阿联酋的宏观经济战略经过深思熟虑,采取了多管齐下的方针,包括扩大其工业基础、将旅游业提升到全球水平以及加强其金融服务业。通过这种战略性经济多元化,阿联酋为该地区其他国家树立了令人信服的先例,展示了积极的政策如何在全球能源转型中促进经济增长。通过实施有针对性的多部门投资、在可再生能源领域发挥领导作用以及实施金融部门改革,阿联酋正在为即将到来的后石油时代开辟一条通往可持续和多元化未来的道路。值得注意的是,阿联酋的金融改革增强了其全球地位,为其他海湾国家树立了榜样,这些国家寻求在石油市场动荡之外保持稳定,并努力提高经济韧性。
用于FPGA的摘要SRAM需要更高的稳定性和低功耗。8T SRAM单元随着供应电压的降低而降低了写入稳定性。10T SRAM单元具有较高的写入稳定性,因为其中一个逆变器中的上拉路径中使用了截止开关。具有低功耗和较高稳定性的SRAM阵列的设计至关重要。so,已经设计并比较了使用8T和10T SRAM细胞的1KB SRAM阵列进行不同的设计指标。写0和写1功率较低1.98×,10t sram阵列中的3.52××SRAM阵列在0.9V DD,SS角下方。由于在10T SRAM单元中使用高V th晶体管,读取功率在SS角的0.9V V dd较低1.6倍。保持0时的泄漏功率在10T SRAM阵列中低于1.13×,比在0.9V V dd处的FF拐角处的8T SRAM阵列中的泄漏功率。对设计指标进行了广泛的电源电压评估。设计在45nm技术节点中以Cadence Virtuoso实现。
摘要:磁传感器元件的准确测量一直是磁场应用中的重要问题,但传感器系统中存在不可避免的误差,在使用前需要进行校正。常见的标量校正方法难以对传感器元件进行有效校正,因为它需要均匀稳定的背景磁场,并且依赖于磁场模量。因此,设计了一套可用于传感器矢量校正的三轴亥姆霍兹线圈,以产生受控的标准磁场。分析了线圈的设计指标、均匀区大小以及磁场与电流的关系,为传感器元件的有效校准提供依据。测量结果表明,本文设计的线圈的均匀区大小和磁场精度满足设计要求。同时,利用该线圈进行传感器阵列标定和磁目标定位,使传感器误差降低了3个数量级,磁目标定位精度达到0.1m,实用效果良好。
摘要 — 电迁移 (EM) 一直被认为是后端互连的可靠性威胁因素。自旋转移力矩磁性 RAM (STT-MRAM) 是一种新兴的非易失性存储器,近年来备受关注。然而,相对较大的工作电流幅度是这项技术的一大挑战,因此,EM 可能是一个潜在的可靠性问题,即使对于这种存储器的信号线也是如此。工作负载感知的 EM 建模需要捕获存储器信号线中随时间变化的电流密度,并能够预测 EM 现象对互连整个生命周期的影响。在这项工作中,我们提出了一些方法,可以在各种实际工作负载下有效地模拟典型 STT-MRAM 阵列中与工作负载相关的 EM 引起的平均故障时间 (MTTF)。这允许执行设计空间探索以共同优化可靠性和其他设计指标。
随着近年来航空旅行的增加,乘客舒适度正成为一个重要问题。乘客不适和痛苦的一个常见原因是乘客个人空间受到侵犯。本文介绍了两项研究的结果,分别研究了乘客在个人空间侵犯(PSI)期间的环境心理特征以及PSI如何影响客舱舒适度设计。在研究1中,我们的调查显示PSI对不同性别、年龄、教育水平和人际关系的乘客的舒适度有不同的影响。从这些调查数据中,我们提取了14个PSI因素。在研究2中,建立了决策试验和评估实验室(DEMATEL)模型,以乘客舒适度为目标层,以确定14个PSI因素之间的相互关系。14个因素之间的因果关系通过因果图可视化。我们根据指标与PSI因素之间的对应关系,对14个飞机内饰设计指标进行了优先级排序。本研究的结果有助于理解PSI如何影响乘客舒适度,并提出改善飞机客舱舒适度设计的策略。
