XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System设计修改
标牌、警告标签和（和）操作手册 - CORE
警告各种危险，从燃料污染到正确的座椅位置。其他则提供紧急情况下的重要指示，从除冰到安全出口。这些警告标牌和任何警告标签一样，试图确保飞机在无法或不切实际地进行设计修改时安全运行。随着现代飞机的复杂性增加和技术进步，飞行员的人为局限性可能会对飞机的安全运行产生不利影响。警告或指示试图预测潜在的危险和可预见的人为缺陷。然而，当飞机制造商预测了太多危险或低估了飞行员的技能水平和智力时，结果可能是由于飞行员信息处理能力超负荷而导致事故。
MIM电容器的降低缺陷和产量提高
关键字：制造产量，MMIC，MIM电容器，压力，摘要这项工作的目的是观察和分析MIM电容器结构中的应变相关效应，从而导致制造产量的降解。我们的结果表明，形成MIM结构的层之间的应变差会导致SIN X绝缘子层中应力诱导的缺陷。可以观察到这些缺陷，当MIM结构的面积 /电容增加时，它们成为一个显着的屈服限制。根据我们的技术，我们提出了一些过程和设计修改，以解决与压力相关的问题。测试了每种方法，并提出了产生的产量。ntroduction 用于金属构造仪（MIM）电容器的单片微波集成电路（MMIC）模具。 在高效放大器的现代设计中，MIM结构的数量和大小增加。 另一方面，据报道，集成的MIM电容器是导致2009年至2016年期间客户回报的失败机制的10个主要原因之一[1]。 因此，所有元素的累积产量，尤其是MIM电容器，应保持最高水平，以维持可靠的技术和低成本。 我们以前研究了电容器底部电极对MIM电容器产量的粗糙度的影响[2]。 此类缺陷是最明显的，并且相对容易通过光学检查检测。 可以使用适当的金属化技术和高级MIM层结构来减轻它们（例如，见图 [1]的5个）。用于金属构造仪（MIM）电容器的单片微波集成电路（MMIC）模具。在高效放大器的现代设计中，MIM结构的数量和大小增加。另一方面，据报道，集成的MIM电容器是导致2009年至2016年期间客户回报的失败机制的10个主要原因之一[1]。因此，所有元素的累积产量，尤其是MIM电容器，应保持最高水平，以维持可靠的技术和低成本。我们以前研究了电容器底部电极对MIM电容器产量的粗糙度的影响[2]。此类缺陷是最明显的，并且相对容易通过光学检查检测。可以使用适当的金属化技术和高级MIM层结构来减轻它们（例如，见图[1]的5个）。从我们的优化工作中，降低MIM电容器产量的原因如下：用于MIM结构的介电（SIN X）的材料特性和质量，底部电极的表面质量，由于夹层MIM结构而导致的热和/或机械应力相关问题。在这项工作中，我们提出了基于SIN X的MIMS的设计修改，以减少与热 /机械应力引起的绝缘体菌株相关的电容器故障。
源数据对发射车故障树模型的认知不确定性影响
抽象的发射车系统是使用遗产和新硬件设计和开发的。对遗产硬件的设计修改以适合新的功能系统要求可能会影响遗产可靠性数据的适用性。新设计系统的风险估计必须是从通用数据源（例如使用可靠性预测方法）（例如在MIL-HDBK-217F中涉及的方法）开发的。必须将故障估计值从通用环境转换为使用系统的特定操作环境。此外，应将数据源适用于当前系统的某些资格。在这种情况下表征数据适用性对于开发模型估算至关重要，这些模型估算支持对设计变化和贸易研究的自信决策。本文将展示一种基于原始数据的源和操作环境，建议对目标车辆的认知成分不确定性，以展示一种数据源适用性分类方法。使用启发式准则确定源适用性，而操作环境的翻译是通过将统计方法应用于MIL-HDK-217F表来完成的。
