和成像,在世界各地的反应堆和散裂源设施的光束线站实施。随着新的和改进的仪器设计、探测器方法、源特性和数据分析协议的出现,这些中子散射技术正在成为设计、评估和实施燃料电池和分离装置先进膜技术的主要研究工具。在这里,我们以 ILL 反应堆源(法国格勒诺布尔劳厄-朗之万研究所)和 ISIS 中子和介子散裂源(英国哈威尔科技园区)为例,描述了这些技术及其开发和实施。我们还提到了世界各地其他设施正在进行的类似开发,并描述了一些方法,例如将光学和中子拉曼散射、X 射线吸收与中子成像和断层扫描相结合,并在专门设计的燃料电池中进行此类实验,以尽可能接近实际操作条件。这些实验和研究项目将在实现和测试新的膜配方以实现高效和可持续的能源生产/转换和分离技术方面发挥关键作用。
标准互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术及其 FinFET 形式的先进技术推动了电子行业取得了非凡的成功。虽然 CMOS 技术可能会继续为下一代计算平台提供其非常强大的性能,但很明显,从长远来看,它在扩展方面面临重大挑战,受到功耗和功率密度限制,可能无法满足新兴应用的新需求。这将需要超越 CMOS 的技术来介入和增强 CMOS。无论是用于逻辑设计的节能可扩展开关设计,还是非易失性存储器,还是用于通用计算机和专用加速器的存储器和逻辑功能的集成,对应用量子材料来实现这些新型微电子设备的需求都激增。为了有效利用新兴技术独特且前景广阔的属性,至关重要的是,它们的实验发现和进步必须得到对基础物理及其在材料、器件、电路和系统层面的影响的理解的良好支持。为了加速和实现这一目标,新型材料和器件的建模有望发挥重要作用。一方面,模型应提供有关材料特性和设备操作和可扩展性的重要物理见解;另一方面,它们应能够高效准确地估计基于新兴技术的电路的性能和能效。因此,在我们应对寻找计算和存储革命性突破的挑战时,需要不同设计抽象级别的模型。
透明的导电氧化物(TCO)薄膜是许多光电应用中的基石,包括显示器,光伏和触摸屏。在这些设备中,需要同时具有较高光学反式差异和电导率的薄膜。理想情况下,在正常设备操作期间产生的热量必须理想地补偿以实现最佳功能。解决热人类生物问题的一种可能方法是将热电(TE)属性添加到TCO膜中。然而,在保持最佳电导率和光学透明度的同时提高了TE性能是具有挑战性的:热和电运输特性已深深交织在一起。在这里,我们演示了一种方法,可以独立选择光学透明度,电导率和导热率。嵌入的纳米图案结构充满了二锡氧化物(ITO),并将其夹在两个ITO层之间。所得的三层结构表现出降低的导热率和出色的电导率。这是通过嵌入的ITO纳米模式中的电子通道来实现的,该纳米模式在电气连接顶部和底层的情况下,同时限制了声子介导的热传导。调整纳米图案的填充分数和厚度以提高光学传输,从而获得高于裸露膜的透明度。结果是透明的TCO三层层膜,具有同时高的TCO和功绩的热电图。
▪ 应急行动计划 ▪ 人体工程学 ▪ 挖掘/开沟/支撑 ▪ 坠落保护和梯子安全 ▪ 防火计划 ▪ 叉车操作 ▪ 手动/电动工具 ▪ 危险通信 ▪ 危险材料 ▪ 危险废物管理 ▪ 听力保护 ▪ 中暑预防 ▪ 重型设备操作 ▪ 热工作业 ▪ 伤害与疾病预防 ▪ 上锁/挂牌 ▪ 强制报告人 ▪ 医疗废物管理 ▪ 个人防护设备 ▪ 强制张贴 ▪ 呼吸保护 ▪ 溢出预防和对策计划 ▪ 雨水污染防治计划 ▪ 交通管制和旗手安全 ▪ 地下储罐管理 ▪ 焊接、切割和钎焊 ▪ 工作区安全 任务#2 培训 协助人力资源部根据部门和员工职位分类制定年度安全培训日历。根据需要准备、协调和/或协助促进培训,包括但不限于上述列表。此外,根据要求,顾问还将与现场员工一起开展安全“尾门”培训。任务 3 安全检查制定适当的检查时间表,以评估实践、程序和设施,从而评估风险和是否遵守联邦、州和地方法规。定期进行现场检查。与市政府部门和安全委员会成员会面,提供安全检查和危险识别,并就最佳做法提供咨询和培训。编写所有评估的书面报告,包括已完成的纠正措施。任务 4 安全委员会会议参加季度安全委员会会议。协助制定议程并提供安全计划制定和实施进展的最新信息。推荐和执行其他与安全相关的项目。分析工人赔偿和安全数据,以推荐预防和缓解措施。
抽象目的 - 本文的目的是开发和测试热界面材料(TIM),以用于组装半导体芯片包装中。这项研究的目标是良好的粘附特性(> 5MPA剪切强度)和低热界面电阻(比SAC焊料更好)。设计/方法/方法 - 研究了芯片和底物的金色接触之间的TIM关节的机械和热性能。烧结技术。通过剪切力测试和热测量评估性能特性。扫描电子显微镜用于形成关节的横截面的显微结构观察。发现 - 得出结论,对于含有数十个微米大小的球形AG颗粒的糊状物的最佳特性是达到的,具有较少微米的粉状Ag颗粒。在230°C下的烧结温度,在烧结过程中施加1 MPa力在芯片上具有更高的粘附性和最低的热界面电阻。独创性/价值 - 基于含有不同大小的Ag颗粒(形成数十个微米)的Ag颗粒的混合物的新材料,并提出了悬浮在树脂中的形状(球形,含量)。在230°C下用施加压力在230°C下制备的关节比其他TIM材料(例如热油脂,热凝胶或热导电粘合剂)表现出更好的机械和热材料。这些材料可以在200°C以上的温度下实现电子设备操作,目前无法用于基于SI的电源电子设备。
6.0 一般规定 18 6.1 培训与资格 18 6.1.1 雇主责任 18 6.1.2 工人责任 18 6.2 电气事故报告 18 6.3 危险电气情况报告 18 6.4 安全接近距离 19 6.4.1 授权人员和受过指导人员的安全接近距离 19 6.4.2 普通人员的安全接近距离 19 6.4.3 靠近电气设备操作设备的安全接近距离 21 6.4.4 靠近电气设备脚手架的安全接近距离 22 6.4.5 地下电缆附近挖掘的安全接近距离和做法 22 6.4.6 接近裸露带电导体的绝对限度 23 6.4.7 无人机和遥控飞机系统的安全接近距离 23 6.4.8 非开挖挖掘方法距离 23 6.4.9 结构附近的挖掘 23 6.5 通信 23 6.6 紧急条件 24 6.7 坠落的导线 24 6.7.1 制作安全的坠落低压导线 24 6.7.2 制作安全的坠落高压导线 25 6.8 安全设备 25 6.8.1 安全设备人员的职责 25 6.8.2 防护服 26 6.8.3 安全帽 26 6.8.4 安全带 27 6.8.5 低压绝缘手套 27 6.8.6 眼睛/面部保护 29 6.8.7 低压探测器 29 6.8.8 低压指示装置(电压棒) 29 6.8.9 梯子 29