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特刊
自从 1981 年 Mimura 博士展示出第一个高电子迁移率晶体管 (HEMT) 以来，HEMT 得到了迅速发展，并在不同的材料系统中商业化，用于各种应用。在早期开发阶段，基于 AlGaAs/GaAs、GaAs/InGaAs 和 InP 的 HEMT 被广泛应用于高速电子通信应用中，具有出色的噪声和功率性能。GaN HEMT 的发展为更多应用打开了大门，例如电力电子、毫米波频率系统、生物传感和抗辐射电子。最近，基于 AlGaN 和 Ga2O3 的超宽带隙材料 HEMT 已被引入并显示出令人鼓舞的结果。本期特刊将介绍创新的 HEMT 设备、基于 HEMT 技术的应用、HEMT 相关材料研究，包括外延生长、材料特性和制造技术以及 HEMT 模拟。
基于 IR-UWB 的发射器应用无线摄像机网络演示
摘要 — 基于脉冲无线电超宽带 (IR-UWB) 技术的传感器网络在需要精确定位和强大通信链路的领域获得了广泛关注。在航天器和发射器中，这些网络可用于将传感器连接到中央机载计算机或提供不同子系统之间的通信链路。这有助于减少线束，而线束是影响整个航天器质量和设计复杂性的关键因素。本文介绍了一种基于低功耗 IR-UWB 传感器节点的发射器安装多摄像头系统的应用。结合 IEEE 802.15.4 标准的改进型高吞吐量 MAC 层，它能够提供每秒多帧的更新速率，而传统的传感器网络系统则需要半分钟才能传送一帧。此外，由于宽带传输的性质，它不会干扰运载火箭的关键遥控/遥测无线电链路。
集成的视觉增强系统（IVAS）
陆军打算在所有环境和战场状况下在营及以下的所有环境和战场状况中提高士兵的杀伤力，以增加士兵的杀伤力。IVA包括一个头顶显示器（HUD），一台被称为冰球的人体磨损的计算机，一个网络数据收音机和每个士兵的三个共形电池。IVAS HUD通过集成的热和低光成像传感器，用于导航的内置指南以及战术突击套件情境意识软件提供了透明的显示和增强现实能力。内部士兵无线超宽带网络可实现被动的靶向能力，将武器景点连接起来 - 将武器家族连接到士兵的武器上，并在HUD中的视线图片。IVA无线电使配备IVA的士兵能够在公司内部传输数据。
毫米波 MMIC 的设计创新 - Qorvo
在现代微波和毫米波通信系统的设计过程中，设计人员必须对器件（晶体管、电容器、电感器等）进行特性分析频率范围很广，从接近直流到远远超出设计的工作频率。器件特性分析过程会生成电路仿真中使用的模型，模型的准确性决定了仿真的准确性，从而决定了首次成功的机会。模型准确性的一个重要因素是器件特性分析远远超出电路的工作频率，在许多情况下，需要对远远超出 110 GHz 的频率进行特性分析。超宽带 VNA，例如具有 70 kHz 至 220 GHz 单次扫描功能的 VectorStar™ ME7838G，可提供业界领先的测量，并实现最佳器件特性分析，从而实现精确的模型和电路仿真。
新闻稿
Unidata SpA 是一家电信、云和物联网运营商，由三位合伙人于 1985 年创立，目前仍在公司任职。Unidata 集团拥有约 7,400 公里的光纤网络（不断扩展）、无线网络和专有数据中心，为超过 26,400 家企业、批发和住宅客户提供超宽带连接服务，包括 FTTH（光纤到户）网络架构、无线连接、VoIP 服务、云服务和其他专用解决方案，具有高可靠性和安全性。该公司还活跃于物联网 (IoT) 领域，为家庭自动化和智能城市市场开发和提供解决方案。Unidata SpA ISIN 代码：IT0005573065（路透社 UD MI - 彭博社 UD IM）在米兰泛欧交易所上市 - 意大利证券交易所的 STAR 板块。
氧化铍中量子缺陷候选物的第一性原理研究
