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在氧化铝上生长的纳米厚 ZnO/SnO2 异质结构可用于 H2S 传感
摘要：设计纳米级异质结构材料是增强气体传感性能的一种众所周知的方法。在本研究中，溶解在乙醇溶剂中的氯化锌和二水合氯化锡的混合溶液被用作初始前体，使用超声喷雾热解 (USP) 法在氧化铝基底上沉积传感层。通过在初始前体中应用不同的比例来生长几种 ZnO/SnO 2 异质结构。这些异质结构被用作传感 H 2 S 气体分子的活性材料。结果表明，USP 前体中氯化锌的增加会改变传感器的 H 2 S 灵敏度。发现最佳工作温度为 450°C。传感器的 USP 前体中含有 5:1（ZnCl 2:SnCl 2·2H 2 O）的比例，比纯 SnO 2（约 95 倍）样品和其他异质结构具有更高的响应。随后，还研究了 ZnO/SnO 2 异质结构对 5 ppm NO 2 、200 ppm 甲醇、100 ppm CH 4 、丙酮和乙醇的选择性。分析了 ZnO/SnO 2 的气敏机理，认为气敏性能的显著提高主要归因于 ZnO 和 SnO 2 之间异质结构的形成。还利用 X 射线衍射、扫描电子显微镜、能量色散 X 射线、透射电子显微镜和 X 射线光电子能谱分析了合成的材料，以研究 ZnO/SnO 2 异质结构的材料分布、晶粒尺寸和材料质量。关键词：气体传感器、ZnO/SnO 2 、异质结构、超声喷雾热解、H 2 S ■ 介绍
基于纳米厚窄带隙半导体PbS薄膜的紫外光电探测器
摘要：紫外光电探测器（UVPD）在军事和民用应用中发挥着重要作用，通常采用宽带隙半导体（WBS）作为构造模块来制造。遗憾的是，基于 WBS 的 UVPD 商业化往往受到其相对较高的制造成本的限制，因为需要使用非常复杂的生长仪器。在本文中，我们提出了一种基于具有相对较小带隙的非 WBS 硫化铅（PbS）的灵敏 UVPD。器件分析表明，由 48.5 nm PbS 纳米薄膜制成的 UVPD 对 365 nm 的紫外线照射高度敏感。具体而言，在 365 nm 照射下的响应度和特定探测率分别为 22.25 AW − 1 和 4.97 × 10 12 Jones，与大多数传统的基于 WBS 的 UVPD 相当或更好。基于 PbS 纳米薄膜的 UVPD 还表现出优异的环境稳定性。实验结果和基于技术计算机辅助设计软件的模拟证实，PbS 纳米薄膜的异常特性与相对较薄的厚度和波长相关的吸收系数有关。这些结果为窄带隙半导体在未来光电设备和系统中实现低成本敏感 UVPD 提供了机会。关键词：紫外光电探测器、窄带隙半导体、PbS、高响应度、技术计算机辅助设计 ■ 介绍
用厚的碳纤维增强聚合物层压板剪切和弯曲钢梁的弯曲和弯曲
在本文中，提出了由高模量碳纤维增强聚合物（CFRP）层压板增强的结构钢梁的剪切和弯曲行为。完全，在3分弯曲测试设置下测试了18个钢样本，包括6个不加强的梁作为对照样品和12个具有简单支撑的强化钢梁。使用键合系统加强所有标本。研究了不同参数的影响，包括钢梁的长度，样品的截面大小，CFRP层压板的数量以及CFRP层压板的位置。基于预期的故障模式，在张力法兰，压缩法兰和梁网的表面上实现了粘合的层压板。在测试的梁中观察到了弯曲，剪切和侧向屈曲失败的三种故障模式。这些实验的主要目标是评估负载能力，梁延展性和初始刚度的增强。结果表明，加强钢梁的产量载荷，最终负载能力和能量吸收分别提高了15％，29％和28％。最后，为了预测测试结果并比较实际和预测的阀门，进行了分析和数值研究。
砂拉越的森林碳计划：可持续森林管理和气候缓解的里程碑
萨拉瓦克森林部一直是实施森林碳倡议的领导者，以打击气候变化并促进可持续的森林管理。这些举措旨在解决森林砍伐和森林退化，这是温室气体排放的主要贡献者。一个重要的里程碑是2022年5月19日《森林条例的修正案》，其中包括第70节中的碳库存的特殊规定。这项修正案有助于执行与国际标准相吻合的森林碳活动计划。为了进一步支持这些努力，从2023年1月1日起生效的森林（森林碳活动）规则是通过一系列研讨会制定的。此外，2023年1月30日批准的砂拉越森林碳活动的政策指导提供了实施这些活动并推动该州森林碳市场的框架。预计这些举措将通过碳交易为砂拉越创造新的收入来源，从而提供一种经济动力，以使森林资源获利并促进可持续实践。森林碳计划是缓解气候变化并增强砂拉越可持续森林管理的关键一步。修订森林条例，以及建立森林（森林碳活动）规则2022和政策方向，在该州开发森林碳项目中至关重要。碳交易不仅会产生收入，而且还支持当地社区和砂拉越自然资源的保护。
c ⃝ 2020 IEEE。这是作者的版本。它发布在这里供个人使用。不得再分发。记录的最终版本是
摘要 — 旁道攻击使绕过电路中的加密组件成为可能。电源旁道 (PSC) 攻击因其非侵入性和经过验证的有效性而受到特别关注。除了专注于传统技术的现有技术之外，这是首次在 PSC 攻击背景下研究新兴的负电容晶体管 (NCFET) 技术的工作。我们在设计时实施了用于 PSC 评估的 CAD 流程。它利用行业标准设计工具，同时还采用广为接受的相关功率分析 (CPA) 攻击。使用基于 NCFET 的 7nm FinFET 技术的标准单元库及其对应的 CMOS 设置，我们的评估表明，由于负电容对开关功率有相当大的影响，基于 NCFET 的电路对经典 CPA 攻击更具弹性。我们还证明，铁电层越厚，基于 NCFET 的电路的弹性越高，这为优化和权衡打开了新的大门。
