XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System超低
使用 Arduino 和超低功耗微控制器上的 TensorFlow Lite 进行机器学习
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使用...进行液态石油中的超低硫分析
更严格的法规要求炼油厂在努力提高效率的同时生产出更高质量的产品。在过去十年中，美国、欧洲、中国和印度等地的国家监管机构已经实施或计划实施汽油和柴油中总硫含量低至 10 ppm 的要求。增加加氢处理和改变原油成分是降低成品硫含量的一些手段。加氢处理催化剂的寿命取决于装置的进料和操作。加强监测对于满足这些要求和提高效率至关重要。事实证明，WDXRF 是一种快速、简单且精确的测量烃流中硫含量的方法。为了达到较低的硫含量，炼油厂必须投资购买新设备或升级设备、修改操作或两者兼而有之。无论如何，这都会增加生产柴油和汽油的成本。
适用于 40nm CMOS 超低功耗无线传感器节点的 9 位 SAR ADC
免责声明 - 本信息按“原样”提供，不作任何陈述或保证。Imec 是 IMEC International（根据比利时法律成立的法人实体，名称为“stichting van openbaar nut”）、imec Belgium（由弗兰德政府支持的 IMEC vzw）、imec the Dutch（Stichting IMEC Nederland，由荷兰政府支持的 Holst Centre 的一部分）、imec Taiwan（IMEC Taiwan Co.）、imec China（IMEC Microelectronics (Shanghai) Co. Ltd.）、imec India（Imec India Private Limited）、imec Florida（IMEC USA 纳米电子设计中心）活动的注册商标。
RF-35A2超低损耗功率放大器基板
耐电弧性 IPC-650 2.5.1 秒 242 秒 242 弯曲强度 (MD) IPC-650 2.4.4 kpsi 24 16 N/mm 2 165 弯曲强度 (CD) IPC-650 2.4.4 kpsi 15 8 N/mm 2 103 拉伸强度 (MD) ASTM D 3039 psi 16,800 N/mm 2 116 拉伸强度 (CD) ASTM D 3039 psi 11,000 N/mm 2 75.8 杨氏模量 (MD) ASTM D 3039 psi 10 6 N/mm 2 8,343 杨氏模量 (CD) ASTM D 3039 psi 10 6 N/mm 2 7,171 泊松比 (MD) ASTM D 3039 0.14 0.14 泊松比 (CD) ASTM D 3039 0.10 0.10 断裂应变 (MD) ASTM D 3039 % 1.6 % 1.6 断裂应变 (CD) ASTM D 3039 % 1.4 % 1.4 压缩模量 (Z 轴) ASTM D 695 (23ºC) kpsi 385 N/mm 2 2,650 剥离强度 (1 盎司 VLP) IPC-650 2.4.8 (热应力) 磅/英寸 12 N/mm 2.1 剥离强度 (1 盎司 VLP) IPC-650 2.4.8.3 (150ºC ) (高温) 磅/英寸 14 N/mm 2.5 剥离强度 (1 盎司VLP）IPC-650 2.4.8秒5.2.3 (Proc. Chemicals) 磅/英寸 11 N/mm 2.0 密度 (比重) gm/cm 3 2.28 gm/cm 3 2.28 比热 ASTM E 1269 (DSC) (100ºC) J/g/K 0.99 J/g/K 0.99 热导率 ASTM F 433 W/M*K 0.29 W/M*K 0.29 T d (热分解温度) IPC-650 2.4.24.6 2% 重量损失 ºC 528 ºC 528 T d (热分解温度) IPC-650 2.4.24.6 5% 重量损失 ºC 547 ºC 547 CTE (x) IPC-650 2.4.41 (>RT - 125ºC) ppm/ºC 10 8 ppm/ºC 8 热膨胀系数 (y) IPC-650 2.4.41 (>RT - 125ºC) ppm/ºC 13 10 ppm/ºC 10 热膨胀系数 (z) IPC-650 2.4.41 (>RT - 125ºC) ppm/ºC 108 104 ppm/ºC 108
采用 MSP430 和 TRF79xxA 的 NFC/RFID 读取器超低功耗卡存在检测
所有这些终端设备示例都有类似的关键“关注点”，例如：• 必须优化总系统成本。• 电气设计 – 平台或模块化设计正变得越来越普遍，重点是可在全球范围内部署 – 即一种设计可以在所有国家/地区使用（例如基于 TRF79xxA 系列设备的 13.56MHz 系统）。• 机械设计必须坚固、安全，并提供各种级别的防破坏保护。• 用户友好且直观 – NFC/RFID 系统不是视线范围内，但用户无需经过大量培训即可与它们交互，因此设计必须始终提供轻松的用户体验。• 低功耗比以往任何时候都更重要，如果按照本文档后面所述实施，则可以成为真正的差异化因素和竞争优势。
nRF24LE1 - 超低功耗无线系统片上解决方案
日期 版本 说明 2009 年 3 月 1.2 更新了图 33.、图 34. 和表 35. 。2009 年 9 月 1.3 添加了表 93。更新了 BOM、表 28.、表 29.、表 34.、表 46.、表 53.、表 61.、表 87.、表 101.、表 113.、表 115.、第 6.3.4.1、9.1、9.3 13.3.3、29.1.2、29.2.2、29.3.2 和 30.1 节。简化了二进制数的书写方式和寄存器位的表示方式。2010 年 4 月 1.4 更新了图 9.、图 10.、图 30.、注意：第 87 页、图 46.、图 51. 和图 52。更新了第 2.1 节、第 12.3 节、第 13.3.1 节、表 14.、表 15.、表 27.、表 58.、表 111.、表 114. 和表 115。更新了第 29 章中的 BOM 信息。2010 年 7 月 1.5 更新了第 77 页的 6.3.5.1、第 109 页的表 57、第 111 页的表 58、第 150 页的表 88 和第 176 页第 24 章中的人体模型类。2010 年 8 月 1.6 添加了 RoHS 声明并更新了第 150 页的表 88。
轻质超低释气™ 粘合剂
SCV-2586 可用作太空和电子应用中的粘合、密封或灌封材料。它具有抗辐射、低热导率、氧化稳定性、热稳定性和良好的烧蚀特性。这种弹性体远远超过了行业标准 ASTM E595，总质量损失 (TML) 小于 0.10%，收集挥发性可冷凝物质 (CVCM) 小于 0.01%。这种轻质材料的比重为 0.74，非常适合注重重量的飞行应用，并且具有高附着力，底漆搭接剪切强度为 175 psi。
MEMS 数字输出运动传感器超低功耗高满量程 3 轴“纳米”加速度计
表 1.设备摘要。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。1 表 2.引脚描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。8 表 3.机械特性 @ Vdd = 2.5 V，T = 25 °C，除非另有说明。。。。。。。。。。9 表 4.电气特性 @ Vdd = 2.5 V，T = 25 °C，除非另有说明。。。。。。。。。。。10 表 5.SPI 从机时序值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。11 表 6.I2C 从机时序值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。12 表 7.绝对最大额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。13 表 8.串行接口引脚描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。17 表 9.串行接口引脚描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。17 表 10.SAD+读/写模式。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。18 表 11.当主机向从机写入一个字节时传输。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。18 表 12.当主机向从机写入多个字节时传输：。