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变频驱动器 Tr200 系列 - 丹佛斯
输出频率 ..................................................可选0至120 Hz 电机电压 .............................................. 200、208、220、230；380、400、415、440、460；550 或 575 VAC 连续输出电流 ..............................................100% 额定电流 输出电流限制设置 ..............................可调至驱动器额定值的 110% 电流限制定时器 ..............................................0 至 60 秒或无限 可调最大值。速度 .................从最小值。速度设置为 120 Hz 可调最小值。速度 ......................从最大值。速度设置为 0 Hz 加速时间 ................................ 至基本速度 3,600 秒 减速时间 .............................. 从基本速度到 3,600 秒 起步转矩时间 ..............................................0.0 至 0.5 秒（电机铭牌电流的 1.6 倍） 启动电压 ..............................................................0 至 10% 直流制动时间 ..............................................................0 至 60 秒 直流制动启动 ................................................0 至最大频率 直流制动电流 ..............................................0 至额定电机电流的 50%
Tb 基二十面体中的磁性和拓扑结构......
准晶体（QC）具有独特的晶格结构，具有传统晶体所禁止的旋转对称性。其电学性质尚待完全了解，而磁长程有序是否能在准晶体中实现一直是一个存在已久的问题。最大的困难是缺乏微观理论来分析晶体电场（CEF）对准晶体中稀土原子的影响。这里我们展示了对Tb基准晶体中CEF的完整微观分析。我们发现由CEF引起的磁各向异性对于在Tb原子所在的二十面体上实现独特的磁纹理起着关键作用。我们对基于磁各向异性的最小模型的分析表明，以拓扑电荷为1为特征的刺猬长程有序在Tb基准晶体中是稳定的。我们还发现旋转矩态以异常大的拓扑电荷3为特征。结果表明，通过控制三元化合物中非稀土元素的成分，可以改变磁性结构和拓扑状态。我们的模型有助于理解稀土基量子阱和近似晶体中的磁性和拓扑性质。
严谨的设计和实施创新的电动...
提出了一种带有实用发电装置 (EGU) 的创新型便携式自供电数字肺气流计，用于监测哮喘和测量呼气强度，使用 EGU 产生的电信号。当鼓风机使用该仪器时，EGU 必须能够为所提出的测量仪器提供足够的电力。EGU 由气动涡轮机和高效发电机组成。采用佩尔顿涡轮机形式的气动涡轮机，其空气阻力较小，可增加发电的机械功率。本文还使用无铁心轴向磁通永磁 (AFPM) 发电机来测量呼气强度，该发电机具有结构简单、齿槽转矩较低、重量轻和体积小的优点。实验结果表明，所提出的 EGU 性能优异，为所提出的便携式自供电设备提供足够的电力，且无振动和噪音。 2013 Trade Science Inc. - 印度
变频驱动器 Tr200 系列 - 丹佛斯
