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1.1 范围。本规范涵盖系列间和系列内射频 (RF) 同轴连接器适配器的性能要求和测试。1.2 分类。适配器由以下类别组成,并带有指定的零件识别号 (PIN)(见 3.1)。a.第 1 类 – 第 1 类适配器旨在在指定频率下提供卓越的 RF 性能,并且所有 RF 特性均已完全定义。b.第 2 类 – 第 2 类适配器旨在在提供指定 RF 性能的 RF 电路内提供机械连接。1.2.1 PIN。PIN 由字母“M”和基本规格表编号组成。零件编号中的第一位数字表示适配器主体(外壳)的材料和表面处理;即,“0”表示镀银黄铜,“3”表示钝化耐腐蚀钢,“4”表示镀金铜铍,“6”用于 SMA 系列和其他系列之间(SMA 主体为耐腐蚀钢,其他系列为黄铜),或“7”表示镀镍黄铜。后续数字将分配用于指定前一个“UG”编号或无意义的数字(如适用)。例如:M55339/ 01 - XXXXX 通用规格 规格表中的零件编号 规格表 AMSC N/A FSC 5935
摘要 本章介绍了基于压电致动器的微/纳米定位器及其在保护生态系统生物多样性和实现可持续制造业方面的作用。这些定位器具有微/纳米分辨率的精确度,并且改进和辅助了繁殖和体细胞核移植,在保护濒危物种免于灭绝方面发挥着越来越重要的作用。研究表明,这些技术可能是我们减缓自然退化的关键因素。此外,压电驱动微/纳米定位器是附加精度提高系统的基础,该系统可以使过时的机床重新投入使用,只需进行微小改动,性能水平高于新机器。这避免了(并可以进一步防止)能源和材料的浪费,因为过时的机器或其主要部件否则将被丢弃。此外,压电驱动微定位器在振动辅助加工中起着重要作用,可降低能耗、提高产品质量并延长机器使用寿命。
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本文研究了用于低功耗应用的肖特基轻 Mg 掺杂 p-GaN 栅极堆栈的捕获效应,并进一步分析了 c 射线辐照下 AlGaN/GaN 界面陷阱。当 c 射线辐照剂量高达 800 krad 时,平带电压的变化可以忽略不计,这表明 p-GaN 栅极结构具有出色的辐射耐受性。在 500 kHz 以下和以上的测量频率下观察到电容弥散之间的差异,这归因于不同位置随栅极电压变化的捕获效应。此外,提出了频率相关电导法来评估不同剂量的 c 射线辐照对 AlGaN/GaN 界面陷阱的影响。基于该方法,除了传统常开型高电子迁移率晶体管(HEMT)中发现的浅陷阱态[陷阱激活能(ET)约为0.334–0.338 eV]之外,在AlGaN/GaN界面处还检测到了另一类更深的陷阱态(ET约为0.467–0.485 eV)。观察到随着辐照剂量的增加,浅陷阱态的ET分布在更深和更宽的范围内。此外,深和浅ET在600 krad剂量辐照后都降低,但在800 krad剂量辐照后都增加。透射电子显微镜和原子力显微镜用于展示光滑的AlGaN/GaN界面形貌,该形貌在800 krad剂量的c射线辐照后不会受到太大的损坏。这项工作可以为进一步了解低压应用的p-GaN栅极HEMT的辐射耐受性和捕获效应提供帮助。
摘要:过去十年来,调节性轻链 (RLC) 在心肌功能中的作用已逐渐得到阐明。RLC 是心脏发生过程中最早表达的标记物之一,并持续存在至成年期。衰竭心脏的 RLC 磷酸化水平降低,恢复 RLC 磷酸化的基线水平对于产生最佳肌肉收缩力是必要的。在疾病进展过程中触发 RLC 磷酸化水平变化的信号机制仍然难以捉摸。揭示这些信息可能为更好地管理心力衰竭患者提供参考。鉴于 RLC 亚型在心腔特异性表达,心室 RLC 有助于识别成熟的心室心肌细胞,为再生医学开辟了可能性。本综述巩固了 RLC 在心脏发育和疾病中的地位,并强调了针对 RLC 的知识空白和潜在的治疗进展。