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摘要:本文介绍了一种将超薄硅芯片嵌入机械柔性阻焊层中并通过喷墨打印实现电接触的方法。将感光阻焊层通过保形喷涂涂覆到具有菊花链布局的环氧粘合超薄芯片上。使用紫外线直接曝光的光刻技术打开接触垫。实现了直径为 90 µ m 和边长为 130 µ m 的圆形和矩形开口。喷墨打印含有纳米银和金的商用油墨,以在菊花链结构之间形成导电轨道。应用了不同数量的油墨层。通过针探测来表征轨道电阻。银油墨仅在多层和 90 µ m 开口时才显示低电阻,而金油墨在至少两层印刷层时表现出个位数 Ω 范围内的低电阻。
摘要:在 Ag/AlO x 堆栈上生长了 550 nm 的超薄 Cu(In,Ga)Se 2 (CIGS) 吸收层。堆栈的添加使太阳能电池的填充因子、开路电压和短路电流密度得到改善。效率从 7% 提高到近 12%。光致发光 (PL) 和时间分辨 PL 得到改善,这归因于 AlO x 的钝化特性。由于光散射和表面粗糙度增加,测量到的电流增加了近 2 mA/cm 2。利用飞行时间-二次离子质谱法测量了元素分布。发现 Ag 贯穿整个 CIGS 层。Mo 背面的二次电子显微镜图像显示了 Ag/AlO x 堆栈的残留物,这通过能量色散 X 射线光谱测量得到了证实。这被认为是导致表面粗糙度和散射特性增加的原因。在正面,可以看到带有 Ag/AlO x 背接触的电池有大片污渍。因此,在裸露的吸收层上应用了氨硫化物蚀刻步骤,将效率进一步提高到 11.7%。它显示了在背面使用 Ag/AlO x 堆栈来改善超薄 CIGS 太阳能电池的电气和光学特性的潜力。
d 中山大学化学学院生物无机与合成化学教育部重点实验室,广州 510275 基于钙钛矿纳米晶体的发光二极管 (PNCs-LED) 引起了下一代显示和照明技术的极大兴趣,因为它们的色纯度、高亮度和发光效率接近从器件结构中提取电致发光的固有极限。虽然现在是开发有效的光耦合策略以进一步提高器件性能的时候了,但 PNC-LED 的这一技术相关方面仍然没有明确的解决方案。在这里,遵循理论指导并且没有集成复杂的光子结构,我们实现了稳定的 PNC-LED,其 EQE 高达 29.2%(平均 EQE =24.7%),这大大突破了普通 PNC-LED 的耦合限制,并系统地超越了以前任何基于钙钛矿的器件。这种前所未有的性能的关键是引导薄至 10 nm 的 PNC 发射层中的复合区,我们通过使用用镍氧化物层重新表面化的 CsPbBr 3 PNC 精细平衡电子和空穴传输来实现这一点。超薄方法具有普遍性,原则上也适用于其他钙钛矿纳米结构,用于制造高效、颜色可调的透明 LED,非常适合不显眼的屏幕和显示器,并与光子元件的集成兼容,以进一步提高性能。关键词:卤化铅钙钛矿纳米晶体、发光二极管、外部量子效率、光耦合、透明 LED 近几年来,铅因其优越的光学性能和经济实惠的溶液加工性而备受推崇
Marquez, 2 R. O'Connor 1,3 1 都柏林城市大学物理科学学院,格拉斯内文,都柏林 9,爱尔兰 2 工程技术学院,物理和数学系,自治
高表面积半导体在电子和能量转换中具有多个应用。[1,2]虽然有规定的光伏设备将阳光直接转化为电力,而光化学(PEC)水分裂为利用这种可再生能源提供了替代途径。在PEC细胞中,水在催化金属氧化物界面处分解,以H 2(G)的形式存储化学能。理想的PEC细胞将具有较大的催化表面积,直接电子传输途径和最佳的阳光聚集。[3]多孔纳米结构的半控导管通过增加设备中吸收材料和光散射的量来满足这些要求。[4]然而,介孔无机3D网的制造能够控制几何和内部形态仍然是一个挑战。与传统使用的湿合成路线相比,原子层沉积(ALD)是一种广泛应用于现代电子产品的简单涂层方法。在ALD中,交替的反应物被沉积在基板上,限制了对其表面层的反应。因此,ALD可以用超高精度沉积薄膜。理想情况下,可以制备每一个ALD循环的薄膜,并且通常每循环的膜生长范围在0.01至0.3 nm之间。[5]可以通过简单地增加ALD循环的数量,以更长的沉积时间来制备较厚的层。基于纤维素的材料作为ALD模板具有吸引力,因为可以使用各种结构和表面化学材料。Kemell等。是第一个通过ALD在纤维素过滤纸上进行光催化应用的ALD模板2的模板。[6] Hyde等。在棉花斑块上表征了ALD涂层,涂上Al 2 O 3涂层来调整润湿性,以及Tino X涂层以促进细胞的粘附和生长。[7,8]对于需要孔隙率和高比表面积的应用,纳米纤维素气凝剂提供了一个具有层次 - 层次多孔结构的模板,其中可以在纳米孔中转移平均孔径到微米范围。[9,10],例如,Korhonen等。带有TIO 2的涂层纤维素纳米纤维(CNF)气凝胶,并证明了它们作为湿度传感器和油吸收剂的应用。[11]最近,Li等人。使用CNF Aerogels作为TIO 2的ALD模板,为水分拆分细胞制备毛细管光轴。[3]用毛细管湿润的电极
