非机密国防部 2018 财年总统预算请求附件 R-1 2018 财年总统预算请求总义务权限(千美元)2017 财年 2017 财年 2017 财年 2017 财年总计 2017 财年总计减去颁布的 2017 财年 PB 请求 PB 请求* PB 请求 PB 请求* Div B 剩余请求 2016 财年带 CR 调整带 CR 调整带 CR 调整带 CR 调整 P.L.114-254**带 CR 调整预算活动摘要回顾基础 + OCO 基础基础 OCO OCO OCO OCO ---------------------------------- ------------- ------------- ------------- ------------- ------------- ------------- ------------- 基础研究 648,642 542,970 542,970 应用研究 951,575 861,151 861,151 先进技术开发 680,933 736,988 736,988 先进部件开发及原型 4,929,981 4,662,867 4,707,367 41,897 77,397 77,397 系统开发及演示 6,236,999 6,025,655 6,112,003 管理支持 1,286,493 853,736 918,322 操作系统开发 3,598,418 3,592,934 3,697,066 36,426 128,626 128,626 未分配800,517 800,517 -42,576 -42,576 -42,576 研究、发展、试验与评估总额 18,333,041 18,076,818 18,376,384 35,747 163,447 163,447 五年国防计划摘要 ------------------------------ 战略部队 162,023 196,948 196,948 通用部队 1,328,376 1,447,043 1,514,004 情报与通信 818,572 713,042 713,042 研究与发展 14,468,006 13,638,282 13,833,716 41,897 77,397 77,397 中央供应与维护 27,563 52,526 52,526 行政与相关活动 569 800,517 800,517 -42,576 -42,576 -42,576 太空机密计划 1,527,932 1,228,460 1,265,631 36,426 128,626 128,626 研究、开发、测试与评估总额 18,333,041 18,076,818 18,376,384 35,747 163,447 163,447 非机密第 1 卷 - ix
非机密国防部 2018 财年总统预算请求附件 R-1 2018 财年总统预算请求总义务权限(千美元)2017 财年 2017 财年 2017 财年 2017 财年总计 2017 财年总计减去颁布的 2017 财年 PB 请求 PB 请求* PB 请求 PB 请求* Div B 剩余请求 2016 财年带 CR 调整带 CR 调整带 CR 调整带 CR 调整 P.L.114-254**带 CR 调整预算活动摘要回顾基础 + OCO 基础基础 OCO OCO OCO OCO ---------------------------------- ------------- ------------- ------------- ------------- ------------- ------------- ------------- 基础研究 648,642 542,970 542,970 应用研究 951,575 861,151 861,151 先进技术开发 680,933 736,988 736,988 先进组件开发和原型 4,929,981 4,662,867 4,707,367 41,897 77,397 77,397 系统开发和演示 6,236,999 6,025,655 6,112,003 管理支持 1,286,493 853,736 918,322 操作系统开发 3,598,418 3,592,934 3,697,066 36,426 128,626 128,626 未分配800,517 800,517 -42,576 -42,576 -42,576 研究、发展、试验与评估总额 18,333,041 18,076,818 18,376,384 35,747 163,447 163,447 五年国防计划摘要 ------------------------------ 战略部队 162,023 196,948 196,948 通用部队 1,328,376 1,447,043 1,514,004 情报与通信 818,572 713,042 713,042 研究与发展 14,468,006 13,638,282 13,833,716 41,897 77,397 77,397 中央供应与维护 27,563 52,526 52,526 行政与相关活动 569 800,517 800,517 -42,576 -42,576 -42,576 太空机密计划 1,527,932 1,228,460 1,265,631 36,426 128,626 128,626 研究、开发、测试与评估总额 18,333,041 18,076,818 18,376,384 35,747 163,447 163,447 非机密第 4 卷 - ix
非机密国防部 2018 财年总统预算请求附件 R-1 2018 财年总统预算请求总义务权限(千美元)2017 财年 2017 财年 2017 财年 2017 财年总计 2017 财年总计减去颁布的 2017 财年 PB 请求 PB 请求* PB 请求 PB 请求* Div B 剩余请求 2016 财年带 CR 调整带 CR 调整带 CR 调整带 CR 调整 P.L.114-254**带 CR 调整预算活动摘要回顾基础 + OCO 基础基础 OCO OCO OCO OCO ---------------------------------- ------------- ------------- ------------- ------------- ------------- ------------- ------------- 基础研究 648,642 542,970 542,970 应用研究 951,575 861,151 861,151 先进技术开发 680,933 736,988 736,988 先进部件开发及原型 4,929,981 4,662,867 