后印本 这是已接受的版本:C.E.D. Riboldi 混合动力飞机的能量优化非设计电源管理 航空航天科学与技术,第 95 卷,2019 年,105507(16 页) doi:10.1016/j.ast.2019.105507 最终出版物可在 https://doi.org/10.1016/j.ast.2019.105507 访问已发布的版本可能需要订阅。引用此作品时,请引用原始已发表的论文。 © 2019。此手稿版本根据 CC-BY-NC-ND 4.0 许可证提供 http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
1. 低消耗冷却器:“经济”选项众所周知,冷却器仅在其运行时间的很小一部分时间内处于满负荷状态,而在整个季节的大部分时间中处于部分负荷状态。因此,它们必须提供的功率通常与标称设计功率不同,而部分负荷运行会显著影响季节性能源性能和消耗。这使得设备必须在部分负荷下尽可能高效地运行。因此,控制器确保水流温度尽可能高(作为冷却器运行时)或尽可能低(作为热泵运行时),同时与热负荷兼容,这意味着它会发生变化,这与传统系统不同。这可以防止与维持不必要的冷却器温度水平相关的能源浪费,从而保证始终优化要提供的功率与用于产生该功率的能量之间的比率。最终每个人都可以享受到合适的舒适度!
摘要 III 族氮化物和β 相氧化镓(β -Ga 2 O 3 )是目前研究较为深入的两种用于电力电子的宽带隙半导体材料。由于两种材料体系之间的晶格失配度相对较小,且可以利用体相 AlN、GaN 和β -Ga 2 O 3 衬底,因此已经实现了在β -Ga 2 O 3 上外延生长 III 族氮化物或反之亦然。然而,将两种材料体系集成在一起来设计功率器件仍然缺乏。本文数值研究了 AlN/β -Ga 2 O 3 异质结构,利用极化诱导掺杂来实现高性能增强型晶体管。受 AlN/β -Ga 2 O 3 界面极化效应的影响,沟道中的二维电子气浓度最高可达 8.1 × 10 19 cm −3。在沟道顶部引入p-GaN栅极,最终实现了具有可调正阈值电压的常关型AlN/β-Ga 2 O 3场效应晶体管。此外,我们插入了非故意掺杂的GaN背阻挡层以抑制漏极漏电流。最后,为了实现高性能III族氮化物/Ga 2 O 3基功率器件,我们进一步研究和分析了具有不同结构参数的器件的传输和输出特性。