使用物理网表的生成和结构比较来确保NetList到Bitstream等效性
摘要 - 硬件网络名单通常会转换为botstream，并通过供应商提供的工具加载到FPGA板上。由于这些工具的专有性质，设计师必须相信设计转换为Bitstream的有效性。但是，动机的攻击者可能会改变CAD工具的完整性或操纵存储的Bitstream，以破坏设计的功能。本文提出了一种新方法，以证明合成的Netlist与产生的FPGA Bitstream之间的功能等效性。新颖的方法由两个阶段组成：首先，我们展示了如何利用实现信息对网表进行一系列转换，这不会影响其功能，但要确保其在结构上与FPGA物理实现的内容匹配。第二，我们提出了一个结构映射和等效性检查算法，该算法验证了该物理网络列表与BITSTREAM完全匹配。我们在几个基准设计上验证了此过程，包括通过注入数百个设计修改来检查误报。
磁场中平行通道纳米低温加速器的设计和性能
我们对低温三端开关纳米低温加速器 (nTron) 的传统几何形状进行了设计修改。通过包含并行载流通道对 nTron 的传统几何形状进行了修改，这种方法旨在提高设备在磁场环境中的性能。nTron 技术面临的共同挑战是在变化的磁场条件下保持高效运行。在这里，我们表明，并行通道配置的调整可提高栅极信号灵敏度、提高操作增益，并降低超导涡旋对高达 1 T 的磁场内 nTron 操作的影响。与受有效通道宽度限制的传统设计相反，并行纳米线通道允许更大的 nTron 横截面，进一步增强了设备的磁场弹性，同时由于局部电感降低而改善了电热恢复时间。nTron 设计的这一进步不仅增强了其在磁场中的功能，还扩大了其在技术环境中的适用性，为现有的 nTron 设备提供了一种简单的设计替代方案。
E003/TPP 用于湿度控制
请参阅附件 1 的工作草案验证协议。 4.2 湿度缓解控制的设计 为了最大限度地降低复杂性和对维护的影响以及故障风险，设备制造商应努力通过尽量减少重大设备设计修改、可用性/功能变化和易受性能下降和维护影响的附加组件来满足湿度控制规范。引入的任何附加组件都应只涉及设备能耗的轻微增加，优先考虑能耗有限的解决方案。 变更原因：曾发生过主电源和太阳能冰箱中的纸盒和药瓶因暴露于过多的水分（即湿度和冷凝水）而受损的情况。这导致药瓶上的标签脱落，二级纸盒上长出霉菌。根据许多国家的免疫政策，必须立即丢弃此类药瓶和二级纸盒。因此，此类冷凝水过多的设备可能导致疫苗浪费大幅增加。 该分类系统将用于评估、分类和向客户传达设备在缓解湿度不利影响方面的能力。
泽润生物新型HPV疫苗获得世卫组织预认证
2 型新型口服脊髓灰质炎疫苗 (nOPV2) 是首个于 2020 年被列入世卫组织紧急使用清单的疫苗，并于 2023 年底获得世卫组织预认证，该疫苗的设计比前代疫苗基因更稳定，引起的变异脊髓灰质炎病例更少。nOPV2 的推广在应对脊髓灰质炎疫情方面继续取得成效，证实设计修改正在按预期发挥作用。PATH 目前正在规划未来几年，推进对其他 nOPV 的研究，包括一项新的临床研究，该研究将评估 2 型和 1 型 nOPV 之间的免疫干扰。这将有助于了解在两种脊髓灰质炎血清型都流行的环境中同时接种 nOPV2 和 nOPV1（如果后者成功通过临床试验）的可行性。此外，PATH与药品和保健产品管理局合作，在脊髓灰质炎疫苗制造商之间启动了一项合作研究，以标准化高通量测序在常规脊髓灰质炎疫苗放行测试中的使用，这是一种资源密集程度较低的方法，符合在实验室测试中取代、减少和改进动物使用的努力。
