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World File Search System超薄
通过氢等离子体辅助原子层沉积超薄氧化铝实现空间调制硅界面能量学
原子层沉积 (ALD) 已迅速成为半导体行业的重要工具，因为它可以在低温下提供高度保形、可精确调节的涂层，厚度控制在亚纳米级。因此，ALD 是一种将电介质集成到先进光电子器件中的强大方法，并且对于实现新兴的非平面电子设备至关重要。[1] 特别是，可以通过 ALD 在结构化表面上保形生长的非晶态氧化铝 (AlO x ) 广泛用于半导体技术的电介质和化学钝化、[2] 跨硅 (Si) 太阳能电池界面的载流子选择性电荷转移、[3] 非平面场效应晶体管中的栅极电介质、[4] 以及扩散屏障和保护涂层。[5] 当用作 Si 场效应钝化的表面涂层时，ALD AlO x 会引入
可穿戴系统基于eeg记录的超薄parylene c纹身电极
摘要：在一个越来越相互联系的世界中，电子设备渗透到我们生活的各个方面，旨在监视生理信号的可穿戴系统正在迅速接管运动和实力领域，以及康复和康复等生物医学领域。目的是为该领域提供新颖的方法，在本文中，我们讨论了可穿戴系统的开发，用于根据可移植的，低功耗的自定义PCB的特定使用，该系统设计用于与非惯用性的超易于良好的超透明和可强调的Parylene-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c tattoo tattoo tattoo tattoo tattoo tattoo tattoo tattoo tattoo tattoo tattoo tattoo tattoo tattoo Electrodes。已在标准的休息状态实验中测试了所提出的系统，并且将其在两个不同状态的歧视方面与商业可穿戴设备的歧视（即穆斯耳机）进行了比较，显示出可比的结果。这一第一个初步验证表明，可以方便地采用可方便的可容纳纹身纹身电极集成了便携式系统，以使大脑活动的不可思议。
采用范德华NbOCl2晶体的超薄量子光源
二维材料中的层间电子耦合可通过堆叠工程实现可调和的突发特性。然而，它也会导致二维半导体电子结构的显著演变和激子效应的衰减，例如当单层堆叠成范德华结构时，过渡金属二硫属化物中的激子光致发光和光学非线性会迅速降低。这里我们报告了一种范德华晶体——二氯化氧化铌 (NbOCl 2 )，其特点是层间电子耦合消失，块体形式下具有单层状激子行为，以及比单层 WS 2 高三个数量级的可扩展二次谐波产生强度。值得注意的是，强二阶非线性使得能够通过自发参量下转换 (SPDC) 过程在薄至约 46 纳米的薄片中产生相关参量光子对。据我们所知，这是第一个在二维层状材料中明确展示的 SPDC 源，也是有史以来报道的最薄的 SPDC 源。我们的工作为开发基于范德华材料的超紧凑片上 SPDC 源以及经典和量子光学技术中的高性能光子调制器开辟了一条道路 1–4 。
基于超薄 HfO2/Al2O3 双层的可靠 1T1R RRAM 电子突触，具有低功耗，可用于神经形态计算
1 西安交通大学电子材料研究实验室，教育部重点实验室，国际电介质研究中心，电子科学与工程学院，微纳制造与测试技术国际联合实验室，西安 710049，中国 2 中国科学院微电子研究所，微电子器件与集成技术重点实验室，北京 100029，中国 3 中国科学院大学，北京 100049，中国 4 西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室 & 微纳制造与测试技术国际联合实验室，西安 710049，中国 5 IHP-Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik，Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt，德国 6 上海交通大学信息功能材料国家重点实验室中国科学院微系统与信息技术研究所，上海市长宁路 865 号，邮编 200050，中华人民共和国 7 这些作者对这项工作做出了同等贡献。∗ 任何通讯作者均应致函。
