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摘要。在这项工作中证明了微型四点探针技术在离子植入非均匀度映射和分析中的应用。该技术使用具有10 µm电极螺距的微米大小探针,以极大地增强了板电阻(RS)测量的空间分辨率。rs由于掺杂剂的分布或激活不均而导致的不均匀性可以通过提高的精度映射,从而更容易检测植入术扫描问题,剂量和电荷控制故障以及与退火器相关的非均匀性。该技术在空间分辨率上的出色性能优于常规四点探针测量值,这是通过晶圆边缘处的零边缘排除板电阻测量来证明的。此外,该技术用于研究等效 + +植入物之间具有相同有效能量的2 +植入物之间的潜在RS变化。最后,通过对所选的ULE植入和退火晶片进行多次测量来研究可重复性和可重复性。