XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System超细
通过定向能量沉积制备超细 Fe-Fe2Ti 共晶
我们研究了通过定向能量沉积 (DED) 获得的 Fe-Fe 2 Ti 共晶微观结构，其过共晶成分为 Fe-17.6 at.% Ti。实现了低至 200 nm 的超细层状间距，这种特性只能通过吸铸等方法在薄样品中获得。然而，在层间边界 (ILB) 处观察到主要 Fe 2 Ti 相的球状形态，并带有 Fe 相的晕圈。对于给定的 DED 条件，晶体结构在 ILB 上是不连续的。二维和三维分析方法都用于量化微观结构，包括高分辨率同步全息 X 射线计算机断层扫描 (HXCT)。通过相场建模探索了在定性对应于激光增材制造条件下共晶系统的一般行为，适用于选定的成核场景和从共晶到过共晶的合金成分。虽然模拟提供了有关微观结构形成的宝贵见解，但模拟指出，我们需要进一步加深对增材制造条件下熔化的理解，以便实施合适的成核和/或自由生长模型。模拟还表明，使用精确的共晶合金成分可以防止球状 ILB。
超细粒子间质自由钢的摩擦搅拌焊接
除了机械性能之外，超细粒材料的焊接对于结构使用也很重要。如果将融合焊接应用于超纤维砂岩材料，则很容易发生晶粒生长，并且强度降低。另一方面，摩擦搅拌焊接（FSW）可以抑制晶粒的生长，因为在FSW期间输入了较低的热量。8–12）因此，与融合焊接相比，FSW应该是一种更好的焊接金属的焊接方法。fsw主要用于铝合金，因为高熔化温度材料（例如钢）很难FSW。但是，钢是最常用的结构材料。这项研究的目的是阐明FSW在SPD制造的超纤维颗粒钢中的机械性能和微观结构的变化。还研究了具有中间尺寸的退火钢，还研究了超纤维和常规晶粒尺寸之间的中间大小，以阐明初始晶粒尺寸对FSW接头机械性能的影响。
超细纳米域工程释放初期铁电的铁电性
摘要：初期的铁电特性已经成为一种有吸引力的功能材料，因为它们的潜力是为外来的铁电行为而设计的，因此具有巨大的希望，可以扩大铁电家族。然而，到目前为止，他们的人工设计的铁电性远远远远没有与经典的铁电抗衡。在这项研究中，我们通过制定超细纳米域工程策略来应对这一挑战。通过将这种方法应用于基于SRTIO 3的膜的代表性初期铁电膜，我们实现了前所未有的强大铁电性，不仅超过了先前的初期铁电磁记录，而且还可以与经典的铁电极相媲美。，薄膜的不分极化可达到17.0μccm-2，超高的居里温度为973 K.原子尺度研究阐明了这种强大的高密度超细性纳米域在跨越3-10个单位细胞中这种强大的高密度超细性纳米域中这种强大的铁电性的起源。将实验结果与理论评估相结合，我们揭示了潜在的机制，在这种机制中，有意稀释的外国FE元素可以很好地产生更深的Landau能量，并促进了极化的短期排序。我们开发的策略显着简化了非常规铁电的设计，为探索新的和上级铁电材料提供了多功能途径。
宋超阳博士｜助理教授｜南方科技大学
硕士研究生（2013-2014）Yin Bangqi新加坡设计与麻省理工学院（2013-2014）Aditya Ranjan新加坡技术与设计与MIT大学（2016-2017）WU TONG MONASH大学（2018-2018-2018-2018-2020）Liu Sheng Sheng Sheng Electronics Designitute（2018-2020-220）加入了Shaoyin Tech。（2020-2023）冯·施豪（Rveng Shihao）加入了Rvbust Tech。（2020年至2023年）郭尤辛加入了香港公共服务部（2021-2024）Jie Yu Master Class of 2024（2021-2024）Jiang Bingfa Master Class of 2024 of 2024（2021-2021-2025） （2022-2025）Xu Ronghan Master Class 2025（Robocon Sustech的团队负责人）（2023-2026）Huang Bangchao Master Class of 2026
具有超细垂直排列 Au 纳米柱的自组装 HfO2-Au 纳米复合材料
完整作者名单： 张一志；普渡大学，材料工程硕士 张迪；普渡大学，材料工程硕士；洛斯阿拉莫斯国家实验室，集成纳米技术中心 刘俊程；普渡大学 陆平；桑迪亚国家实验室， Deitz，Julia；桑迪亚国家实验室 沈嘉楠；普渡大学系统，材料工程硕士 何子豪；普渡大学 张星航；普渡大学系统，材料工程硕士 王海燕；普渡大学系统，材料工程硕士；尼尔·阿姆斯特朗工程大楼
用于超细间距 3D 封装的先进无卤有机层压板的可靠性研究