评估新型杀菌剂（FRAC组7、9、12）用于管理蔓越莓果实腐烂
蔓越莓水果腐烂（CFR）是一种主要的疾病复合体，显着影响蔓越莓作物，导致大量产量损失。在过去十年中，CFR越来越有问题，尤其是在高产和新品种中，据报道损失范围从50％到100％。此外，蔓越莓行业还面临着对使用广谱杀菌剂（例如Chlorothalonil和Mancozeb）的限制，因此需要探索替代管理策略。这项研究于2021年至2024年在马萨诸塞大学 - 阿默斯特蔓越莓站进行，评估了Frac组7、9和12的新型杀菌剂。单独测试并与硫代蛋白（FRAC 11）结合了活性成分 - 苯并叶二氟，pydi lumetofen，cyprodinil和流胞菌。这些杀菌剂在降低CFR发病率和提高产量方面的效率在蔓越莓品种“ Demoranville”，“ Ben Lear”和“ Stevens”和“ Stevens”上评估，并在Bloom早期和晚期阶段进行了应用。在2021、2023和2024中观察到果腐发生率和产量的显着差异。处理含有Pydi umetofen，pydi limetofen＆fludioxonil和Benzovindi Floupyr的处理，当与硫代蛋白结合使用时，始终导致较低的腐烂率和较高的产率。含有cyprodinil＆fludioxonil加上阿佐昔霉素的处理，仅在2021年进行了测试，也导致腐烂的发病率和较高的产率。这些发现突出了FRAC组7、9和12的新型杀菌剂的潜力，作为CFR管理的有效替代方法。他们的使用可以使CFR管理工具包多样化，减轻杀菌剂的耐药性并减少环境影响，从而解决了增加杀菌剂法规所带来的挑战。
Schott OG550，12.5mm直径，2mm厚的彩色玻璃长通滤波器＃16-443
Schott彩色玻璃长期过滤器有27种标准的Schott彩色玻璃类型，可在超紫罗兰（UV），可见或近红外（NIR）光谱中提供切割波长。颜色玻璃基板在其波长范围内具有高光谱传播。Schott彩色玻璃长通滤波器设计具有标准的圆形和平方尺寸，可轻松整合到光学系统中，并具有1、2或3mm的厚度。可根据要求提供5到160mm的自定义尺寸。
与厚印刷铜兼容的新型氮可燃铜镍厚膜浆料配方研究
摘要：本文重点介绍一种新型铜镍厚膜电阻浆料，该浆料专为实现低欧姆功率电阻而设计和实验开发。这种铜镍浆料设计用于厚印刷铜导体，与传统的钌基厚膜电阻浆料相比，可在氮气保护气氛中烧结。铜镍浆料由铜和镍微粒、玻璃粘合剂颗粒和有机溶剂组合制成，并针对在氮气气氛中烧结进行了优化。本文详细介绍了铜镍浆料的成分及其热性能（通过同步热分析验证）、干燥和烧结铜镍膜的形态描述以及最终印刷电阻的电参数。通过电子显微镜和元素分布分析证明，铜和镍微粒在烧结过程中扩散在一起并形成均匀的铜镍合金膜。该薄膜具有低电阻温度系数 ± 45 × 0 − 6 K − 1 和低薄层电阻值 45 m Ω /square。经验证，配制的铜镍浆料可氮烧，并且与厚印刷铜浆料具有良好的兼容性。这种组合允许实现直接集成低欧姆电阻器的功率基板。
在高能量密度锂离子电池中缓解超厚的干燥阳极中的PTFE分解
韩国陶瓷工程与技术研究所，金朱52851，大韩民国B能源工程系，汉阳大学，222 WANGSIMNI-RO，SEONGDONG，SEOLN-GU，SEOUL 04763，SEOUL 04763，韩国能源与化学工程共和国共和国共和国，ULSAN 449919191919191919. 16499年，大韩民国e工业化学系，普金国立大学，45 Yongso-ro，NAM-GU，Busan 48513，大韩民国第48513号，Pusan National University，Busan University，Busan 46241，46241，韩国韩国Griorea Inspector office and kyungpook National University，Kyungpook National University，Daegu 46241 Gachon University，Seongnam-Si，Gyonggi-Do 13120，大韩民国韩国陶瓷工程与技术研究所，金朱52851，大韩民国B能源工程系，汉阳大学，222 WANGSIMNI-RO，SEONGDONG，SEOLN-GU，SEOUL 04763，SEOUL 04763，韩国能源与化学工程共和国共和国共和国，ULSAN 449919191919191919. 16499年，大韩民国e工业化学系，普金国立大学，45 Yongso-ro，NAM-GU，Busan 48513，大韩民国第48513号，Pusan National University，Busan University，Busan 46241，46241，韩国韩国Griorea Inspector office and kyungpook National University，Kyungpook National University，Daegu 46241 Gachon University，Seongnam-Si，Gyonggi-Do 13120，大韩民国
