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用于电磁屏蔽和电热管理的超薄木质导电碳复合膜
近年来，木质复合材料凭借其可持续性及固有的层状多孔结构，在电磁干扰（EMI）屏蔽领域受到了广泛关注。木材的通道结构常用于负载高导电材料以提高木质复合材料的EMI屏蔽性能，但如何利用纯木材制备超薄EMI屏蔽材料的研究很少。本文首先通过平行于年轮切割木材得到超薄单板，然后通过简单的两步压制和碳化制备碳化木膜（CWF）。超薄厚度（140 μ m）、高电导率（58 S cm − 1 ）的CWF-1200的比EMI屏蔽效能（SSE/t）可达9861.41 dB cm 2 g − 1，远高于已报道的其他木质材料。此外，在CWF表面原位生长沸石咪唑酯骨架-8（ZIF-8）纳米晶体，得到CWF/ZIF-8。CWF/ZIF-8表现出高达46 dB的EMI屏蔽效能（SE），在X波段表现出11 330.04 dB cm 2 g − 1的超高SSE/t值。此外，超薄CWF还表现出优异的焦耳加热效应。因此，超薄木基薄膜的开发为木质生物质取代传统的不可再生且昂贵的电磁（EM）屏蔽材料提供了研究基础。
可穿戴系统基于eeg记录的超薄parylene c纹身电极
摘要：在一个越来越相互联系的世界中，电子设备渗透到我们生活的各个方面，旨在监视生理信号的可穿戴系统正在迅速接管运动和实力领域，以及康复和康复等生物医学领域。目的是为该领域提供新颖的方法，在本文中，我们讨论了可穿戴系统的开发，用于根据可移植的，低功耗的自定义PCB的特定使用，该系统设计用于与非惯用性的超易于良好的超透明和可强调的Parylene-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c-c tattoo tattoo tattoo tattoo tattoo tattoo tattoo tattoo tattoo tattoo tattoo tattoo tattoo tattoo Electrodes。已在标准的休息状态实验中测试了所提出的系统，并且将其在两个不同状态的歧视方面与商业可穿戴设备的歧视（即穆斯耳机）进行了比较，显示出可比的结果。这一第一个初步验证表明，可以方便地采用可方便的可容纳纹身纹身电极集成了便携式系统，以使大脑活动的不可思议。
超薄天线融合的基于玻璃的毫米波包装带有玻璃vias
摘要 - 本文介绍了针对低损坏互连的高带宽天线（AIP）模块的设计和演示，这些模块和Yagi-uda天线性能是在100 m m低系数的28-GHZ带的28-GHZ带上制造的100 µm低系数（CTE）玻璃。它显示了关键技术构建块的建模，设计和表征以及高级3D玻璃包装的过程开发。构建块包括在100- µm玻璃基板上具有背面模具组件的阻抗匹配的天线到de-die信号转变，Yagi – UDA天线和3-D主动 - 通行整体。讨论了天线集成毫米波（MM-WAVE）模块的设计和堆叠优化。还描述了在多层薄玻璃包装中实现高密度互连和精确尺寸控制的过程。关键技术构建块的表征结果显示，通过（TPV）（TPV），插入损失为0.021 dB，导致全链损失小于1 dB，回报损失低于20 dB。由于玻璃基板实现了过程控制，制造的Yagi – Uda天线具有宽带宽的高可重复性。天线测量值显示带宽为28.2％，涵盖了整个28 GHz第1级（5G）频带（N257，N258和N261）。，带有80- µm焊球的浮动芯片组装了低噪声放大器，可根据需要显示20 dB的最大增益。基于玻璃的包装集成天线的性能是针对其他5G底物技术的基准测试的，例如有机层压板或基于陶瓷的底物。
通过脉冲激光软沉积 TCO 以获得高质量的超薄多晶硅钝化接触
