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World File Search System诸多困难
尽管面临诸多困难，克什米尔人民争取自由的斗争依然坚定不移……
自由克什米尔总理乔杜里·安瓦尔·哈克表示，联合国有责任帮助执行有关克什米尔的决议，保证克什米尔人民的自决权。 在 1 月 5 日克什米尔人每年纪念的自决权日前夕，这位自由克什米尔总理发表讲话，遗憾地指出，尽管已经过去了 70 多年，但对克什米尔人民的承诺仍未兑现。 总理说：“联合国保证了查谟和克什米尔人民的自决权，并呼吁在该地区举行公投，让克什米尔人民行使其与生俱来的权利，并通过自由、公平和公正的全民公决决定他们的政治未来”，并补充说，现在是这个世界机构履行其在这方面的法律和道义责任的时候了。他说：“尽管印度不断压迫，克什米尔人民仍然坚持要求自决权。”总理表示，印度的顽固政策和长期拒绝在克什米尔举行全民公决不利于和平与稳定。
注册 - 文件 - 雷诺集团
2018 年，雷诺集团面临诸多困难：土耳其和阿根廷等部分市场意外崩盘、伊朗市场关闭、汇率不利以及能源结构快速变化。面对这些不利因素，公司表现出了非凡的韧性。我们售出 388 万辆汽车，比 2017 年增长 3.3% (1) ，创下销售记录，收入达 574 亿欧元。我们的营业利润率保持在 6% 以上，并产生了正自由现金流。我们之所以取得这一成绩，是因为我们在每个地区都实现了盈利，从而展示了我们的韧性和不断增强的适应能力。
第 15 届泛欧洲会议 - EISA PEC 2022
今年的会议之所以能够成功，是因为有一大群人付出了巨大的努力。项目主席 Sophia Dingli 和 Vassilios Paipais 不仅在制定令人兴奋的学术项目方面表现出色，而且在解决组织如此规模的会议所带来的诸多困难方面也表现出色。我们非常幸运地有 Andreas Gofas 作为我们的当地组织者，他花费了大量的时间和精力监督我们在雅典的筹备工作。我们的管理团队 C-IN，特别是 Barbora Smejkalová、Hana Ledvinková 和 Lukáš Čáp，是我们日常组织工作的中坚力量。我在 EISA 管理委员会的同事们全年都在待命，除了他们自己的工作之外，还为会议提供支持。
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2018年，雷诺集团面临诸多困难：土耳其和阿根廷等部分市场意外崩盘、伊朗市场关闭、汇率不利以及能源结构快速变化。面对这些不利因素，公司表现出了非凡的韧性。我们售出388万辆汽车，比2017年增长3.3% (1) ，创下销售记录，收入达574亿欧元。我们的营业利润率保持在6%以上，并产生了正的自由现金流。我们之所以取得这一成绩，是因为我们在每个地区都实现了盈利，从而展示了我们的韧性和不断增强的适应能力。
内容 - SDG 本地化
临沧位于云南省西南边陲，澜沧江与怒江交界处，与缅甸接壤，是汉、彝、佤、傣等多民族世居之地。临沧市沧源佤族自治县保存有距今3500年前的岩画，生动地记录了先民们努力适应环境、改善生活的过程。岩画反映了临沧的历史，强调了人与环境的相互依存、相互影响。历史上，临沧因自然资源丰富，封闭、交通不便，导致经济社会发展面临诸多困难，是欠发达边境多民族聚居地区的典型代表。
混合充电的设计与实施...
设计和实施电动汽车 (EV) 混合充电站，解决可持续交通背景下对高效充电基础设施的需求，因为电动汽车的数量由于其价格下降和零碳排放而不断增加。由于电动汽车高度集成到电气系统中，电网设计、运行、稳定性、标准和安全性将面临诸多困难。为了克服这些挑战，所提出的方法采用了太阳能和电网电源的集成，并使用最大功率点跟踪器控制技术充电的附加备用电池系统。使用 Easy EDA 电路模拟器开发了 MPPT、继电器控制器和电池充电器电路，并构建和测试了原型，以使用 400 瓦、40.87 V 和 9.82A 太阳能光伏和额定 24V、14Ah 的备用电池为 48 伏、65Ah 磷酸铁锂 (LiFePO4) 电池充电，使用 230 伏单相电源，充电电压为 54 伏和 8-10 安培
电荷泵移相电路的设计与实现...
随着集成电路工艺的不断发展，锁相环 (PLL) 频率源技术被广泛应用于各类传感器，如用于图像传感器的高精度时钟发生器[1–4]。近年来，得到广泛研究的高精度传感器，特别是植入式医疗传感器和高精度图像传感器，要求低功耗、大输出功率、低相位噪声[5]。作为传感器的关键模块，PLL 的性能在一定程度上决定了传感器的性能。电荷泵锁相环 (CPPLL) 因其低相位噪声、变相位差和高频工作等特点而成为 PLL 的代表性结构[6–8]。已经发表了许多关于 CPPLL 的研究成果，如[9–14]。在[11]中，采用 65nm Si CMOS 工艺实现了 CPPLL。提出的 CPPLL 采用了一种新型超低压电荷泵。所提出的CPPLL工作频率为0.09 GHz～0.35 GHz，在1 MHz频偏处相位噪声为-90 dBc/Hz，电路功耗约为0.109 mW。[9]提出了一种基于GaAs pHEMT的PLL，采用多种电路技术组合对所提出的PLL进行优化，降低相位噪声，提高运行速度。所提出的PLL工作频率约为37 GHz，在1 MHz频偏处相位噪声为-98 dBc/Hz，电路功耗约为480 mW。从以上参考文献可以看出，GaAs pHEMT具有高增益、优异的功率特性、低噪声的特点[15 – 17]。采用GaAs pHEMT工艺可以实现低噪声、更高输出功率的PLL，但基于GaAs pHEMT工艺的电路在实现更高频率的同时引入了较大的功耗，而基于GaAs pHEMT工艺的CPPLL设计存在诸多困难。另外，CPPLL的设计需要在相位噪声、功耗、面积、工艺等性能问题上做出妥协。因此，本文提出了一种基于0.15μm GaAs的改进结构CPPLL。