输出频率................................................可选 0 至 120 Hz 电机电压.................................... 200、208、220、230；380、400、415、440、460；550 或 575 VAC 连续输出电流........................................100% 额定电流 输出电流限制设置............可调至驱动器额定值的 110% 电流限制计时器....................................0 至 60 秒或无限 可调最大速度....................从最小速度设置到 120 Hz 可调最小速度....................从最大速度设置到 120 Hz速度设定为 0 Hz 加速时间................................至基本速度 3,600 秒 减速时间................................从基本速度加速至 3,600 秒 起步转矩时间........................................0.0 至 0.5 秒（电机铭牌电流的 1.6 倍） 启动电压.........................................................................0 至 10% 直流制动时间.........................................................0 至 60 秒 直流制动启动.........................................................0 至最大频率 直流制动电流.........................................................电机额定电流的 0 至 50%
使用注入锁定自旋电子二极管进行计算
图 2. (a) 对于 𝐼 𝑎𝑐,𝑀𝐴𝑋 = 70.7 μA 和 𝑓 𝑎𝑐 = 800 MHz，整流直流电压与施加到自旋转矩二极管的直流电流的关系图，蓝色圆圈是微磁模拟的结果，红线是抛物线拟合。 (b) 对于 (a) 中的相同 𝐼 𝑎𝑐,𝑀𝐴𝑋 和 𝑓 𝑎𝑐，固有相移 (空心方块) 和沿 x 轴的磁化幅度 (实心菱形) 与直流电流的关系。 (c) 固有相移与微波频率和直流电流的关系相位图，其中 𝐼 𝑎𝑐,𝑀𝐴𝑋 = 70.7 μA 。垂直线表示自振荡电流阈值 |𝐼 𝑡ℎ | = 0.056 mA 。水平线表示图 (a) 和 (b) 中使用的微波频率值。(d) 图 (c) 中用圆圈表示的工作点的施加电流 (左侧 y 轴) 和磁化强度 < 𝑚 𝑋 > 的空间平均 x 分量 (右侧 y 轴) 的时间轨迹。图中还标出了两个时间轨迹之间的时间偏移 Δ 𝑡。
强化学习脉冲的Transmon Qubit纠缠大门
摘要量子计算机的效用高度取决于可靠执行准确的量子逻辑操作的能力。为了找到最佳的控制解决方案，探索无模型方法的质量不受量子处理器的理论模型的有限准确性的限制，这是特别感兴趣的，与许多既定的门实现策略相反。在这项工作中，我们利用一种连续的控制加强学习算法来设计纠缠两倍的门，用于超导量子。具体而言，我们的代理构建了交叉谐振和CNOT门，而没有任何有关物理系统的任何事先信息。使用固定频率固定耦合式旋转矩的模拟环境，我们证明了产生新型脉冲序列的能力，以胜过标准的交叉谐振门，同时保持了对随机单位噪声的可比敏感性。我们进一步展示了培训和输入信息中的增强，使我们的代理商可以使其脉冲设计能力调整以漂移硬件特性，但很少有几乎没有其他优化。我们的结果清楚地表现出了基于Transmon Gate Design的基于自适应反馈学习的优化方法的优势。
使用 TMS320F240 开发 SRM 驱动系统
从结构上讲，SRM 是所有电机中最简单的。只有定子有绕组。转子不包含导体或永磁体。它只是由堆叠在轴上的钢片组成。正是由于这种简单的机械结构，SRM 具有低成本的前景，这反过来又在过去十年中激发了大量对 SRM 的研究。然而，该设备的机械简单性也有一些局限性。与无刷直流电机一样，SRM 不能直接从直流母线或交流线路运行，而必须始终进行电子换向。此外，机器产生磁阻转矩所必需的定子和转子的凸极会导致强烈的非线性磁特性，使 SRM 的分析和控制变得复杂。毫不奇怪，业界对 SRM 的接受度一直很低。这是由于 SRM 存在一些已知困难、缺乏用于操作 SRM 的商用电子设备以及传统交流和直流机器在市场上的根深蒂固。然而，SRM 确实提供了一些优势，并且可能具有低成本。例如，它们可以是非常可靠的机器，因为 SRM 的每个相在物理、磁性和电气上都与其他电机相基本独立。此外，由于转子上没有导体或磁铁，因此与同类电机相比，可以实现非常高的速度。
2017 IRPS 会议论文集 - Squarespace