氧化铍 (BeO) 具有超宽带隙，是一种很有前途的量子缺陷宿主。我们利用混合函数的密度泛函理论，对 BeO 中的原生点缺陷进行了全面的第一性原理研究。我们发现铍和氧空位是最稳定的缺陷，而其他原生缺陷（如间隙或反位）则具有较高的形成能。我们通过检查自旋态和内部光学跃迁，研究了点缺陷作为量子缺陷候选者的可能性。氧空位 (V + O) 是一种合适的自旋量子比特或单光子发射体；我们还发现，通过与 Li 受体形成 (VO − Li Be) 0 复合物可以增强其稳定性。O − Be 反位还具有理想的光学和自旋特性。总体而言，由于其作为宿主材料的理想特性，BeO 可以成为量子缺陷的优良宿主，其中 V + O、(VO − Li Be) 0 和 O − Be 是主要候选者。
固态宽带高功率放大器
型号 BBS0D3ERR (SKU 2048) 放大器系统适用于宽带高功率线性应用、实验室和 RFI/EMC 敏感度测试。该放大器采用高功率推挽式 MOSFET 器件，可提供高增益、宽动态范围、低失真和良好的线性度。通过采用先进的宽带 RF 匹配网络和组合技术、内置高质量通用电压电源、EMI/RFI 滤波器、机加工外壳和所有合格组件，可实现卓越的性能、长期可靠性和高效率。Empower RF 的 ISO9001 质量保证计划确保一致的性能和最高的可靠性。 固态线性设计 瞬时超宽带 体积小巧、重量轻 内置控制、监控和保护电路 适用于 CW、AM 和 FM（对于其他调制类型，请咨询工厂）。 50 欧姆输入/输出阻抗 高可靠性和坚固性 电气规格 @ 208 VAC、25 C、50 系统
多协议无线平台如何使下一波无线创新1 www.abiresearch.com
在过去的几十年中，连接市场改变了我们的生活方式。没有一天的时间与我们大多数人没有使用数小时的时间使用，或者至少与各种连接的设备相互作用。到2024年底，ABI研究预测，已连接的设备的安装基础将达到超过550亿个单位，涵盖了各种各样的终端市场，包括移动设备，个人计算机（PC），可穿戴设备，可穿戴设备，家庭娱乐，智能家庭，智能家庭，自动化，自动化，商业建筑，工业和其他消费者以及其他物品（IOT）应用程序（IOT）应用程序。这一增长的基础是短范围无线连接技术（例如Wi-Fi，Bluetooth®和802.15.4）的快速扩展（最著名的是Zigbee和Thread）。与此同时，配备了自己独特功能集的相对新生的超宽带（UWB）技术在未来几年中也有望大大增长，因为它可以实现几种新的用例和创新的用户体验。
解决 γ‐Ga2O3 中的无序问题
氧化镓是一种超宽带隙 (UWBG) 半导体，有望扩展电力电子、日盲紫外光电探测器、气体传感设备和太阳能电池等领域的功能和应用极限。[1,2] 它已成功应用于一些领域，包括荧光粉和电致发光 (EL) 设备、[3] 日盲光电探测器、[4,5] 光催化 [6] 和电力电子。[7,8] Ga 2 O 3 与许多其他多态氧化物体系（如 Al 2 O 3 、In 2 O 3 和 Sb 2 O 3 ）相似，除了热力学稳定的单晶 β 相（C 2/ m）之外，至少还存在四个相。这些相包括菱面体 α -Ga 2 O 3 ( 3 ) R c 、立方 γ -Ga 2 O 3 ( 3 ) Fd m 、正交 ε / κ -Ga 2 O 3 ( Pna 2 1 ) 和立方 δ -Ga 2 O 3 ( 3) Ia 相。需要注意的是，δ 相的存在仍有待讨论，有人认为它可能是由 β 相和 ε / κ 相混合形成的。[9]
紧凑型五重奏带有高选择性和宽带宽度
在本文中，提出了具有高选择性和宽带宽带的紧凑型五重杆置带的超宽带带通滤波器。该过滤器采用近似闭环C形的踏板阻抗谐振器来生成三重置换频带，并使用Hilbert Fractal曲线缝隙和L形谐振器分别创建单个缺口频带。多个缺口带的中心为5.29、6.61、7.92、8.95和9.93 GHz，以消除来自WLAN，C-Band和X波段无线服务的不良干扰。此外，引入了两个传输零，以提高锋利的裙子的选择性高达0.944。该过滤器可以同时表现出高尖锐的选择性和更宽的带宽。该过滤器是在RT/Duroid 5880子策略上制造的（εr= 2.2，厚度= 0.787 mm），并测量以验证仿真结果。模拟和测量都非常一致，显示了过滤器的良好性能。