用于静音语音接口的具有深度学习算法的超薄晶体硅基应变计
一种可视化每个区域受分类任务影响程度的方法。图 4d 展示了单词“ABSOLUTELY”和“AFTERNOON”的 R-CAM 结果。对于这两个词，我们的模型都关注 S2 传感器信号（第三行和第四行信号）显示主要特征运动的部分。关于单词“ABSOLUTELY”，我们的模型关注 0.6 秒时传感器 S2 的向下和向上凸起。关于“AFTERNOON”，同样，我们的模型在两种情况下都关注向下凸起的点，“AFTERNOON(i)”大约在 1 秒，“AFTERNOON(ii)”大约在 0.7 秒。结果表明，我们的模型并未过度拟合信号数据，而是关注阻力方差较大的特征信号部分。单词识别性能与 sEMG 的比较
基于石墨烯和独立单晶 BaTiO3 的超薄压电谐振器
5G 滤波器。[1] 特别是，独立薄膜体声波谐振器 (FBAR) 已被广泛用作 5G 频段的首选滤波器技术。FBAR 滤波器由夹在电极之间的压电材料薄膜组成，其呈电容器形状，悬浮在腔体上方。最先进的 FBAR 滤波器的厚度需要减小以满足不断增加的电信通信频率的要求，因为谐振频率与厚度成反比。然而，缩小当前设备几何形状具有挑战性，这不仅是因为制造这种超薄悬浮异质结构的复杂性，还因为多晶陶瓷的压电性能 [2,3] 和击穿电压会降低。[4,5] 此外，实现具有足够高电导率和低质量的纳米厚度均匀电极变得越来越困难。在这里，我们研究了独立的结晶复合氧化物作为替代材料平台，它可以减轻上述一些缺点并提高谐振滤波器的性能。众所周知，单晶比多晶具有更大的电介质击穿电压 [6]，而 BTO 和 PbZr x Ti 1 − x O 3 (PZT) 等材料比常用的 AlN 具有更高的压电系数，因此可以在薄膜形式下处理更高的电压和功率密度。此外，超薄独立形式的单晶复合氧化物具有机械强度 [7]，可承受高达 8% 的大应变，[8–10] 具有足够的柔韧性以允许较大的曲率 [11]，并且已经被证明是可行的纳米机械谐振器。 [12–14] 同时，电极也需要缩小尺寸，以支持 5G 和 6G 应用的高 GHz 频率。在这方面，石墨烯是一种理想的电极材料。石墨烯可将电传导至单原子层，[15] 具有超高迁移率，[16,17] 机械强度高，[18,19] 能够承受大应变 [20]，并且已证明可支持高达 300 GHz 的工作频率。[21] 因此，石墨烯在各种纳米机电系统 (NEMS) 应用中的使用已得到广泛探索。[22–29]
独立超薄膜的泊松比和残余应变
利用拉伸桥中的横向起皱现象来表征超薄膜 (<100 nm) 的泊松比和残余应变。该测试方法利用残余应力驱动结构和易于复制的洁净室制造和计量技术，可无缝整合到薄膜生产装配线上。独立式矩形超薄膜桥采用可产生可重复横向起皱图案的尺寸制造。基于非线性 Koiter 板壳能量公式进行数值建模，将泊松比和残余应变与测得的起皱变形关联起来。泊松比会影响峰值幅度，而不会显著改变皱纹的波长。相比之下，应变会同时影响波长和幅度。使用 65 nm 厚的铜膜演示了概念验证。测量结果显示泊松比为 0.34 ± 0.05，拉伸残余应变为 (6.8 ± 0.8)x 10 − 3。测量的残余应变与使用相同薄膜的交替残余应力驱动测试结构测得的残余应变 (7.1 ± 0.2)x 10 − 3 高度一致。
硅光伏超薄钝化层的电子特性
