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World File Search System读存储器
BJ8M608B - -深圳市博巨兴微电子科技有限公司
2.1 程序存储器 ROM(MTP) ......................................................................................................... 9 2.2 用户数据存储器（ RAM ） ................................................................................................... 10 2.3 特殊寄存器（ SFR ） ........................................................................................................... 11 2.4 CPU 内核常用 SFR （ PC/ACC/SP/IAP0/MP0/STATUS ） ................................................... 14 2.4.1 程序计数器 PC .............................................................................................................. 14 2.4.2 累加器 ACC .................................................................................................................. 14 2.4.3 堆栈指针 SP .................................................................................................................. 14 2.4.4 间接寻址寄存器 IAR0 、 MP0 ........................................................................................ 15 2.4.5 程序状态寄存器 STATUS ............................................................................................. 16
二维被动保护量子存储器的候选方案
量子纠错领域的一个有趣问题是找到一个物理系统，该系统承载着“被动保护的量子存储器”，即与自然想要纠正错误的环境耦合的编码量子位。迄今为止，仅在四个或更高的空间维度中才知道量子存储器能够抵抗有限温度效应。在这里，我们采用不同的方法，通过依赖驱动耗散环境来实现稳定的量子存储器。我们提出了一个新模型，即光子-伊辛模型，它似乎可以被动地纠正二维中的位翻转和相位翻转错误：由光子“猫量子位”组成的方格，这些量子位通过耗散项耦合，倾向于局部修复错误。受两个不同的 Z 2 对称性破坏相的启发，我们的方案依靠类伊辛耗散器来防止位翻转，并依靠驱动耗散光子环境来防止相位翻转。我们还讨论了实现光子-伊辛模型的可能方法。
电阻存储器分析和建模的参数提取技术
本文对用于提取电阻开关 (RS) 和建模参数的不同数值技术进行了修订。针对不同的电阻存储技术，计算了常用于估计可变性的置位和复位电压。还介绍了提取串联电阻的方法以及与电荷通量忆阻建模方法相关的参数。研究发现，获得的周期间 (C2C) 可变性取决于所使用的数值技术。这一结果很重要，它意味着在分析 C2C 可变性时，应描述提取技术以对不同的电阻存储技术进行公平比较。除了使用大量不同类型的电阻存储器的实验数据外，我们还采用了动力学蒙特卡罗 (kMC) 模拟来研究构成导电细丝 (CF) 的渗透路径的形成和断裂事件，这些细丝允许在丝状单极和双极器件中进行电阻开关操作。
基于GNRFET的静态随机访问存储器的设计...
摘要：在本文中，使用HSPICE模拟了使用能源有效GNRFET技术的物联网的静态噪声边距（SNM）和SRAM在不同电压供应和静态随机访问记忆的温度下的功耗。此外，已经提出了GNRFET SRAM的各种波形的模拟。SNM存在于SRAM细胞中，这会影响SRAM细胞的读取操作的稳定性。SRAM细胞稳定性分析是一个基于静态噪声边缘（SNM）的研究。在阅读操作过程中，SRAM细胞SNM分析了各种替代方案以提高细胞稳定性。GNRFET的作用提高了其功率效率和速度，在各种物联网应用中在航空工程中起着至关重要的作用。snm是6.7@1v，平均功率为2.24@1v，snm为2.43@45 o C，平均功率为1.25@45 o C.索引条款：GNR，GNRFET，功耗，电池消耗，细胞比率，CMOS，CMOS，PURPIP RATIO，SNM，SNM），Nano-Electronic。
光量子存储器及其在量子通信系统中的应用
光量子存储器及其在量子通信系统中的应用 马利军、Oliver Slattery 和唐晓 美国国家标准与技术研究所，马里兰州盖瑟斯堡 20899，美国 lijun.ma@nist.gov oliver.slattery@nist.gov xiao.tang@nist.gov 光量子存储器是一种可以存储光子的量子态并以高保真度按需检索的装置。它正在成为一种必不可少的设备，以提高通信、计算、计量等领域使用的许多量子系统的安全性、速度、可扩展性和性能。在本文中，我们将特别考虑光量子存储器对量子通信系统的影响。在概述光量子存储器的理论和实验研究进展之后，我们将概述其在量子通信中的作用，包括作为光子源、光子干涉、量子密钥分发（QKD）、量子隐形传态、量子中继器和量子网络。 关键词：量子通信；量子密钥分发；量子存储器；量子网络；量子中继器。接受日期：2019年12月9日 发表日期：2020年1月16日 https://doi.org/10.6028/jres.125.002 1. 引言 量子通信是一种利用信息载体（如单光子）的量子特性，实现双方量子信息交换的技术。该技术有许多独特的应用，是经典通信系统中不可能实现的。目前，量子通信有两种主要应用：量子密钥分发（QKD）和量子纠缠分发。
战略军事视角研讨会预读
2030 年有什么新情况？控制大规模移民流动将成为一个普遍的安全问题，尤其是在城市地区。更多地区将处于临界点，导致危机的阈值将更容易被超越。由于城市人口增长迅速、气候变化加速和政治动荡，更多的人口将面临风险。移民群体的流动速度和规模将增加，从而降低控制移民的能力。多个移民流动将同时发生。移民为东道国提供了通过增加人力资本和支持人口增长来解决人口减少问题的机会。破坏性移民还会加剧政府与移民之间以及不同次国家群体居民之间的内乱。
长期军事转型研讨会预读
1 智能自主系统使用比其他系统更复杂的机制做出选择。这些机制通常类似于人类使用的机制。最终，自主系统的智能水平取决于其所做选择的质量。CHAD R. FROST，《太空自主系统的挑战与机遇》，于 2010 年 9 月 23-24 日在纽约州阿蒙克举行的美国工程前沿研讨会上发表
航天级并行持久性 SRAM 存储器
图 1：部件编号订购选项 ................................................................................................................................ 5 图 2：器件引脚排列 ................................................................................................................................ 7 图 3：142 球 FBGA ................................................................................................................................ 9 图 4：142 球 FBGA ................................................................................................................................ 10 图 5：功能框图 ...................................................................................................................................... 11 图 6：上电行为 ...................................................................................................................................... 12 图 7：写操作 ...................................................................................................................................... 