在DNA模板上制备的银纳米线的最新研究集中在两个基本应用上:纳米级电路和传感器。尽管具有广泛的潜力,但尚不清楚DNA-纳米线的形成动力学。在这里,我们提出了一个实验证明,表明在单分子水平下通过化学还原在单分子水平下直径为2.2+0.4 nm的银纳米线形成。我们使用光学镊子与微富集化学结合使用了AG⁺-DNA复合物和Ag-DNA复合物的形成期间的平衡和扰动动力学实验,以测量力光谱和Ag-DNA复合物。添加Agno 3导致2分钟内的力增加5.5-7.5 pn,表明Ag +紧凑了DNA结构。相比之下,添加氢验导致力减少4-5 pn。形态表征证实了由银原子形成的致密结构,桥接了DNA链,并在金属化之前和之后揭示了构象差异。我们使用粗粒的双链DNA(DSDNA)模型将实验数据与Brownian动力学模拟进行了比较,该模型提供了对力对持久长度的依赖性的见解。
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材料的质超塑性是一个重要研究的重要领域,因为它在流动机制领域中呈现出重要的挑战,并且因为它形成了商业超规模形成行业的基础,其中复杂形状和弯曲部分是由超塑性金属形成的[1,2]。众所周知,必须满足两个基本要求才能达到超塑性流。首先,超塑性需要很小的晶粒尺寸,典型的小于约10μm。其次,超塑性是一个具有晶粒边界(GB)滑动的扩散控制过程 - 作为主要流动机制 - 因此,它需要相对较高的测试温度,通常在或高于约0.7-0.8×T m,其中T m是材料的绝对熔化温度。同时,在过去的二十年中,金属材料的开发通过严重的塑料变形(SPD)进行了纳米化范围的超细晶粒,从而铺平了朝着超塑性领域的新发现铺平的道路[3,4]。实际上,
硅是一种用于低温热能清除应用的丰富元素热电材料,通常患有相当低的热电效率。提高效率的一种可行解决方案是提高非硅硅(A-SI)的功率因数(PF),同时保持热导率足够低。在这项工作中,我们报告说,Pf> 1 m wm-1 K-2是可用于硼植入的p型P型A-SI膜,该膜分散,通过在温度≤600°C的温度下通过退火而实现的超细晶体。在550°C下退火可启动用嵌入A-SI基质中的亚纳米晶体结晶。所得的薄膜保持高电阻,因此产生了低的PF。在600°C下的退火大约使以双峰尺寸分布特征的特征降低了亚5-nm纳米晶体的密度,并因此减少了膜中无定形相的分数。因此,在室温下测得的PF> 1 m wm -1 k - 2急剧增强的电导率,因此Pf> 1 m wm -1 k -2。结果表明,在大型热电应用中,硅具有巨大的潜力,并基于硅热电话建立了通往高性能能量收集和冷却的途径。