钝化接触迄今已取得一些成功，最有力的候选者是薄氧化硅层上的多晶硅（例如隧道氧化物钝化接触 (TOPCon) 或氧化物上的多晶硅 (POLO)）和非晶硅 (a-Si) 异质结。[3,7,8] TOPCon 是一种高效的电子选择接触，但具有较高的热预算，需要大约 900°C 的温度才能将接触电阻率降低到可接受的水平。[9] 一种可以匹配或超过当前电子选择材料性能的高效空穴选择层将引起相当大的兴趣。迄今为止，使用 SiO 2 为基础的空穴选择接触未能达到同等水平。[10,11] 最有前途的空穴选择接触材料是 p 型 a-Si 和富硅 SiC，但传统的高温 Ag 丝网印刷方法不一定与此类接触兼容。[10]
钙钛矿太阳能电池的超薄血浆聚合物钝化，以提高稳定性和可重复性
在人类行为引起的气候危机的情况下，[1,2]由于基于杂种金属卤化物钙钛矿配合的太阳能设备的发展，光电场在过去几年中经历了快速行为。[3]当前，这些设备已经达到了商业硅细胞的竞争效率。[4]迄今为止，使用中孔TIO 2（M -Tio 2）作为电子传输层（ETL），通过中端架构实现了最高效的钙钛矿太阳能电池（PSC）。介孔支架与吸湿化合物（如锂盐）相掺杂，以增强其电子迁移率。[5–8]尽管Li-Greatment主要改善了钙钛矿设备的性能，因为它主要改善了细胞的开路电压和填充因子，但它也会导致太阳能设备针对环境水分的不稳定性以及其光伏参数的低可重复性。[9,10]的确，如今为PSC实际开发而要克服的一些最重要的瓶颈与记录效率无关，而与两者都没有有关：1）他们缺乏可复制的制造方法； 2）固有的低稳定性在逼真的室外条件下（水分，紫外线照明，温度等）。在第一种情况下，PSC的效率分散率在更公认的实验室中远非狭窄，因为它已经在有关该主题的参考文章中进行了彻底讨论，因为Saliba等人，[9] Jimenez-López等人，[11] Qiu等。[12]和许多其他。[19-21]在第二位，PSC对环境条件的敏感性，尤其是对钙钛矿材料的敏感性，施加了使用干燥大气盒的使用，这阻碍了这些太阳能设备的大规模生产。[13–18]在这种情况下，许多研究人员致力于寻找钝化材料，以修改不利于设备的性能但会提高其稳定性的层中层。到目前为止，用于钝化界面的材料包括2D钙钛矿，金属氧化物化合物或绝缘有机材料。这些报道的方法通常使用解决方案方法，但是，尚未探索任何可扩展到工业制造的替代真空工艺。
钙钛矿太阳能电池的超薄血浆聚合物钝化，以提高稳定性和可重复性
在人类行为引起的气候危机的情况下，[1,2]由于基于杂种金属卤化物钙钛矿配合的太阳能设备的发展，光电场在过去几年中经历了快速行为。[3]当前，这些设备已经达到了商业硅细胞的竞争效率。[4]迄今为止，使用中孔TIO 2（M -Tio 2）作为电子传输层（ETL），通过中端架构实现了最高效的钙钛矿太阳能电池（PSC）。介孔支架与吸湿化合物（如锂盐）相掺杂，以增强其电子迁移率。[5–8]尽管Li-Greatment主要改善了钙钛矿设备的性能，因为它主要改善了细胞的开路电压和填充因子，但它也会导致太阳能设备针对环境水分的不稳定性以及其光伏参数的低可重复性。[9,10]的确，如今为PSC实际开发而要克服的一些最重要的瓶颈与记录效率无关，而与两者都没有有关：1）他们缺乏可复制的制造方法； 2）固有的低稳定性在逼真的室外条件下（水分，紫外线照明，温度等）。在第一种情况下，PSC的效率分散率在更公认的实验室中远非狭窄，因为它已经在有关该主题的参考文章中进行了彻底讨论，因为Saliba等人，[9] Jimenez-López等人，[11] Qiu等。[12]和许多其他。[19-21]在第二位，PSC对环境条件的敏感性，尤其是对钙钛矿材料的敏感性，施加了使用干燥大气盒的使用，这阻碍了这些太阳能设备的大规模生产。[13–18]在这种情况下，许多研究人员致力于寻找钝化材料，以修改不利于设备的性能但会提高其稳定性的层中层。到目前为止，用于钝化界面的材料包括2D钙钛矿，金属氧化物化合物或绝缘有机材料。这些报道的方法通常使用解决方案方法，但是，尚未探索任何可扩展到工业制造的替代真空工艺。