17 图 8：写操作（E# 控制） ................................................................................................................ 18 图 9：总线周转操作 ................................................................................................................................ 19 图 10：读操作 ........................................................................................................................................ 20 图 11：4 字异步页面模式与传统异步模式的比较 ...................................................................................... 21 图 12：页面模式功能框图 ................................................................................................................ 22 图13：异步页读操作 ...................................................................................................................... 22 图 14：异步页写操作 ...................................................................................................................... 23 图 15：页写到单次写时序图 .............................................................................................................. 23 表 1：技术比较 ...................................................................................................................................... 4 表 2：有效组合列表 ................................................................................................................................ 6 表 3：信号描述 ...................................................................................................................................... 7 表 4：上电/断电时序和电压 ................................................................................................................ 13 表 5：器件初始化时序和电压 ................................................................................................................ 14 表 6：建议工作条件 ........................................................................................................................ 14 表 7：引脚电容 ........................................................................................................................................................................................................................ 14 表 8：直流特性 ...................................................................................................................................... 15 表 9：磁抗扰度特性 .............................................................................................................................. 15 表 10：交流测试条件 ............................................................................................................................. 15 表 11：绝对最大额定值 ...................................................................................................................... 16 表 12：写操作（W# 控制） ............................................................................................................. 17 表 13：写操作（E# 控制） ............................................................................................................. 18 表 14：写操作 ................................................................................................................................ 19 表 15：读操作 ................................................................................................................................ 20 表 16：页面模式交流时序 ................................................................................................................ 24 表 16：耐用性和数据保留 ................................................................................................................ 24 表 17：热阻规格 .......................................................................................................................... 25........................................................................... 24 表 16：耐久性和数据保留时间 ...................................................................................................... 24 表 17：热阻规格 ...................................................................................................................... 25........................................................................... 24 表 16：耐久性和数据保留时间 ...................................................................................................... 24 表 17：热阻规格 ...................................................................................................................... 25