本文探讨了脉冲激光沉积 (PLD) 透明导电氧化物 (TCO) 在高质量超薄多晶硅基钝化接触上的适用性。通过减小多晶硅层厚度，可以最大限度地减少多晶硅层引起的寄生吸收。然而，多晶硅触点上的 TCO 沉积（通常通过溅射）会导致严重的沉积损伤，并进一步加剧较薄多晶硅层（<20 纳米）的表面钝化。虽然可以使用高温（约 350 摄氏度）热处理来部分修复表面钝化质量，但由于在多晶硅/ITO 界面形成了寄生氧化层，接触电阻率严重增加。或者，我们表明 PLD TCO 可用于减轻超薄（约 10 纳米）多晶硅层的损伤。通过增加沉积压力可以进一步改善多晶硅触点钝化，同时通过在高质量超薄多晶硅（n+）触点上使用 PLD 掺杂铟的氧化锡 (ITO) 层可实现低触点电阻率（约 45 m Ω cm 2）和良好的热稳定性（高达 350 °C）。通过将 PLD ITO 膜的出色光电特性与 10 nm 薄多晶硅触点相结合，可以实现高度透明的正面触点。
超薄AL2O3保护层，以稳定无定形WOX薄膜的电致变色转换性能
尽管人口不断增长，并且主要能源需求的增加，但为了抵消全球气候变化，对节能和能够维持的技术的需求是增加优先级。[1,2]由于它们的多样性和多功能性，过渡金属氧化物在能源相关的应用中起着核心作用[3-7]，例如锂离子电池，超级电容器，照相和电含量和电载体或电元素或电代理（EC）设备。[8-17]为了稳定氧化物针对不希望的侧反应，可以使用薄的惰性保护层，如所示，例如，用于锂离子蝙蝠中的阴极材料。[18–21] EC设备具有在建筑业节能中发挥关键作用的潜力，该建筑业占欧洲能源征服的42％。[22,23]为此，电铬效应用于所谓的智能窗口。电色素是基于外部电压刺激的光吸收的可逆变化，这会导致（脱）对EC材料中电位的（例如H +，Li +或Na +）的（例如H +，Li +或Na +）的氧化还原反应。结果，材料中发生的着色或漂白过程。通常，EC材料可以分为两种不同类型。一种类型由所谓的阳极EC材料表示，其中离子的去分离会导致着色。其中包括Ni或IR的氧化物。[24]另一种类型是由阴极EC材料表示的。它们在离子插入时表现出着色。典型的代表是MOO 3或WO 3。氧化钨氧化物可以被视为最概述的EC材料，从那以后，它一直受到密集研究。[25–27]其阴极EC机制在离子插入时产生强烈的着色。因此，光态调节从不透明到深蓝色。根据
超薄非晶 NbP 半金属中的表面导电和降低的电阻率
众所周知，由于电子表面散射，传统金属（如铜）的电阻率在薄膜中会增加，从而限制了金属在纳米级电子器件中的性能。在这里，我们发现在相对较低的 400°C 温度下沉积的磷化铌 (NbP) 半金属中，随着薄膜厚度的降低，电阻率会异常降低。在厚度小于 5 纳米的薄膜中，室温电阻率（1.5 纳米厚的 NbP 约为 34 微欧姆厘米）比我们的块体 NbP 薄膜的电阻率低六倍，并且低于类似厚度的传统金属（通常约为 100 微欧姆厘米）。NbP 薄膜不是晶体，而是在非晶态基质内表现出局部纳米晶体、短程有序。我们的分析表明，较低的有效电阻率是由通过表面通道的传导以及薄膜厚度减小时的高表面载流子密度和足够好的迁移率引起的。这些结果和在此获得的基本见解可以实现超越传统金属限制的超薄、低电阻率纳米电子线。
超薄 NiS 纳米片作为高能量密度超级电容器的先进电极
Ni 前驱体采用一步水热法制备（如图 S1† 所示）。首先，将 0.4 g 尿素和 0.58 g NiNO3$6H2O 在 3 mL 乙醇和 37 mL 纯净水的混合物中搅拌 60 分钟。然后，将该溶液和矩形 Ni 泡沫基底转移到高压釜中，以 3 C min-1 的升温速率加热至 180 C，并在 180 C 下保温 18 小时。第三，将产物从高压釜中取出，用超声波清洗 10 分钟，以去除表面的松散产物。然后将 Ni 前驱体和 Na2S 溶液转移到高压釜中，在 120 C 下加热并保温 3 小时，从而制备出 NiS 纳米片。最后，用去离子水清洗所得样品并在 60 C 下干燥以进一步表征。 Ni泡沫上NiS的质量负载约为28mg，面积负载约为3.2cm2，计算得出单位面积质量负载为8.8mg/cm2。