生物量的生物炭为农场生物经济
建造了一个原型移动热解单元（MPU），可通过贝拉德（Bailed）和其他生物质产生现场生物炭。在开始制造MPU之前，运营组为简化且具有成本效益的生物炭系统制定了初始设计理念和工程策略，该系统将结合一系列的设计约束。在制造和初始调试阶段发生了许多不同的工程步骤，并进行了进一步的调整，以帮助解决原料问题，并在测试和重新设计阶段提高MPU的功能。在设计修改以最大程度地提高冲刺的饲料之后，进料速率仍然低于设计要求，并且MPU连续有效地运行时存在问题。但是，MPU确实成功地运行了：当时的Rush Biomass Fed在没有阻塞的情况下连续通过系统；可以控制和维持速度管中的温度。它可能连续运行超过4个小时。在这些条件下，由适合在实验室设置中进行测试的高质量生物炭产生高质量一致的生物炭。随后使用欧洲生物炭证书指南来表征该生物炭的可持续生产生产，并在各种实验项目中进行了检查。
使用FEM建模和实验研究对常规3D印刷晶格结构的增强及其机械性能进行研究
引入3D打印已彻底改变了不同复杂晶格结构的设计和制造，从而提供了前所未有的灵活性，以优化各种应用的机械性能。但是，传统的3D打印晶格结构通常会在实现强度，刚度和体重之间达到所需的平衡时面临一些局限性。这项研究通过创新的设计修改对常规3D打印晶格结构的增强进行了全面研究。通过将高级计算技术（例如有限元方法（FEM）建模与实验研究）整合在一起，本研究旨在评估这些增强结构的机械性能。FEM分析允许精确预测压力分布和压缩负载条件下的变形，而实验验证则提供了对现实世界中适用性和性能的见解。结果表明，体重不是影响机械规格的主要因素，这是该研究通过获得的结果的主要假设，这表明与SC-FCC相比，在修改的模型中，将重量降低了12％，与SC-FCC相比，修改的模型比SC-BCC的重量比SC 11.7 G的重量更轻，并且与SC-BCC结构相比，重量为10.32 G较轻。这些发现揭示了机械性能的显着改善，包括增加负载能力，证明了这些增强的晶格结构对高级工程应用的潜力。这项研究不仅有助于理解3D打印的晶格的机械行为，而且还为开发更有效，更健壮的结构组件铺平了道路。
SPIE的会议录
硅环谐振器调制器（RRMS）具有减少足迹和功耗并增加波长多路复用（WDM）发射器的调制速度的巨大潜力。但是，RRM的光学特性对制造变化高度敏感，这使它们在设计量生产或大量WDM通道方面具有挑战性。在这项工作中，我们提供了一种RRM设计，该设计经过专门设计和实验验证，以降低对制造变化的敏感性。这包括对抗性过度和不足的暴露（±30 nm横向偏差）的敏感性分析以及耦合部分内蚀刻深度变化（±10 nm深度变化）的敏感性分析。对于我们的设计，偏离目标耦合强度的偏差将两倍提高。使用标准的CMOS兼容过程在Soi晶圆上制造了提议的设备。我们演示了以上灭绝比以上的RRM，OMA更好，即-7 dB（2 V pp）和29 GHz的电光带宽，仅在32 GB/s下显示仅受我们的测量设置的开放式眼睛图。测得的耦合系数与模拟值非常吻合。此外，我们应用了相同的设计修改来实现低掺杂的RRM和基于环的添加 - 滴滴 - 磁材（OADMS）。模拟和测量的耦合系数之间的一致性（我们确定为设备性能可变性的主要来源），进一步证实了我们的设计修改的有效性。这些结果表明，可以利用所提出的设计，以大规模地，尤其是在WDM系统中的大规模制造基于谐振的设备。