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Kirigami启用了无线的微波谐振阵列...
摘要：结肠癌的异质性及其反应既提出了个性化医学的挑战和希望。挑战是开发以预测性和预后生物标志物为指导的有效的生物学个性化的治疗剂。目前，有几类候选生物标志物，包括基因组探针，抑制性RNA，免疫功能障碍的测定法，并且不容忘记，具体的组织病理学和组织化学特征。要开发有效的治疗学，候选生物标志物必须在可比的独立人群中获得资格和验证，这不小。这一过程及其随后在临床实践中的部署不仅涉及生物标志物与治疗的牢固关联，而且还要仔细注意代表性肿瘤部位选择的平淡无奇的方面，从而获得了完全充分的样本，该样本被保留并准备好优化高质量分析。将来，生物标志物分析结果的临床实用性将在人工智能技术的帮助下从相关的临床和基础科学数据中受益。通过应用个性化的，精选的生物标志物，对结肠癌的全面解释，个性化，更有效，更毒性的疗法将得到实现，从而实现了个性化医学的承诺。
非线性谐振器中的捏磁滞回路
本文表明，可以在简单的非线性共振电路中观察到捏合的滞后，该谐振电路包含一个单个二极管，该二极管表现为电压控制开关。数学模型是串联和并行谐振电路的数值验证的。发现捏合环的叶面积随着频率的增加而增加，并且有多个捏合点可以使用奇怪的对称非线性（例如立方非线性）。实验，以证明具有单个二极管和两个抗平行二极管的捏滞存在。在这些电路中形成了一个捏合环的形成：1）捏合歇斯底里不是熟人的固定器，而2）非线性的存在对于产生这种行为至关重要。最后，验证了数字逻辑电路中的应用程序。
基于微环谐振器和具有 Fano 谐振的 MZI 的带宽可调光学滤波器
敏感传感器、全光开关和可重构分插滤波器[5-7]。前期工作中，利用微环谐振器（MRR）的对称谐振特性，已经制作出许多带宽可调的器件[8-12]。例如，一种是基于单个微环谐振器的滤波器，其谐振器的耦合系数由微机电系统调整。然而，要实现 MEMS 可调谐性，需要施加近 40 V 的高驱动电压 [5]。另一种也是基于单个微环谐振器的滤波器 [13]。其谐振器的耦合系数由热光移相器调整。这种滤波器的缺点是带宽变化范围有限，带外抑制性能较差。还有一种结合了 MZI 和环形谐振器的滤波器，环形谐振器嵌入 MZI 臂中，其带宽调谐受到带内纹波和插入损耗的限制 [14]。在本文中，我们展示了一种基于环形谐振器和具有 Fano 谐振的 MZI 的带宽可调光学滤波器。它由两个单个 MRR 和一个由两个 1 9 2 多模干涉 (MMI) 构成的 MZI 结构组成。两个单个 MRR 的耦合系数均由热光移相器调谐。在这种新设计中，由两个 TiN 加热器控制的两个 MRR 可用于产生额外的相位以打破正常 MRR 的对称洛伦兹形状。通过两个不对称洛伦兹形状的叠加可以观察到 Fano 谐振，并且 3 dB 通带明显增宽。利用硅的热光（TO）特性，带宽范围从0.46到3.09nm，比以前的器件更宽。输出端口的消光比大于25dB，自由光谱范围（FSR）为9.2nm，适合光电集成电路中的传输。众所周知，通过端口3dB，带宽是一个重要的
用于电网的多端口双向 LLC 谐振转换器...
1 威斯康星大学密尔沃基分校可持续电能系统中心，美国密尔沃基 2 土耳其安卡拉加齐大学技术学院电气与电子工程系 jeanpie4@uwm.edu；aie@uwm.edu；naltin@gazi.edu.tr；nasiri@uwm.edu 收稿日期：2020 年 4 月 10 日 接受日期：2020 年 6 月 22 日 摘要 - 近年来，用于并网应用的结合光伏 (PV) 系统和集成储能的分布式发电厂的研究兴趣日益增加。然而，多种能源的组合需要大量的 DC-DC 转换器，因此变得更加复杂。为了解决这个问题，本研究提出了一种用于并网应用的多端口双向 DC-DC LLC 谐振转换器。为了最大限度地降低所提系统的控制复杂性，还开发了一种基于区域的控制器方法，该方法集成了基于增量电导法的改进最大功率点跟踪 (MMPPT) 方法。该控制器能够在从公用电网输送或获取电力时调节转换器电压和功率流。本研究中介绍的转换器包含一个双向降压-升压转换器和一个 LLC 谐振转换器，以及一个电压源并网逆变器。它们都与 PV、电池和公用设施连接。通过 MATLAB/Simulink 进行的大量仿真分析证明了所提拓扑的运行。
与微波谐振器耦合的硅三量子点谷分辨光谱理论
含有丰富核自旋无同位素的半导体越来越多地被研究用作自旋量子比特的主体材料，例如硅[1]、锗[2]和石墨烯[3,4]。结果表明，大多数此类材料在块体材料导带中都包含一个电子谷自由度[5]。在基于这些半导体材料的许多纳米结构中，由此产生的谷分裂仍未完全了解，因此在实践中代表了一个不可预测的系统参数。已知谷自由度可描述为二维电子气（2DEG）中的伪自旋，其属性（即谷分裂和谷相）极大地取决于异质结构的界面[6-13]。单个原子步骤可以改变伪自旋的量化轴，并且电子的谷轨道耦合的复相位可以被修改多达π
标题 微谐振器增强手性量子网络中长距离动态纠缠的产生 作者 Wai-Keong Mok, Jia-Bin You, Leong
