Thermo Scientific™ Element GD Plus™ GD-MS 重新定义了先进高纯度固态材料的分析。对于高通量和超低 ppb 级检测限,Element GD Plus GD-MS 是常规和研究应用中进行批量样品分析和深度剖析的最方便和最强大的工具。
(DC-GDPAU)是一个直流辉光放电等离子体实验,由艾因夏姆斯大学(埃及)物理系设计、建立和运行。该实验的目的是通过将印刷电路板(PCB)暴露于等离子体来研究和改善它的某些特性。该装置由圆柱形放电室组成,其中固定有可移动的平行圆形铜电极(阴极和阳极)。它们之间的距离为12厘米。该等离子体实验在氩气的低压范围(0.15 - 0.70 Torr)下工作,最大直流电源为200 W。在两个电极之间每厘米处测量和计算了等离子体的帕申曲线和电等离子体参数(电流、伏特、功率、电阻)。此外,使用双朗缪尔探针获得了不同径向距离下的电子温度和离子密度。电子温度(KT e )保持稳定在6.58至10.44 eV范围内;而离子密度(ni )范围为0.91×10 10 cm −3 至1.79×10 10 cm −3 。采用数字光学显微镜(800倍)比较等离子体暴露前后对电路布局成形的影响。实验结果表明,等离子体暴露后电导率增加,铜箔表面的粘附力也有所改善。电导率的显著增加与样品表面的位置以及暴露时间直接相关。这表明所获得的结果对于开发用于不同微电子设备(如航天器上的设备)的PCB制造非常重要。
结论 辉光放电发射光谱法在过去几年中经历了多个重要步骤,开发了多种硬件功能和附件 - 脉冲射频发生器、UFS、DiP、锂钟 - 为先进材料的表征开辟了道路。GD-OES 现在与其他技术(如 SEM 和 XPS)一起使用,一些团队正在探索通过利用每种技术的优势更好地结合使用所有这些技术的潜力。辉光放电是 SEM 和 XPS 的补充工具,不仅提供更多信息,还能够直接与这些技术交互以提高其易用性。我们了解辉光放电如何与 SEM 表征相互作用并帮助 SEM 表征。我们仍处于辉光放电和 XPS 的探索期。目前的研究针对特定材料,但将这两种技术结合起来的潜力很大,更多的时间应该会揭示该技术的全部潜力以及科学家的整体利益。
此后,尽管 1970 年首次发布的深度剖析图是 GaAs 薄膜,但 GD-OES 技术在金属行业中得到了发展,现在广泛用于元素体分析和深度剖析,以表征导电金属涂层。然而,在过去十五年中,多种新仪器的发展扩大了 GD-OES 的应用领域,包括对先进材料的涂层和薄膜的表征,使其成为质量控制和工艺优化/监控的重要工具。辉光放电现在能够表征许多不同的材料,包括导电和非导电材料,涵盖从光伏(CIGS、钙钛矿……)到封装、从有机电子到储能(锂电池、燃料电池……)的广泛应用,并且是各种薄膜和厚膜沉积技术(等离子、电镀、阳极氧化等)的表征配套工具。GD-OES 也成为 XPS 和 SEM 的补充技术。
• 快流、高功率辉光放电室 - 高溅射率缩短分析时间 - 卓越的灵敏度 • 先进的双聚焦质谱仪 - 高离子传输率和低背景噪声带来无与伦比的信噪比,实现亚 ppb 级检测限 - 高质量分辨率带来最高选择性和准确度:获得无可争议的分析结果的先决条件 • 超过 12 个数量级的自动检测系统 - 由于全自动检测器的线性动态范围超过 12 个数量级,因此可以在一次扫描内测定超痕量和基质元素 - 直接测定 IBR(离子束比)定量的基质元素 • 先进的软件套件,提高工作效率和易用性 - 所有参数的全计算机控制 - 全自动调谐、分析和数据评估 - LIMS 连接,具有自动数据传输 - 远程控制和诊断 - Microsoft ® Windows ® XP 操作系统