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。19 表 13.当主机从从机接收（读取）一个字节的数据时传输： 。。。。。。。。。。。。。19 表 14.。主设备从从设备接收（读取）多个字节数据时的传输 。.......19 表 15。寄存器地址映射。...........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。................23 表 16.CTRL_REG1 寄存器 .......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。24 表 17.CTRL_REG1 说明 .....................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。....24 表 18.功率模式和低功耗输出数据速率配置 .......................24 表 19.正常模式输出数据速率配置和低通截止频率 ........25 表 20.CTRL_REG2 寄存器 ..............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。..............25 表 21.CTRL_REG2 描述 ..........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.................25 表 22.高通滤波器模式配置 ......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...26 表 23.高通滤波器截止频率配置 ...............................26 表 24.CTRL_REG3 寄存器 .........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。......................26 表 25.CTRL_REG3 描述 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.26 表 26.INT 1 和 INT 2 引脚上的数据信号 ..................。。。。。。。。。。。。。.........27 表 27.CTRL_REG4 寄存器 ............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.................27 表 28.CTRL_REG4 描述 .......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。....................27 表 29.CTRL_REG5 寄存器 ..。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...28 表 30.CTRL_REG5 描述 .........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>.........28 表 31.睡眠唤醒配置 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>............28 表 32.参考寄存器。....。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。28 表 33.参考说明 ....< div> 。。。。。。。。。。。。。。。 < /div>.....。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。29 表 34.STATUS_REG 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。29 表 35.STATUS_REG 描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。29 表 36.INT1_CFG 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。30 表 37.INT1_CFG 描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。30 表 38.中断 1 源配置 ..........< div> 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。31 表 39.INT1_SRC 寄存器 ....< div> 。。。。。。。。。。。。。。。 < /div>.....。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>...31 表 40.INT1_SRC 描述 .。。。。。。。。 < /div>.....。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。31 表 41.INT1_THS 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。31 表 42.INT1_THS 描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。32 表 43.INT1_DURATION 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。32 表 44.INT2_DURATION 说明。....................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。32 表 45.INT2_CFG 寄存器 .....................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.........32 表 46.INT2_CFG 描述 ............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...............32 表 47.中断模式配置。.......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。33 表 48.INT2_SRC 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。33
nanoWatt XLP™ 超低功耗 MCU
信息如有变更，恕不另行通知。Microchip 的名称和徽标、Microchip 徽标、MPLAB 和 PIC 是 Microchip Technology Incorporated 在美国和其他国家/地区的注册商标。MPASM、MPLIB、MPLINK、mTouch 和 PICkit 是 Microchip Technology Incorporated 在美国和其他国家/地区的商标。本文提及的所有其他商标均为其各自公司的财产。© 2009，Microchip Technology Incorporated。保留所有权利。2009 年 5 月在美国印刷 DS39941B
高级超低环线键
必须仔细抛光，以消除可能传播的磨碎裂纹，从而导致裂缝。图2显示了一个高级的，堆叠的模具包，具有四个模具级别和三个电线环形状，包括模具到模具的粘合。死亡 - 绑定键，可以节省基板空间和成本，同时降低互连长度。虽然这些包装类型当前具有挑战性的线键功能，但新的进步正在提供必要的过程改进。这些水平之间的互连主要是通过电线粘合进行的。只有电线键合提供制造灵活性和能够填补此角色的低成本。当今自动电线键键提供的高级循环控件允许其他技术过程无法提供的灵活性和适应性。具有良好控制的弯曲和扭结状态的线键环的能力已经连续发展了12年以上[4]，[5]。1993年授予了第一个工作循环形状专利[6]。这些形状引导了CSP形状的发展。随着在第二个键附近的电线中添加弯曲，旨在提供公共汽车杆间隙，开发了BGA循环。现在，随着多个层次堆叠的模具包的出现，该行业正在推动新的循环高度水平降低。当今的状态债券机可以提供多达20个高级过程循环形状的功能。不断开发其他新循环形状，以适应包装设计要求。实现这些超低环形形状非常最近，已经引入了新的正向环形形状，可以产生<75µm的高度而不会牺牲吞吐量。