手性量子网络为实现量子信息处理和量子通信提供了一种有希望的途径。本文我们描述了手性量子网络中两个相距遥远的量子节点如何通过一个共同的一维手性波导中的光子传输而动态地纠缠在一起。我们利用手性耦合的单模环形谐振器中的方向不对称性来产生两个原子之间的纠缠态。我们报告的纠缠度高达 0.969，比 Gonzalez-Ballestero 等人提出并详细分析的 0.736 有了很大的改进。[Phys. Rev. B 92, 155304 (2015)]。这一显著的增强是通过引入微谐振器实现的，微谐振器可作为光和物质之间的有效光子接口。证明了我们的协议对实验缺陷的稳健性，例如节点间距离的波动、不完美的手性、各种失谐和原子自发衰变。我们的建议可用于量子网络中的长距离纠缠产生，这是量子计算和量子信息处理中许多应用的关键因素。
半导体微腔激子极化激元耦合谐振子分析
太赫兹 (THz) 时域光谱有助于深入了解半导体异质结构中的电子动力学。高场 THz 光谱探测 GaAs 量子阱 (QW) 系统的激子非线性响应，并能够在时域中测量其相干动力学。因此，THz 光谱可以让人们探索多体相互作用的基本特性以及半导体纳米器件技术的潜力。这项工作使用计算方法分析了半导体微腔中的光物质相互作用。当 QW 微腔中的激子与腔光子强耦合时，会形成一种称为激子极化子的新准粒子。本论文表明，具有光学和 THz 激发的经典耦合谐振子可用作模型来模拟激子极化子动力学及其量子相干现象。通过采用激子模式的时间相关衰减和改变光脉冲和 THz 脉冲之间的延迟，演示了激子-光子耦合系统的时间演化。由于强光物质杂化，在频谱中观察到正常模式分裂。最后，将本工作计算出的激子-极化子振荡与使用半导体布洛赫方程获得的参考计算结果进行了比较。
采用 TiO2 模板原子层沉积技术在金刚石膜上制备高 Q 纳米光子谐振器
电子束光刻：根据应用，将电子束光刻胶 (950K PMMA A4，MicroChem) 旋涂至 270 nm-330 nm 的厚度。接下来，在顶部热蒸发 20 nm Au 的导电层，以避免光刻过程中电荷积聚。为了进一步减轻充电效应，我们使用了相对较低的束电流 (0.3 nA)、多通道曝光 (GenISys BEAMER) 和减少电子束在一个区域持续停留时间的写入顺序。光刻胶的总曝光剂量为 1200 uC/cm2，电压为 100 kV (Raith EBPG5000 plus)。曝光后，我们用 TFA 金蚀刻剂 (Transene) 去除导电层，并在 7 C 的冷板上将光刻胶置于 1:3 MIBK:IPA 溶液中显影 90 秒，然后用 IPA 封堵 60 秒，再用 DI 水冲洗。原子层沉积：在进行 ALD 之前，我们在 ICP RIE 工具 (PlasmaTherm Apex) 中使用 10 sccm O2 和 50 W ICP 功率进行三秒等离子曝光，以去除残留聚合物。使用此配方，PMMA 蚀刻速率约为 2.5 nm/s。对于 TiO 2 沉积，我们使用商用热 ALD 室 (Veeco/Cambridge Savannah ALD)。使用四（二甲酰胺）钛 (TDMAT) 和水在 90 C 下沉积非晶态 TiO 2，交替脉冲分别为 0.08 秒和 0.10 秒。沉积期间连续流动 100 sccm N 2，前体脉冲之间的等待时间为 8 秒。沉积速率通常为 0.6 A/循环。 ICP 蚀刻程序：我们通过氯基 ICP RIE 蚀刻（PlasmaTherm Apex）去除过填充的 TiO 2，基板偏压为 150 W，ICP 功率为 400 W，Cl 2 为 12 sccm，BCl 为 8 sccm。蚀刻速率通常为 1.5-1.7 nm/s。SEM 成像：在 5 nm Cr 导电层热沉积后，使用 Carl Zeiss Merlin FE-SEM 对纳米光子结构进行成像。FDTD 模拟：使用 Lumerical 有限差分时域软件模拟环形谐振器、光子晶体腔和光栅耦合器。透射光谱：我们使用自制的共焦显微镜装置，该装置具有独立的收集和激发通道，以进行透射光谱。脉冲超连续源 (430-2400 nm，SC-OEM YSL Photonics) 和光谱仪 (1200 g/mm，Princeton Instruments) 用于宽带测量。为了对单个腔体谐振进行高分辨率扫描，我们使用 50 kHz 线宽、可调 CW 激光器 (MSquared) 进行激发，并使用雪崩光电二极管 (Excelitas) 进行检测。金刚石膜：通过离子轰击 34 生成 500 nm 厚的金刚石膜，并在阿贡国家实验室通过化学气相沉积进行覆盖。在对离子损伤层进行电化学蚀刻后，去除悬浮膜并用 PDMS 印章翻转。然后使用 ~500 nm 的 HSQ 抗蚀剂将它们粘附到 Si 载体上，并在氩气中以 420 C 的温度退火 8 小时。最后，使用 ICP 蚀刻法将膜蚀刻至所需厚度，蚀刻气体为 25 sccm Ar、40 sccm Cl2、400 W ICP 功率和 250 W 偏压功率。蚀刻速率通常为 1.2-1.4nm/s。
谐振器-量子比特耦合 - NanoWiki
N. Didier 等人，从纵向量子比特振荡器相互作用实现快速量子非破坏性读出，PRL 115, 203601 (2015) P.-M. Billangeon 等人，基于电路 QED 的可扩展架构，用于使用超导量子比特进行量子信息处理 PRB 91, 094517 (2015)