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超大规模集成电路互连和纳米级器件的进步
阿塔尔·比哈里·瓦杰帕伊 - 印度信息技术与管理学院瓜廖尔分校 (ABV-IIITM Gwalior) 是印度首屈一指的学院，由印度政府人力资源与开发部 (MHRD) 于 1997 年创办，是信息技术与管理领域的卓越中心。它是上述领域提供优质高等教育的领先学院，位于印度中央邦北部的瓜廖尔市。学院活动旨在通过高度竞争的学术环境以及学院与企业界之间的密切互动来发展探究和研究文化。学院与业界保持着活跃的联系。学院通过了 ISO 9001:2008 和 NAAC “A” 认证。它还被印度政府宣布为国家重要学院。在 2017 年印度尼西亚大学评估的 UI 绿色指标世界大学排名中，该学院在全球排名第 164 位，在印度排名第 1 位。该学院在 2022 年绿色排名中还位列印度第 6 位，NIRF 工程类别排名为第 78 位。
超大规模 MRAM 单元中的自旋和电荷漂移扩散
设计先进的单位形状各向异性 MRAM 单元需要准确评估具有细长自由层和参考层的磁隧道结 (MTJ) 中的自旋电流和扭矩。为此，我们通过在隧道屏障界面处引入适当的自旋电流边界条件，并采用局部依赖于电荷电流磁化矢量之间角度的电导率，将成功用于纳米级金属自旋阀的分析方法扩展到 MTJ。从而准确地再现了作用于自由层的扭矩的实验测量电压和角度依赖性。超大规模 MRAM 单元的开关行为与最近对形状各向异性 MTJ 的实验一致。使用我们的扩展方法对于准确捕捉 Slonczewski 和 Zhang-Li 扭矩贡献对包含多个 MgO 屏障的复合自由层中的纹理磁化作用的相互作用绝对必不可少。
为合作做准备：超大规模战略
在医疗保健行业，与超大规模技术公司的合作越来越普遍。虽然这些合作的目标各不相同，但许多都基于利用数据分析和工具从每天生成的大量医疗保健数据中挖掘见解。梅奥诊所与谷歌的合作就是最近的一个例子。通过利用谷歌的自然语言处理工具和功能，梅奥诊所可以更准确、更高效地从电子健康记录中构建患者数据。结构化数据使临床医生能够更轻松地搜索和分析数据，这些功能使医院能够找到理想的临床试验患者并运行预测工具，以便尽早识别患病风险较高的患者。1 对于梅奥诊所来说，与谷歌的 10 年合作旨在成为“数字化转型的基石”，并将以一种重新定义医疗保健服务的方式将提供商和消费者聚集在一起。2
超大规模集成电路系统设计
电子与通信工程系是印度所有 NIT 中规模较大的 ECE 系之一，也是瓦朗加尔国立技术学院 (NITW) 最大的系之一。NITW 的 ECE 系在教学、研究和服务方面享有国际声誉。ECE 系拥有优秀的实验室设施和敬业的师资队伍，提供广泛的课程，包括嵌入式系统和智能仪器、VLSI 系统设计、通信系统和研究 (Ph.D) 课程的本科 (B.Tech) 和研究生 (M.Tech)。该系最近承担的一些赞助项目包括由 DLRL、海得拉巴赞助的使用神经网络的雷达辐射源识别和由印度政府麻省理工学院赞助的 VLSI 特殊人力资源开发。
超大规模集成电路中单电子能量损失的快速仿真分析方法
工业界广泛使用晶体管仿真工具（如TCAD、SPICE）来模拟单粒子效应（SEE）。然而由于实际设计中物理参数的变化，例如粒子的性质、线性能量传输和电路特性等，都会对最终的模拟精度产生很大的影响，这将大大增加大规模电路晶体管级仿真工作流程的复杂性和成本。因此，提出了一种新的SEE仿真方案，以提供一种快速、经济高效的方法来评估和比较大规模电路在辐射粒子效应下的性能。在本文中，我们结合晶体管和硬件描述语言（HDL）仿真的优点，并提出了准确的SEE数字误差模型，用于大规模电路中的高速误差分析。实验结果表明，所提出的方案能够处理40多种不同电路的SEE模拟，这些电路的尺寸从100个晶体管到100 k个晶体管不等。
2020-21 超大规模集成电路与嵌入式系统 印度理工学院 巴特那
VLSI 和嵌入式系统分支是当今世界上最受欢迎的硕士课程之一。考虑到 VLSI 行业的规模，我们于 2017 年启动了该项目，重点是为学生提供各自领域的必要技能，并结合实习、项目和认证计划，帮助培养适合行业、学术和研究的年轻工程师。在 IIT 巴特那，这是一个跨学科项目，招收来自不同本科背景的学生。
超大规模集成电路（vlsi）
DARPA 在 IC 技术进步方面最早的投资之一是一项雄心勃勃的计划，称为超大规模集成电路 (VLSI) 计划。在 20 世纪 70 年代和 80 年代，VLSI 开发汇集了多学科研究团体，共同努力在微电子制造、计算机架构和系统设计方面取得重大进展。这些研发承诺帮助克服了戈登·摩尔在 1965 年的一篇开创性论文中描述的晶体管缩放趋势的早期障碍。在这篇论文中，他阐述了后来被称为摩尔定律的理论 — — 随着计算相对成本的下降，计算机能力将以指数级的速度大幅提升。DARPA 的 VLSI 计划推动了计算领域的发展，进一步增强了美国的军事能力并增强了国家安全，同时也帮助开创了商业微电子应用的新时代。
超大规模集成电路设计中的漏电功率恢复方法综述
关键词：工程变更单 (ECO)、状态相关泄漏功率、总负松弛 (TNS)、亚阈值泄漏功率。1. 引言无线通信设备、网络模块设计模块的主要性能参数是最小化功率。另一方面，更高的性能、良好的集成度、动态功耗是推动 CMOS 器件缩小尺寸的一些参数。随着技术的缩小，与动态功耗相比，漏电流或漏功率急剧增加。静态功耗增加的主要原因是漏功率，它涉及许多因素，如栅极氧化物隧穿泄漏效应、带间隧穿 (BTBT) 泄漏效应和亚阈值泄漏效应 [1]。器件在电气和几何参数方面的差异，例如栅极宽度和长度的变化，会显著影响亚阈值漏电流 [2]。某些泄漏元素包括漏极诱导势垒降低 (DIBL) 和栅极诱导漏极泄漏 (GIDL) 等，[3]。 65 nm 及以下 CMOS 器件最重要的漏电来源是：栅极位置漏电、亚阈值漏电和反向偏置结处 BTBT 引起的漏电。电压阈值的降低会导致亚阈值电流的增加，这允许在电压下降的帮助下保持晶体管处于导通状态。由于缩放
超大规模集成电路技术硕士
学科选修课 – II EE 619 - 混合信号 VLSI 设计（3-0-2-4） EE 621 - 微波集成电路（3-0-0-3） EE 523 - 数字 VLSI 架构（3-0-0-3） CS 541P - 物联网系统和云（1-0-3-3） EE 516 - 生物医学系统（2.5-1.5-0-4） CS 507 - 计算机架构（4-0-0-4） EE 592 – 形式验证选定主题