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单层WSE2带有双轴应变调谐的上传感器的光致发光
摘要：机械应变可用于调整单层过渡金属二核苷（1L-TMD）的光学特性。在这里，从1l-wse 2薄片的上转换光致发光（UPL）用通过十字形弯曲和压痕法诱导的双轴应变调节。发现，随着施加的双轴应变从0％增加到0.51％，UPL的峰位置被大约24 nm红移。同时，对于在-157 MeV至-37 MeV之间的宽范围内的上转换能量差，UPL强度指数增加。在三种不同的激发波长为784 nm，800 nm和820 nm处的1L-WSE 2中，UPL发射在1L-WSE 2中观察到的线性和肌功率依赖性表示多音辅助的一photon photon UpConversion发射过程。1L-TMDS的应变依赖性UPL发射的结果铺平了光子上转换应用和光电设备进步的独特途径。
双层MOS2的双轴与单轴应变调谐
应变工程已成为一种强大的技术，可以调整二维半导体（如钼二二二硫化物）的电子和光学特性（MOS 2）。尽管几项理论作品预测双轴菌株比单轴菌株更有效，以调整MOS 2的带状结构，但文献中仍缺少直接的实验性验证。在这里，我们实施了一个简单的实验设置，该设置允许通过弯曲十字形聚合物底物施加双轴应变。我们使用该设置来研究双轴菌株对12个单层MOS 2平流的差异反射光谱的影响，以40 MEV/％和110 MeV/％的双轴张力介绍了激子特征的红移。我们还直接比较了双轴和单轴应变对同一单层MOS 2发现的效果，即双轴应变量表因子是单轴菌株1的2.3倍。