钙钛矿太阳能电池的超薄等离子体聚合物钝化可提高稳定性和可重复性
在人类活动导致的气候危机背景下[1,2]，由于基于混合金属卤化物钙钛矿材料的太阳能装置的发展，光伏领域在过去几年中取得了迅速发展。 [3] 目前，这些装置的效率已经与商业硅电池相媲美。 [4] 迄今为止，最高效的钙钛矿太阳能电池 (PSC) 是通过使用介孔 TiO 2 (m-TiO 2) 作为电子传输层 (ETL) 的介观结构实现的。介孔支架通常掺杂吸湿化合物如锂盐以增强其电子迁移率。 [5–8] 虽然锂处理提高了钙钛矿装置的性能，因为它主要提高了电池的开路电压和填充因子，但它也导致太阳能装置对环境湿度的不稳定性更大，以及其光伏参数的低可重复性。 [9,10] 事实上，目前 PSC 实际应用面临的一些最重要瓶颈与创纪录的效率无关，而是与以下两个方面有关：1) 缺乏可重复的制造方法；2) 在实际室外条件下（湿度、紫外线照射、温度等）固有的低稳定性。在第一种情况下，PSC 的效率分散性在更受认可的实验室中并不狭窄，正如 Saliba 等人 [9] Jimenez-López 等人 [11] Qiu 等人 [12] 等许多学者在该主题的参考文章中对此进行了彻底讨论。其次，PSC 对环境条件的敏感性，尤其是钙钛矿材料，要求使用干气氛手套箱，这阻碍了这些太阳能装置的大规模生产。 [13–18] 在此背景下，许多研究人员致力于寻找钝化材料来修改中间层，这些材料不会损害器件的性能，但可以提高器件的稳定性。到目前为止，用于钝化界面的材料包括二维钙钛矿、金属氧化物化合物或绝缘有机材料。这些报道的方法通常使用溶液法，然而，尚未探索可扩展到工业制造的替代真空工艺。[19–21]
钙钛矿太阳能电池的超薄血浆聚合物钝化，以提高稳定性和可重复性
在人类行为引起的气候危机的情况下，[1,2]由于基于杂种金属卤化物钙钛矿配合的太阳能设备的发展，光电场在过去几年中经历了快速行为。[3]当前，这些设备已经达到了商业硅细胞的竞争效率。[4]迄今为止，使用中孔TIO 2（M -Tio 2）作为电子传输层（ETL），通过中端架构实现了最高效的钙钛矿太阳能电池（PSC）。介孔支架与吸湿化合物（如锂盐）相掺杂，以增强其电子迁移率。[5–8]尽管Li-Greatment主要改善了钙钛矿设备的性能，因为它主要改善了细胞的开路电压和填充因子，但它也会导致太阳能设备针对环境水分的不稳定性以及其光伏参数的低可重复性。[9,10]的确，如今为PSC实际开发而要克服的一些最重要的瓶颈与记录效率无关，而与两者都没有有关：1）他们缺乏可复制的制造方法； 2）固有的低稳定性在逼真的室外条件下（水分，紫外线照明，温度等）。在第一种情况下，PSC的效率分散率在更公认的实验室中远非狭窄，因为它已经在有关该主题的参考文章中进行了彻底讨论，因为Saliba等人，[9] Jimenez-López等人，[11] Qiu等。[12]和许多其他。[19-21]在第二位，PSC对环境条件的敏感性，尤其是对钙钛矿材料的敏感性，施加了使用干燥大气盒的使用，这阻碍了这些太阳能设备的大规模生产。[13–18]在这种情况下，许多研究人员致力于寻找钝化材料，以修改不利于设备的性能但会提高其稳定性的层中层。到目前为止，用于钝化界面的材料包括2D钙钛矿，金属氧化物化合物或绝缘有机材料。这些报道的方法通常使用解决方案方法，但是，尚未探索任何可扩展到工业制造的替代真空工艺。