• 基本 FEOL 可靠性：栅极电介质中缺陷的产生会导致电介质击穿和器件性能下降 - Kenji Okada，TowerJazz 松下半导体 • 复合半导体可靠性 101 - Bill Roesch，Qorvo • 互连可靠性基础知识 - Zsolt Tokei，IMEC • VLSI 设计方法和可靠性设计验证 - Michael Zaslavsky 和 Tim Turner，可靠性模拟组 • 电迁移 101 - Cathy Christiansen，Global Foundries • NAND 闪存可靠性 - Hanmant Belgal 和 Ivan Kalastirsky，英特尔 • 芯片封装相互作用 (CPI) 及其对可靠性的影响 - CS Premachandran，Global Foundries • 故障分析的挑战 - 汽车和超越摩尔定律 - Ulrike Ganesh，博世 • 1.NBTI 在半导体领域的最新进展HKMG p-MOSFET 和 2。现代 FINFET、ETSOI 和全栅极 III-V 晶体管中自热的新兴挑战：从晶体管到平板电脑的视角 - Souvik Mahapatra（孟买印度理工学院）和 Muhammad Ashraf Alam（普渡大学） • 汽车转型 - 从应用到半导体技术的成本、上市时间、可靠性和安全性驱动的设计优化 - Andreas Aal，大众汽车公司 • AlGaN /GaN 功率器件可靠性 - Peter Moens，安森美半导体 • 可靠性工程的系统遥测 - Rob Kwasnick，英特尔 • 高级 MOL 和 BEOL 可靠性 - Shou Chung Lee，台积电 • 汽车功能安全简介 - 历史、趋势和与可靠性的关系 - Karl Greb，NVIDIA • 相变存储器：从基础技术到系统方面和新应用 - Haris Pozidis，IBM • 系统可靠性 - Geny Gao，博士 • 先进封装和 3D 可靠性 - C. Raman Kothandaraman，IBM • 兼顾基于知识和基于标准的资格 - Bob Knoell，汽车电子委员会和 NXP • 自旋转矩 MRAM - Daniel C. Worledge，IBM • 现场容错、自我修复、检测和恢复技术的考虑因素 - Arijit Biswas，英特尔
2017 年 IRPS 会议论文集 - Squarespace
• 基本 FEOL 可靠性：栅极电介质中缺陷的产生会导致电介质击穿和器件性能下降 - Kenji Okada，TowerJazz 松下半导体 • 复合半导体可靠性 101 - Bill Roesch，Qorvo • 互连可靠性基础知识 - Zsolt Tokei，IMEC • VLSI 设计方法和可靠性设计验证 - Michael Zaslavsky 和 Tim Turner，可靠性模拟组 • 电迁移 101 - Cathy Christiansen，Global Foundries • NAND 闪存可靠性 - Hanmant Belgal 和 Ivan Kalastirsky，英特尔 • 芯片封装相互作用 (CPI) 及其对可靠性的影响 - CS Premachandran，Global Foundries • 故障分析的挑战 - 汽车和超越摩尔定律 - Ulrike Ganesh，博世 • 1. HKMG p-MOSFET 中 NBTI 的最新进展以及 2.现代 FINFET、ETSOI 和全栅极环绕 III-V 晶体管中自热的新挑战：从晶体管到平板电脑的视角 - Souvik Mahapatra（印度理工学院，孟买）和 Muhammad Ashraf Alam（普渡大学）• 汽车转型 - 从应用到半导体技术的成本、上市时间、可靠性和安全性驱动的设计优化 - Andreas Aal，大众汽车集团 • AlGaN/GaN 功率器件可靠性 - Peter Moens，安森美半导体 • 可靠性工程的系统遥测 - Rob Kwasnick，英特尔 • 高级 MOL 和 BEOL 可靠性 - Shou Chung Lee，台积电 • 汽车功能安全简介 - 历史、趋势和与可靠性的关系 - Karl Greb，NVIDIA • 相变存储器：从基础技术到系统方面和新应用 - Haris Pozidis，IBM • 系统可靠性 - Geny Gao，博士 • 先进封装和 3D 可靠性 - C. Raman Kothandaraman，IBM • 兼顾基于知识和基于标准的资格 - Bob Knoell，汽车电子委员会和 NXP • 自旋转矩 MRAM - Daniel C. Worledge，IBM • 现场容错、自我修复、检测和恢复技术的考虑因素 - Arijit Biswas，英特尔