摘要:宽带长波长红外(LWIR)光吸收体在热发射与成像、红外伪装以及废热和生物热能利用等方面有着重要的应用。然而,宽带LWIR光吸收体的实际应用需要低成本、易于制造且厚度有限的大面积结构。本文报道了一种采用梯度折射率策略设计和制造的超薄、宽带、全向、偏振无关的LWIR光吸收体,该吸收体由阳极氧化铝和高掺杂Si组成。宽带光吸收体在8 – 15 μm波长范围内的平均吸收率高于95%,并且具有宽的入射角和偏振公差。在8 – 15 μm波长范围内,95%以上的光能量被吸收。
传感器和反应。[6]这种方法需要纳米级操纵,并了解有关生物聚合物运输的物理学的理解。尽管研究和设计不同的几何几何限制[7] 探究了运输过程的各个方面,但通过人工纳米渠道的生物聚合物传输现象的基本面尚未完全解决。 一个挑战是纳米级运输过程中涉及的众多力量。 分子转运是由生物聚合物经历的熵,电渗和电泳力的相互作用驱动的。 [7-12]例如,纳米限制诱导的熵屏障阻碍了由电泳力驱动的大型DNA聚合物线圈的插入,这些线圈驱动到较小的纳米孔中,而纳米孔和chan-可能与天然生物学通道和泊松的长度尺度一样小。 另一个挑战在于模仿光滑且原子上精确的表面,这将使研究人员能够将固有的聚合物行为从表面相互作用中解散。 [13]硝酸硅/氧化硅的基础岩石已被广泛用于纳米流体通道以转移生物聚合物,但它们患有明显的(纳米含量很少的均方根(RMS))表面粗糙度和不均匀表面。 [14–16]尝试使用碳纳米管(CNT)(CNT),具有光滑的内表面,面部挑战探究了运输过程的各个方面,但通过人工纳米渠道的生物聚合物传输现象的基本面尚未完全解决。一个挑战是纳米级运输过程中涉及的众多力量。分子转运是由生物聚合物经历的熵,电渗和电泳力的相互作用驱动的。[7-12]例如,纳米限制诱导的熵屏障阻碍了由电泳力驱动的大型DNA聚合物线圈的插入,这些线圈驱动到较小的纳米孔中,而纳米孔和chan-可能与天然生物学通道和泊松的长度尺度一样小。另一个挑战在于模仿光滑且原子上精确的表面,这将使研究人员能够将固有的聚合物行为从表面相互作用中解散。[13]硝酸硅/氧化硅的基础岩石已被广泛用于纳米流体通道以转移生物聚合物,但它们患有明显的(纳米含量很少的均方根(RMS))表面粗糙度和不均匀表面。[14–16]尝试使用碳纳米管(CNT)(CNT),具有光滑的内表面,面部挑战
是温度内存聚合物(TMP),在加热并超过开关温度T SW时能够执行预定的形状变化。t sw被先前的变形步骤中施加的温度T变形确定。[2]在分子水平上,温度记忆效应由两个结构特征实现。开关域正在固定临时形状,并通过熵弹性驱动恢复。交叉链接定义了其原始状态和恢复状态的永久形状。它们将麦克索变形传递到分子水平。对于后者,基于高熔化的微晶的物理交联特别感兴趣,因为所得的材料是可以重新处理的。用于将TMP用作植入物材料,T SW应在人体可耐受的范围内调节。降解性是一种附加功能。这种多功能材料已与基于可结晶的寡聚(ε-caprolactone)(OCL)的多块共聚物实现,这些单元与疏水和高融化和高融化[3] Oligo(ω-pentadecalactone)(optadecalactone)(Opdl)(OPDL)cegments by urthane Junitane Junitane Jun。[2]这些伴侣可以通过酯的水解降解,从而预期晶体单位的降解比无定形的降解较慢。[4,5]因此,可以推测OCL Crystallites执行形状开关的熔化可以增强降解性。因此,温度记忆和降解功能将与可编程开关温度T SW依次耦合。基于这些考虑,对加速条件下的宏观共溶性酯(PDLCL)测试标本进行了定性评估(图S8,支持信息)。的降解性确实在依赖于T变形和降解温度的情况很大。然而,在所使用的高度酸性条件下,质子的催化活性在所有酯键上可能非常相似,因此,需要较少的严格条件才能理解功能相互关系。基于OPDL片段的水解速率[6]和Poly(ε-2酚)(PCL),[7]可以预期,体内PDLCLS降解的模式是从材料中逐渐浸出OCL块。可以在langmuir单层降解实验中模拟这种效果,其中,在脂肪酶酶的前提下,只有OCL段是浸出的