高 I/O 密度和绿色材料是倒装芯片和 3D IC 封装用封装基板的两大主要驱动力。未来的有机层压基板将需要 5-25 µ m 的线宽和间距以及 50-100 µ m 的封装通孔 (TPV) 间距。这种超细间距要求将因电化学迁移和导电阳极丝 (CAF) 而导致严重的基板故障。因此，有必要开发新型无卤材料并研究其在超细间距应用中的可靠性。这项工作主要集中在四个领域：1) 先进的无卤材料，2) 细线宽和间距中的表面绝缘电阻 (SIR)，3) 细间距 TPV 中的导电阳极丝 (CAF)，以及 4) 倒装芯片互连可靠性。本研究选择的基板材料包括在聚合物主链上加入无卤阻燃剂的树脂配方。在具有 50 µm 间距铜线的基板上研究了 SIR，并在具有 150 µm 和 400 µm 间距 TPV 的基板上研究了 CAF。在这两项测试中，都观察到无卤基板与溴化 FR-4 相比表现出更好的电化学迁移阻力。通过对测试基板进行热循环测试 (TCT)、无偏高加速应力测试 (U-HAST) 和高温存储 (HTS) 测试来研究倒装芯片可靠性。在每次可靠性测试后都进行扫描声学显微镜 (C-SAM) 分析和电阻测量。测试基板分别通过了 200 小时的 HTS、96 小时的 HAST 和 2000 次 TCT 循环。倒装芯片可靠性结果表明，这些材料有可能取代传统的卤化基板用于高密度封装应用。关键词：无卤素基板、表面绝缘电阻、导电阳极丝、倒装芯片可靠性 简介 电子产品向无卤素材料的转变始于 1994 年德国通过的《二恶英法》。从那时起，欧盟 (EU) 制定的生态标签成为印刷线路板采用无卤素材料的驱动力。卤素通常添加到 PWB 中使用的聚合物玻璃复合材料中以达到阻燃效果。然而，卤素材料在特定的燃烧条件下会形成多溴二苯并二恶英 (PBDD) 和多溴二苯并呋喃 (PBDF)，这会对环境和健康造成严重风险。在这方面，无卤材料比卤素材料优越得多，并且在回收过程中也很有用 [1]。印刷电路板研究所
超细β-Mo2C纳米结构的O-Mo-C界面促进高效电催化析氢
氧化态通常由 Mo 2 C 的表面氧化引起，迄今为止，它们在 Mo 2 C 基催化剂的 HER 中的作用很少受到关注。O – Mo – C 界面可能在 Mo 2 C 催化剂中普遍存在，尽管这方面尚未得到详细研究。这是一个值得注意的疏忽，因为高度氧化的 Mo 中心很可能是从质子产生 H 2 的生产位点。在这项工作中，我们旨在探究薄而明确的氧化层和 O – Mo – C 界面对 N 掺杂碳负载的 Mo 2 C 的 HER 活性的作用。通过热解涂有钼-单宁酸配位聚合物的 ZIF-8 纳米晶体，成功制备了超细 b-Mo 2 C 纳米粒子 (b-Mo 2 CNP)，该纳米粒子被限制在 N 掺杂多孔碳的空心胶囊内 (表示为 b-Mo 2-C@NPCC)。我们进一步发现，当暴露在空气中时，钼原子的表面层立即原位氧化为原子 Mo-O 表面层。这种方法确保了表面氧化的 Mo 原子和下面的 b-Mo 2 C 之间的强界面耦合，从而创建了优化的 O-Mo-C 表面电子转移途径，以实现高效的电催化。由于具有丰富的O – Mo – C界面，b -Mo 2 C@NPCC表现出优异的HER电催化活性，在0.5 MH 2 SO 4和1 M KOH中仅需80和132 mV的过电位即可达到10 mA cm 2 的催化电流密度。相应的Tafel斜率非常低（在H 2 SO 4中仅为40 mV dec 1，在KOH中仅为49 mV dec 1）。理论计算证实了O – Mo – C纳米界面对b -Mo 2 - C@NPCC优异的HER性能的益处。我们的工作为合理开发下一代HER催化剂铺平了新道路。
基于金茨堡 - 兰道和埃利亚斯贝格方程的超导率...
发表的论文，演讲结果：（国际会议的论文）•Kouki Otuka，Shingo Haruna，Yasumasa hasegawa，Hirono Kaneeyasu，“自旋敏感性和野外诱导的非独立超级负责性手性稳定性”，JPS。proc。：第29届低温物理国际会议论文集（LT29）38（1）011058-1-6（2023）。（由国内研究协会等发表的论文等）•iWamoto mutsuo，Isai Kouki，Haruna Shingo，Haruna Shingo，Kaneyasu Hirono，“连接系统中不均匀超导性的磁场引起的磁场引起的历史现象，”，由日本物理学学会提出，”•Haruna Shingo，Ogita Saiki，Nomura Takuji，Kaneyasu Hirono，“通过顶点校正UTE2扰动的超级传导稳定，UTE2中的现场排斥，”，日本物理学学会的收听摘要78（2）（2023）（2023）。（其他）•Koki Doi，Mutsuki Iwamoto，Shingo Haruna，Hirono Kaneeyasu，“超导体交界处的野外诱导的手性状态的滞后”，第10个国际f-召开的国际工场，关于F-Electrons的双重性质（Percter Rectorns off-Electrons tector）。