摘要 本研究提出了一种能够有效、全面评估多种技术节点的CMOS工艺的功率-性能-面积(PPA)特性的方法。根据国际半导体技术路线图(ITRS),我们采用从180nm半节距节点到28nm节点的全尺寸缩小方法,设计并实现了一系列基准环形振荡器(RO)电路。同时,我们对基于六种低泄漏(LL)工艺:180nm、130nm、90nm、65nm、40nm和28nm工艺的RO电路进行了仿真、分析和版图设计。通过纵向分析和比较这六种工艺的PPA特性,可以更好地了解工艺质量,并得出一些可靠的结论来指导设计指标。所提出的方法和基准电路可以很好地扩展到未来的先进技术节点。关键词:集成电路(IC)、PPA、RO电路、CMOS工艺、PVT 分类:集成电路(存储器、逻辑、模拟、RF、传感器)
摘要 在过去一个世纪中,全球对材料的需求一直在增长,这得益于经合组织国家经济的稳步增长、新兴经济体的工业化和世界人口的增长。1990 年至 2017 年间,全球材料使用量增加了一倍多,预计到 2060 年将再次翻一番。由于材料使用量的增加,土地退化、温室气体排放和环境中有毒物质的扩散等环境压力预计在未来几十年将增加一倍以上。在此背景下,提高资源效率和刺激向循环经济的转型变得至关重要。近年来,越来越多的政府已开始实施实现这一目标的政策和战略。然而,还需要加大力度。特别是,资源效率政策需要扩展到材料生命周期的所有阶段,并与行业政策(例如针对二次材料贸易的政策)保持一致。进一步收集数据和设计指标也将有助于加强政策制定。最后,在日益全球化的价值链背景下,加强国际合作至关重要。
1。论文的目的是比较在模拟中实施的几个最新的四倍的运动控制器,制定指南,表明哪种控制器在哪种情况下更好,最后,实施一个示例决策策略,该示例可以根据当前上下文进行切换。2。最初,学生应审查四倍运动控制器的可用文献和实施。3。接下来,学生应创建必要的应用程序,以便在同一模拟器中运行所有控制器以进行公平比较。学生应设计适当的模拟场景,该场景将用于比较控制器。4。学生应提出和评估合适的指标,以便为给定任务选择最佳控制器。应从比较结果中提取一个简单的面向用户指南。5。最后,学生应实施一种上下文感知的策略,该策略将能够在多个运动控制器之间切换,以在某些设计的方案中实现设计指标的卓越性能。
电力电子产品的可靠性分析是一个领域,随着电力电子设备变得越来越普遍,对电力网络基础架构的兴趣越来越大。光伏发电机系统在功率点跟踪的一般操作中使用电力电子设备,并且可能包含电源转换器以增强输出电压和/或转换为交流电流以连接到电网。计划PV发电机系统时,该系统的可靠性对于商业和住宅系统都引起了人们的极大兴趣[1]。可靠性分析可用于不同的目的。它可以用作产品资格资格的标准[2],在设计新产品时作为设计指标[3],它也可以帮助决定何时执行预防性维护[4]。在设计PV发电机系统时,有必要了解系统预期位置的太阳辐照度和环境温度,以确定投影功率,因此,该系统的利润会产生,也可以估算已安装的生成器系统的寿命。为了准确确定系统的年度负载,必须对系统的热行为进行建模。使用系统设计得出的模型用于确定热系统行为,对于电力电子来说,这是电源设备降解和故障的主要驱动力[5]。热
摘要 本文提出了一种用于航天应用的抗辐射极性设计 14T (RHPD-14T) SRAM 单元。通过估算 65 纳米互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术的各种设计指标,分析了所提出的 RHPD-14T 单元的性能。基于结合抗辐射极性设计技术与合理的布局拓扑,所提出的 RHPD-14T 可以耐受所有单节点翻转和部分双节点翻转。仿真结果表明,RHPD-14T 的写入访问时间比 RSP-14T/QUCCE-10T/DICE/S4P8N/We-Quatro(@VDD=1.2V) 短 1.83 倍 / 1.59 倍 / 1.56 倍 / 1.12 倍 / 1.05 倍。 RHPD-14T的字线写触发电压比QUCCE-10T/DICE/We-Quatro/S4P8N/RSP-14T (@VDD=1.2V)高2.67×/2.22×/1.35×/1.29×/1.26×;RHPD-14T的保持静态噪声容限比DICE/S4P8N/RHPD-12T (@VDD=1.2 V)高14.85×/7.15×/1.05×。此外,蒙特卡洛(MC)模拟证明RHPD-14T波动性小、稳定性强、恢复能力稳定、抗单效应翻转(SEU)能力强。关键词:保持静态噪声容限、极性设计抗辐射、单效应翻转分类:集成电路