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COVID-19 后的神经系统并发症谱...
全球范围内接种 SARS-CoV-2 疫苗的人数不断增加，导致人们观察到接种后出现各种神经系统并发症。在印度，80% 的 COVID-19 疫苗接种涉及 Covishield（ChAdOx1-S/nCoV-19，阿斯利康）疫苗，其次是 Covaxin（灭活 SARS-CoV-2 抗原）疫苗。印度政府随后批准了 Sputnik 疫苗和强生疫苗，但这些疫苗接种量很少。截至 2021 年 10 月 27 日，印度约有 10 亿人接种了疫苗。1 世界各地都有关于 COVID-19 疫苗并发症的轶事病例报告，包括格林-巴利综合征 (GBS)、疫苗诱导的血栓前免疫性血小板减少症 (VIPIT) 和脑静脉血栓形成 (CVT)。最近的一篇文章报道了印度七例格林-巴利综合征病例。2 在这里，我们报告了 18 名患者，他们在接种疫苗后出现了一系列神经系统并发症，主要与 Covishield 有关，少数与 Covaxin 有关。
X-宽带能谱的物理模型...
目的。我们为 X 射线照射吸积盘的宽带光谱能量分布 (SED) 开发了一种新的物理模型，该模型考虑了吸积盘和 X 射线冕的相互作用，包括由中心黑洞 (BH) 的强引力对光传播和光子能量从盘到冕静止坐标系或从冕静止坐标系到观察者的转换引起的所有相对论效应。方法。我们假设一个开普勒光学厚、几何薄的吸积盘和一个灯柱几何中的 X 射线源。X 射线冕发射各向同性的幂律类 X 射线谱，具有高能截止。我们还假设标准盘模型最内层热辐射释放的所有能量都被传输到冕，从而有效冷却该区域的盘。此外，我们还包括由于 X 射线源对圆盘照明的吸收部分进行热化而导致的圆盘加热。还包括由于圆盘照明而导致的 X 射线反射。X 射线光度由从吸积盘（或外部源）提取的能量和散射光子本身带来的能量给出，因此能量平衡得以保持。我们通过迭代过程计算了低能 X 射线截止，充分考虑了圆盘的 X 射线照明与进入日冕的吸积盘光谱之间的相互作用。我们还计算了日冕半径，考虑到康普顿化过程中光子数的守恒。结果。我们详细讨论了模型 SED 及其对系统参数的依赖性。我们表明，圆盘-日冕相互作用对产生的 SED 有深远的影响，它限制了 X 射线光度并改变了 UV 蓝色凸起的形状和正常化。我们还将模型 SED 与目前可用的类似模型预测的 SED 进行比较。我们使用新代码来拟合 NGC 5548 的宽带 SED，这是一个典型的 Seyfert 1 星系。当与之前模型拟合同一源的光学和紫外线时间滞后的结果相结合时，我们推断出黑洞自旋较高、系统倾角中等、吸积率低于爱丁顿的 10%。该源的 X 射线光度可能由圆盘中耗散的 45-70% 的吸积能量支持。新模型名为 KYNSED ，可供公众使用，用于在 XSPEC 光谱分析工具中拟合 AGN SED。结论。 AGN 吸积盘的 X 射线照射可以解释至少一个 AGN（即 NGC 5548）观测到的 UV 和光学时间滞后以及宽带 SED。过去几年中，我们利用多波长、长期监测观测同时研究了这些 AGN 的光学、UV 和 X 射线光谱和时间特性，这将使我们能够研究这些系统中的 X 射线和吸积盘几何形状，并限制其物理参数。
基于激光的质谱技术
最近，LHCB测量结果确认了X（4140）状态，具有高统计数据1,2，质量为4146。5±4。5 +4。6-2。8 MEV和宽度83±21 +21 - 14 MEV，比以前的实验测量3大得多，并且确定量子数为J P C = 1 ++。关于X（4140）4,5的结构有许多不同的建议，尤其是因为宽度的差异很大。的确，在恢复更奇特的作业之前，耗尽观察到的状态的Q描述可能是自然而必要的。在这项工作中，通过求解相对论/非相对论schr odinger方程来掌握梅森波的功能，我们调查了x（4140）作为3 p 0模型中charmon态的衰减属性，并提供有关搜索X（4140）的更多信息，以提取X（4140），以提取更多精确的信息。
GAA：使用光子带隙结构
MMIC的微波包装的主要目标之一是保存所需的RF属性。在放大器MMIC的情况下，相对于包装的最关键属性是向前增益，输入匹配，反向隔离，增益平坦和稳定性。基于LTCC的方法是包装MMIC的有趣选择。陶瓷载体形成了用于电线粘合和翻转芯片的粘合基板，可用于整合高质量的被动剂。集成的阻止电容器可以降低组装成本，并以低额外的成本来实施诸如RF过滤和防止静电放电之类的其他功能[4]。对于模具附着，Flip-Chip由于flip-Chip跃迁的良好发电性和低寄生电感而引起了人们的注意。但是，在实践中可以看出，Flip-Chip还需要处理特定的寄生效应，这些寄生效应将芯片倒挂在金属表面上时，例如在大多数丝网键入方法中完成的金属表面[3] [5]。
二维 ScB MBene 的带隙工程
MBenes 是二维 (2D) 材料中的一种新兴成员，因其独特的机械和电子特性以及多样化的晶体对称性和结构而备受关注，这些特性使其成为不同类型应用的有希望的候选材料 [1, 2]。然而，原始 MBenes 的固有金属性质可能会成为光学领域中涉及光子吸收、发射和电子学的多种应用的障碍。在半导体材料中，带隙是最重要的参数，人们投入了大量精力来寻找具有广泛带隙的新型纳米材料。虽然 MBenes 通常表现出金属行为，但可以通过能带工程将其调整为半导体。在这项工作中，ScB MBenes 的电子能带结构已利用表面功能化和应变电子学等能带工程技术进行了修改。我们研究了 ScB MBenes 的各种晶体对称性，并检查了它们的结构和动态稳定性。我们的结果表明，具有六方晶体对称性的 ScB 是最稳定的。我们已经研究了具有 O-、F-、OH- 和 H- 官能团的 ScB 的电子结构，并且能带结构计算表明，用 O 官能化的 ScB 在 DFT+U 和混合交换关联函数 HSE06 中分别具有约 0.1 eV 和 0.5 eV 的半导体带隙。除了用 O 官能化之外，施加的平面双轴应变还使带隙进一步增大了 0.8 eV。这可以使 ScBO MBene 充分利用电子、光学和其他多种应用。
曲率校正低压带隙基准
稿件于 1992 年 9 月 8 日收到；修订于 1993 年 2 月 17 日。M. Gunawan 曾就职于荷兰代尔夫特理工大学电气工程系，邮编 2628 CD 代尔夫特。他目前就职于印度尼西亚政府。GCM Meijer 就职于荷兰代尔夫特理工大学电气工程系电子实验室，邮编 2628 CD 代尔夫特。J. Fonderie 曾就职于荷兰代尔夫特理工大学电气工程系电子仪器实验室，邮编 2628 CD 代尔夫特。他目前就职于 Phihps Semiconductors，邮编 94088，加利福尼亚州桑尼维尔。JH Huijsing 就职于荷兰代尔夫特理工大学电气工程系电子仪器实验室，邮编 2628 CD 代尔夫特。IEEE 日志号 9209023。