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World File Search System超高真空
Aremco - 高温解决方案
502-800澳门玻璃陶瓷：建议用于1472ºF（800ºC）的温度，高达1832ºF（1000ºC）。表现出低导热性，高强度，高电绝缘，零孔隙率，无润湿和热膨胀系数，类似于大多数金属和密封玻璃。机器的紧密公差高达0.0005英寸，表面光洁度小于20µin，并抛光达到0.5µin。用于超高真空，航空航天，核，焊接，固定和医疗应用。容易加工，不需要射击。条，圆盘，杆和板的直径为1⁄16英寸，直径为12英寸。
多层原子和离子陷阱的制作
增加受控原子和量子比特的数量的必要先决条件是允许应用相应数量信号的微结构，例如B.通过整合微波线路。这是通过叠加结构实现的，类似于多层电路板。 PTB 结构由一组厚金属导体层组成，这些层彼此通过电介质隔开，并通过通孔选择性地相互连接。原则上，金属层的数量是不受限制的，因为每一层都具有高度精确的整体平面化。该工艺仅使用符合环境超高真空对原子和离子捕获的严格要求以及低温操作的材料；此外，该结构的高频特性非常优异。
多层原子和离子阱的制造
增加受控原子和量子比特的数量的一个基本前提是允许应用相应量信号的微结构，例如B.通过整合微波线路。这是通过叠加结构实现的，类似于多层电路板。 PTB 结构由一组厚金属导体层组成，这些层彼此通过电介质隔开，并通过通孔选择性地相互连接。原则上，金属层的数量是不受限制的，因为每一层都具有高度精确的整体平面化。该工艺仅使用符合环境超高真空对原子和离子捕获的严格要求以及低温操作的材料；此外，该结构的高频特性非常优异。
多层原子和离子阱的制造
增加受控原子和量子比特的数量的一个基本前提是允许应用相应量信号的微结构，例如B.通过整合微波线路。这是通过叠加结构实现的，类似于多层电路板。 PTB 结构由一组厚金属导体层组成，这些层彼此通过电介质隔开，并通过通孔选择性地相互连接。原则上，金属层的数量是不受限制的，因为每一层都具有高度精确的整体平面化。该工艺仅使用符合环境超高真空对原子和离子捕获的严格要求以及低温操作的材料；此外，该结构的高频特性非常优异。
量子器件的分子束外延生长
“界面就是器件”。2000 年诺贝尔物理学奖获得者赫伯特·克勒默的宣言精辟地概括了界面在电子器件功能和性能中发挥的核心作用。[1] 对于基于低维或拓扑量子材料的器件来说，这句话更是如此，因为它们的性质通常对表面和界面周围的几个原子层敏感。[2-5] 如此精密的“量子器件”需要能够以良好可控的方式实现原子级清洁、突变和平整界面的制造技术。这显然超出了低真空、环境空气或溶液环境下的传统制造工艺的范围。分子束外延 (MBE) 是一种可以提供最佳界面条件和可控性的制备方法，采用超高真空 (UHV) 环境、高纯度蒸发源、缓慢的生长速度和可精细调节的生长参数。[6] 标准 MBE 技术通常用于生长薄膜和垂直异质结构。一些平面纳米结构也可以通过 MBE 制备，[7,8] 但其控制效果不如传统光刻或电子束光刻那么好。通过 MBE 生长的“干净”样品必须经历“肮脏”的制造过程才能制成器件。这些过程中产生的不受控的表面和界面会显著改变器件的性能，尤其是由表面/界面敏感的量子材料制成的器件。人们非常希望通过分子束外延直接生长由量子材料组成的极其脆弱的器件，然后将其封装在超高真空环境中，以保留其原有性能。在过去的几年中，在平面纳米结构和器件的直接分子束外延生长技术方面取得了令人鼓舞的实验进展，[9-18] 这在很大程度上得益于
TURBOVAC i 涡轮分子泵 - 欧瑞康
值得信赖的性能得益于其可变转子和阻力级设计，新型 TURBOVAC i 系列可为不同应用提供合适的性能：对于超高真空应用和紧凑型泵系统解决方案，TURBOVAC 350 i 和 450 i 是首选产品。轻气体抽速比当前参考产品高出 60%，压缩值比上一代产品高出约 100 倍，它们特别适合与小型前级泵配合使用。您的优势：真空系统明显更小、初始和运营成本更低、占地面积更紧凑。
多层原子和离子阱的制造
增加受控原子和量子比特的数量的一个基本前提是允许应用相应量信号的微结构，例如B.通过整合微波线路。这是通过叠加结构实现的，类似于多层电路板。 PTB 结构由一组厚金属导体层组成，这些层彼此通过电介质隔开，并通过通孔选择性地相互连接。原则上，金属层的数量是不受限制的，因为每一层都具有高度精确的整体平面化。该工艺仅使用符合环境超高真空对原子和离子捕获的严格要求以及低温操作的材料；此外，该结构的高频特性非常优异。
多层原子和离子阱的制作
增加受控原子和量子比特的数量的必要先决条件是允许应用相应数量信号的微结构，例如B. 通过整合微波线。这是通过叠加的结构实现的，类似于多层电路板。PTB 结构由一组厚金属导体层组成，这些层彼此通过电介质隔开，并通过通孔选择性地相互连接。金属层的数量原则上是不受限制的，因为每一层都具有高度精确的整体平面化。该工艺仅使用与环境超高真空以及低温操作对原子和离子捕获的严格要求相兼容的材料；此外，该结构的高频特性非常优异。
通过高解析度阐明氮化钛中的位错核心结构
术语 TiN：氮化钛 MgO：氧化镁 TMN：过渡金属氮化物 FCC：面心立方 B1：岩盐结构 UHV：超高真空 TEM：透射电子显微镜 STEM：扫描透射电子显微镜 HAADF：高角度环形暗场 DFT：密度泛函理论 MEAM：改进的嵌入原子方法 XRD：X 射线衍射 ToF-ERDA：飞行时间弹性反冲检测分析 BF：明场 FIB：聚焦离子束 SEM：扫描电子显微镜 FFT：快速傅里叶变换 DOS：态密度 FWHM：半峰全宽 GSFE：广义堆垛层错能 OP：重叠布居