1纳米科学技术中心,奥兰多市中心大学 - 美国佛罗里达州32826。 2 Creol,佛罗里达州中部佛罗里达大学的光学与光子学院,美国佛罗里达州32816,美国。 3佛罗里达州中部佛罗里达大学化学系32816,美国4材料科学与工程系,佛罗里达州中部佛罗里达大学,奥兰多,佛罗里达州,佛罗里达州32816,美国。 5物理系,佛罗里达州中部奥兰多市,佛罗里达州32816,美国。 有机无机卤化物钙钛矿量子点(PQD)构成了用于光电设备应用的吸引人的材料,因为它们的独特特性,例如宽带宽度吸收,高灭绝系数和长的电子孔 - 孔 - 孔 - 孔孔扩散长度。 但是,它们的电荷传输特性不如石墨烯。 另一方面,石墨烯的电荷产生效率太低,无法在许多光电应用中使用。 目前无法使用有效的光生成和快速电荷传输的石墨烯-PQD(G-PQD)上层建筑。 在本文中,我们使用新型缺陷介导的生长机制直接从石墨烯晶格中生长PQD制备的G-PQDS上层结构,展示了超薄的光晶体管和光子突触。 我们的模拟和实验结果表明,从石墨烯晶格中生长的PQD可以提供有效的途径,将光激发电荷直接传输到石墨烯,从而同步有效的电荷产生和在单个平台上同步。 但是,单层的石墨烯仅吸收2.3%的事件可见光11。 这些1纳米科学技术中心,奥兰多市中心大学 - 美国佛罗里达州32826。2 Creol,佛罗里达州中部佛罗里达大学的光学与光子学院,美国佛罗里达州32816,美国。3佛罗里达州中部佛罗里达大学化学系32816,美国4材料科学与工程系,佛罗里达州中部佛罗里达大学,奥兰多,佛罗里达州,佛罗里达州32816,美国。5物理系,佛罗里达州中部奥兰多市,佛罗里达州32816,美国。 有机无机卤化物钙钛矿量子点(PQD)构成了用于光电设备应用的吸引人的材料,因为它们的独特特性,例如宽带宽度吸收,高灭绝系数和长的电子孔 - 孔 - 孔 - 孔孔扩散长度。 但是,它们的电荷传输特性不如石墨烯。 另一方面,石墨烯的电荷产生效率太低,无法在许多光电应用中使用。 目前无法使用有效的光生成和快速电荷传输的石墨烯-PQD(G-PQD)上层建筑。 在本文中,我们使用新型缺陷介导的生长机制直接从石墨烯晶格中生长PQD制备的G-PQDS上层结构,展示了超薄的光晶体管和光子突触。 我们的模拟和实验结果表明,从石墨烯晶格中生长的PQD可以提供有效的途径,将光激发电荷直接传输到石墨烯,从而同步有效的电荷产生和在单个平台上同步。 但是,单层的石墨烯仅吸收2.3%的事件可见光11。 这些5物理系,佛罗里达州中部奥兰多市,佛罗里达州32816,美国。有机无机卤化物钙钛矿量子点(PQD)构成了用于光电设备应用的吸引人的材料,因为它们的独特特性,例如宽带宽度吸收,高灭绝系数和长的电子孔 - 孔 - 孔 - 孔孔扩散长度。但是,它们的电荷传输特性不如石墨烯。另一方面,石墨烯的电荷产生效率太低,无法在许多光电应用中使用。目前无法使用有效的光生成和快速电荷传输的石墨烯-PQD(G-PQD)上层建筑。在本文中,我们使用新型缺陷介导的生长机制直接从石墨烯晶格中生长PQD制备的G-PQDS上层结构,展示了超薄的光晶体管和光子突触。我们的模拟和实验结果表明,从石墨烯晶格中生长的PQD可以提供有效的途径,将光激发电荷直接传输到石墨烯,从而同步有效的电荷产生和在单个平台上同步。但是,单层的石墨烯仅吸收2.3%的事件可见光11。这些厚度小于20 nm的光晶体管使用该G -PQD上层建筑制备的响应性出色的响应性为1.4×10 8 AW -1,在430 nm处的特异性检测性为4.72×10 15 Jones。此外,上层建筑的光辅助记忆效应使我们能够以36.75 PJ/ SPIKE的低能消耗来证明光子突触行为,这与神经形态计算高度相关。我们通过在机器学习的帮助下证明面部识别来揭示其在神经形态计算中的应用。我们预计PQD上层建筑将在开发高效和超薄的光电设备方面加强新的方向。引言石墨烯是电子和光电应用的理想材料,这是由于其广泛的光谱带宽,出色的运输属性具有很高的迁移率(电子迁移率> 15000 cm2Åv-1·S -1),在环境条件下的特殊稳定性和出色的灵活性稳定性和出色的灵活性1-6。已经开发了大量的复合材料和设备,用于在能量收集和存储中应用,光电遗传学和晶体管7-10。迄今为止,石墨烯光电探测器的响应性仅限于10 -2 AW -1。