XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System赝晶高
平顶飞秒激光开槽硅晶圆工艺仿真与实验研究
[25] Shi K W，Yow K Y，LoC。单束和多光束激光槽过程参数开发和40 nm节点的模具特性 - k/ulk Wafer [C]∥2014IEEE 16th 16th Electronics包装技术会议（EPTC），2014年12月3日至5日，2014年12月3日，新加坡。纽约：IEEE出版社，2015：752-759。
赝自旋对称性的守恒与破缺
伪自旋对称性 (PSS) 是一种与狄拉克旋量的下部分量相关的相对论动力学对称性。本文以单核子共振态为例，研究了 PSS 的守恒与破缺，采用格林函数方法，该方法提供了一种新颖的方法来精确描述窄共振和宽共振的共振能量和宽度以及空间密度分布。PSS 的守恒与破缺在共振参数和密度分布随势深的演变中完美地展现出来：在 PSS 极限下，即当吸引标量和排斥矢量势具有相同的大小但相反的符号时，PSS 完全守恒，PS 伙伴之间的能量和宽度严格相同，下部分量的密度分布也相同。随着势深的增加，PSS 逐渐破缺，出现能量和宽度分裂以及密度分布的相移。
高安全锂金属电池的共晶电解质
lmb具有锂金属作为阳极的LMB有望达到高达500 WH kg-1的高能密度。但是，商用电解质系统与锂金属和电解质之间的反应性高的锂阳极不兼容。此外，高波动性，强烈的易燃性和较差的热稳定性对LMB构成了安全威胁。因此，电解质系统在确保LMB的电化学性能和安全性方面起着至关重要的作用。开发具有较高界面稳定性的内在安全电解质系统最近是LMB的研究热点。非易易易受电解质系统，例如固态电解质，（局部）高浓度电解质，离子液体（IL）电解质（IL）电解质和共晶电解质，以提高LMB的安全性和可靠性[1]。
赝自旋对称性的守恒与破缺
伪自旋对称性 (PSS) 是一种与狄拉克旋量的下部分量相关的相对论动力学对称性。本文以单核子共振态为例，研究了 PSS 的守恒与破缺，采用格林函数方法，该方法提供了一种新颖的方法来精确描述窄共振和宽共振的共振能量和宽度以及空间密度分布。PSS 的恢复与破缺完美地体现在共振参数和密度分布随势深的演变中：在 PSS 极限下，即当吸引标量和排斥矢量势具有相同的大小但相反的符号时，PSS 完全守恒，PS 伙伴之间的能量和宽度严格相同，下部分量的密度分布也相同。随着势深的增加，PSS 逐渐破缺，出现能量和宽度分裂以及密度分布的相移。
氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展
Figure 12.1540-MeV 209Bi ion irradiation 1.7 × 10 11 ions/cm 2 TEM images of AlGaN/GaN HEMT devices: (a) Gate region cross-section; (b) The orbital image of the heterojunction region shown in Figure (a); (c) The image shown in Figure (a) has a depth of approximately 500 nm; (d) Traces formed at the drain; (e) As shown in Figure (d), the trajectory appears at a depth of ap- proximately 500 nm [48] 图 12.1540-MeV 209Bi 离子辐照 1.7 × 10 11 ions/cm 2 的 AlGaN/GaN HEMT 器件的 TEM 图像： (a) 栅极区域截面； (b) 图 (a) 所示异质结区域轨道图 像； (c) 图 (a) 所示深度约 500 nm 图像； (d) 在漏极形成的痕迹； (e) 如图 (d) 所示，轨迹出现在深度约 500 nm 处 [48]
从灵活性平衡视角的高比例可再生能源电力系统形态演化分析
摘要：电力系统中长期愿景及其形态演化分析是引领电力行业发展的重要先导性研究，尤其在我国提出2060年实现温室气体净零排放的新目标下，如何加快发展可再生能源成为新的关注点。本文尝试从灵活性平衡的视角探究含高比例可再生能源的未来电力系统形态演化指标。在回顾国际上关于未来电力系统发展愿景相关文献的基础上，总结了未来电网的特征及其驱动力的变化，并提出了一种全局敏感性分析方法。考虑到影响演化路径的多重不确定性因素，抽取大样本模拟电力系统演化，并以西北电网为例，分析了我国高比例可再生能源的演化路径。
高性能金属3D打印机的应用
来源：https://www.aeroreport.de/en/artikel/ werkstoffentwicklung-fuer-die-luftfahrt 航空部件应用示例
实现高安全性的电池开发
预计将开发具有高能量密度和高安全性的全稳态电池（ASSB）。使用高容量负电极（例如锂金属和硅）以及高容量的正极电极（例如基于硫基于硫的氧化物和富含Li的氧化物材料）的主要挑战是，正和负电极的活性材料在充电和排放期间经历较大的体积变化。在该项目中，将开发适合这些高容量电极的机械性能，电化学稳定性和离子电导率的固体电解质。我们还专注于界面设计，以形成和维护电极和电解质，电池制造过程之间的固体界面以及高级分析和计算方法，以阐明循环过程中界面处发生的机制。该图显示了使用基于硫的阳性电极和晚期阳性液体使用富含Li的氧化物阳性电极的发育目标。我们将建立基本技术，以加速具有高能量密度和高安全性的Assb的商业化，并在将来实现GX。
晶圆粘结后的晶圆边缘平面化
使用Tencor的HRP-250来测量轮廓。使用了来自Cabot的SS12和来自AGC的CES-333F-2.5。在将晶片粘合到粘合之前（氧化物到氧化物和面对面），将顶部晶圆的边缘修剪（10毫米），并同时抛光新的斜角。这可以防止晶片边缘在磨/变薄后突破[1]。将晶圆粘合后，将散装硅研磨到大约。20 µm。之后，通过反应性离子蚀刻（RIE）将粘合晶片的剩余硅移到硅硅基（SOI） - 底物的掩埋氧化物层（盒子）上。另一个RIE过程卸下了2 µm的盒子。之后，粘合晶片的晶圆边缘处的台阶高为3 µm。随后沉积了200 nm的氮化物层，并使用光刻和RIE步骤来构建层。此外，罪被用作固定晶片的si层的固定。必须将设备晶圆边缘的剩余步骤平面化以进行进一步的标准处理。为此，将剩余的罪硬面膜（约180 nm）用作抛光止损层。在平面化之前，将4500 nm的Pe-Teos层沉积在罪恶上。这有助于填充晶圆的边缘。在第一种抛光方法中，将氧化物抛光至残留厚度约为。用SS12泥浆在罪过的500 nm。在这里，抛光是在晶片边缘没有压力的情况下进行的。然后将晶圆用CEO 2泥浆抛光到罪。用CEO 2浆料去除氧化物对罪有很高的选择性，并且抛光在罪恶层上停止。第一种抛光方法花费的时间太长，将氧化物层抛光至500 nm的目标厚度。此外，在抛光SIO 2直到停止层后，用SS12稍微抛光了罪。最后，高度选择性的首席执行官2 -lurry用于抛光罪。结果表明，步进高度很好，但是弹药范围很高（Wafer＃1）。第二种方法的抛光时间较小，并在500 nm上停在SIO 2上，而最终的抛光和首席执行官2 -slurry直至罪显示出良好的步进高度，并具有更好的罪恶晶圆范围（Wafer＃2）。