4,707,367 41,897 77,397 77,397 系统开发及演示 6,236,999 6,025,655 6,112,003 管理支持 1,286,493 853,736 918,322 操作系统开发 3,598,418 3,592,934 3,697,066 36,426 128,626 128,626 未分配800,517 800,517 -42,576 -42,576 -42,576 研究、发展、试验与评估总额 18,333,041 18,076,818 18,376,384 35,747 163,447 163,447 五年国防计划摘要 ------------------------------ 战略部队 162,023 196,948 196,948 通用部队 1,328,376 1,447,043 1,514,004 情报与通信 818,572 713,042 713,042 研究与发展 14,468,006 13,638,282 13,833,716 41,897 77,397 77,397 中央供应与维护 27,563 52,526 52,526 行政与相关活动 569 800,517 800,517 -42,576 -42,576 -42,576 太空机密计划 1,527,932 1,228,460 1,265,631 36,426 128,626 128,626 研究、开发、测试与评估总额 18,333,041 18,076,818 18,376,384 35,747 163,447 163,447 非机密 第 4 卷 - ix
联合国人口预测表明,到 2075 年,人口增长将降至接近零(图表 2)。虽然此前已经预见到了部分放缓,但人口预测也正在下调(目前预计全球人口将达到 100 亿左右的峰值,此前预计将升至 110 亿以上)。这是一个“好问题”,因为全球人口控制是长期环境可持续性的必要条件。然而,这种对人口增长放缓和人口老龄化的调整带来了许多经济挑战(最明显的是医疗保健和退休成本的上升)。未来几十年,人口老龄化对发达国家和新兴市场国家构成严重经济挑战的数量可能会稳步增加。
III-V 半导体带隙性质和大小的改变对于光电应用具有重要意义。应变可用于系统地在很宽的范围内调整带隙,并引起间接到直接 (IDT)、直接到间接 (DIT) 和其他带隙性质的变化。在这里,我们建立了一种基于密度泛函理论的预测从头算方法来分析单轴、双轴和各向同性应变对带隙的影响。我们表明系统性变化是可能的。对于 GaAs,在 1.52% 各向同性压缩应变和 3.52% 拉伸应变下观察到 DIT,而对于 GaP,在 2.63 各向同性拉伸应变下发现 IDT。我们还提出了一种通过将双轴应变与单轴应变相结合来实现直接-间接转变的策略。确定了应变 GaSb、InP、InAs 和 InSb 的进一步转变点,并与元素半导体硅进行了比较。因此,我们的分析为二元 III-V 半导体中的应变诱导带隙调整提供了一种系统且可预测的方法。
是通过化学,电化学,光或界面效应的半导体材料来实现的。半导体材料的重要参数是带隙(E G),以及最高占用和最低的无占用带与真空的位置。这些带被称为无机半导体的价和传统带。对于有机半导体,定义条带隙的频带通常称为最高的分子轨道(HOMO)和最低的无置分子轨道(Lumo)。半导体聚体的一个优点是能够通过分子设计调整带隙和同型和Lumo水平的位置。与Inor-Ganic半导体相反,化学结构的少量修饰会导致聚合物半导体的电气和光学正确变化。在发现聚乙烯和碘或砷五氟二氟掺杂后的高电导率后,被认为是用于用于抗静态涂料,电池或电池材料的金属的替代品,以作为金属的替代品。 [3]被认为是用于用于抗静态涂料,电池或电池材料的金属的替代品,以作为金属的替代品。[3]
MOF由于其可调带间隙而成为光催化的有前途的材料,这使它们能够吸收光并产生用于光催化反应所需的电子孔对。带隙,价带(VB)和传导带(CB)之间的能量差,确定了MOF可以吸收的光的波长。通过仔细设计MOF中的有机配体和金属节点,研究人员可以调整带隙以匹配可见光或紫外线的能量。这种可调节性允许MOF有效利用轻能,从而促进反应性物种的产生,例如羟基自由基和超氧化物离子,这对于降解污染物至关重要。在用于光催化应用的各种类型的MOF中,有几种值得注意的MOF,具有适当的带隙用于光催化目的(图1)。首先,UIO型MOF的特征在于它们的稳健性和较大的孔径,在光催化反应中表现出了出色的性能,这是由于它们的高表面积和恶劣条件下的稳定性。mil-type MoF,具有开放金属位点和量身定制的孔结构,也具有增强的光吸收和电荷分离特性,使它们成为各种转化的有效光催化剂。
Indrajit Chakraborty, 1 Zhanhu Guo, 2 Anirban Bandyopadhyay 3 和 Pathik Sahoo 3, 4, 5* 摘要 在为特定特征设计材料时,除了考虑化学能力之外,考虑物理尺寸变得越来越重要。材料的物理尺寸、光学特性、表面积和机械特性都在决定其光化学能力方面发挥作用。在二维 (2D) 材料中,光电效应的表面积和光化学反应中均匀电荷分布的长距离电导率达到完美平衡。迄今为止,已经研究了各种各样的 2D 材料:低成本、稳定、地球资源丰富且无危害。然而,必须提高光催化剂的效率以满足现代社会日益增长的绿色能源需求。光催化剂特别感兴趣的是将太阳能储存在化学键中以提供长期能量。各个领域的研究人员最近都做出了贡献,包括适当地在空间中排列光催化反应中心、通过修改物理结构和化学功能来调整带隙、使用机器学习协议以及在制备催化剂之前计算密度泛函理论 (DFT)。本综述将介绍修改二维材料的最新贡献,以将开发用于水氧化的光催化剂的集体努力联系起来。此外,在结论部分,我们将强调正在进行的工作的视角、挑战和维度。
2D超材料具有巨大的声音,光学和电磁应用,因为它们的独特特性和符合弯曲底物的能力。主动的超材料吸引了显着的研究注意力,因为它们的按需调谐特性和表现通过形状的重新配置。2D主动超材料通常通过内部结构变形实现活动性能,从而导致整体维度的变化。这需要对构象基材的相应更改,或者超材料无法提供完整的区域覆盖范围,这可能是其实际应用的显着限制。迄今为止,以不同形状的重新配置来实现具有区别的活跃2D超材料仍然是一个巨大的挑战。在本文中,介绍了磁机械双层超材料,以证明具有区域保护能力的面积密度可调性。双层超材料由两个具有不同磁化分布的磁性软材料组成。在磁场下,每一层的表现都不同,这使超材料可以将其形状重新构成多种模式,并显着调整其面积密度而不改变其整体尺寸。保护区域的多模式形状重新构造被进一步利用为主动声波调节剂,以调整带隙和波传播。因此,双层方法为更广泛的应用提供了保护区域主动超材料的新概念。