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World File Search System辐射性
调整两个相干耦合量子发射器的超辐射和亚辐射性质
量子纠缠态的控制和操纵对于量子技术的发展至关重要。一种有前途的途径是通过它们的光学偶极-偶极相互作用耦合固态量子发射器。纠缠本身就具有挑战性，因为它需要发射器之间的纳米距离和近乎简并的电子跃迁。在这里，我们实施高光谱成像来识别耦合的二苯并蒽分子对，并通过使用斯塔克效应调整分子光学共振来找到最大纠缠的超辐射和亚辐射电子态的独特光谱特征。我们展示了使用振幅和相位定制的激光场对长寿命亚辐射离域态进行远场选择性激发。耦合分子的光学纳米显微镜揭示了由其激发路径中的量子干扰引起的空间特征，并揭示了每个发射器的位置。受控电子态叠加将有助于破译由相干耦合控制的更复杂的物理或生物机制并开发量子信息方案。
AR辐射性偷偷摸摸的预览顺序浸润两光子聚合的3D光子晶体，用于中等光谱应用，3月15日，20
AR辐射偷偷摸摸的预览连续浸润，两光子聚合的3D光子晶体用于中等光谱镜应用，2024年3月15日，2024年3月15日，也称为PHCS，是空间有组织的结构，具有与光波长相等的光学晶格参数。自发现以来，PHC一直在电信行业中找到应用，包括MID-IR光谱应用，电子门和光学计算和ICS的偏振滤波器以及压力强力传感。PHC还可以实现设备小型化（包括微流体），生物传感和化学感应。PHC的唯一几何特性和折射率可以允许或限制在特定频率范围内电磁波的传播。频率的受限范围称为光子带隙（PBG），其存在使结构可以减慢并塑造光。将其应用于气光谱应用中的传感器时，较慢的光会增加光和目标气体之间的相互作用时间，从而增强了灵敏度。PBG高度依赖于PHC和背景材料（通常是空气）之间的折射率（RI）对比度。当存在较差的RI对比条件时，PHC的应用受到限制。在这份新报告中，伊利诺伊大学的伊利诺伊大学科学家和Argonne National Lab通过将内部光学表面覆盖具有ALD沉积的高折射率ZnO的内部光学表面，从而提高了高级三维（3D）PHC的RI，从而使未来的改进能够改进，从而实现了敏感性，准确性，基于pHC的限制。，无论极化如何，带有频带结构中禁光传播频率的完整PBG区域都使三维（3D）PHC在光谱应用中优先于2D和1D PHC，但证明更难制造。唯一设计用于支持顺序浸润合成（SIS）过程，Arradiance的Gemstar TM ALD系统比常规ALD降低了反应温度，更高的反应压力和更长的反应时间。这使前体气体能够在3D聚合物基质内浸润并在深处反应，从而确保没有降解，材料损失或脱气。
辐射性不透明
最容易看到这一点，假设在实验室框架中，电子最初以速度V移动，并且光子最初具有能量e，并且正在直接向上移动到电子。在电子休息框架中，光子能是蓝光的，因此在电子休息框架中，光子能量为eγ（1 + v /c），其中γ=（1 -v 2 /c 2 /c 2）-1 /2是lorentz因子。说，光子在用电子散射后弹回180°，并且在电子休息框架中，光子的能量不会变化（因为它远小于电子静电量的能量m e c 2，其中m e是电子的质量）。然后，在散射后，在电子休息框架中，光子能量仍然为Eγ（1 + V/C）。但是多普勒转移回实验室框架，光子的能量现在为Eγ2（1 + v/c）2 = E（1 + v/c）/（1 -v/c），因此光子在实验室框架中获得了能量。现在，我们还应该理解，光子并不总是在实验室框架中获得能量。例如，如果我们要重做上面的分析，但假设光子撞击电子的尾声，我们会发现实验室框架中的最终能量为e（1-v/c）/（1+ v/c），因此，在这种情况下，光子将在实验室中看到的能量失去能量。当电子和光子都在各向同性热分布中时，当辐射和电子温度相等时就达到平衡（毫不奇怪）。
为什么抗辐射性能对负载点转换器很重要
上一代太空级 FPGA 的制造工艺采用了更大的结构几何形状，专注于缓解单粒子翻转 (SEU)，并采用了三倍寄存器和双互锁存储单元等强化方法。该工艺的一个优点是，更大的寄生布线电容本质上可以过滤辐射环境中固有的单粒子瞬变 (SET)。最新一代 FPGA 具有更高的逻辑密度和更小的互连。因此，由于太空中离子的电荷量影响敏感节点的可能性增加，SET 可能成为主要的单粒子效应 (SEE)。
N型衬底超快三维沟槽电极硅探测器的抗辐射性能
摘要：ATLAS 和 CMS 实验预测高亮度大型强子对撞机（HL-LHC）最内层像素探测器的辐射注量高达 1 × 10 16 1 MeV n eq /cm 2。辐射剂量的增加将导致探测器性能下降，例如漏电流和完全耗尽电压增加，信号和电荷收集效率降低，这意味着有必要开发用于甚高亮度对撞机的抗辐射半导体器件。在我们前期对超快三维沟槽电极硅探测器的研究中，通过模拟不同最小电离粒子（MIP）撞击位置下的感应瞬态电流，验证了从 30 ps 到 140 ps 的超快响应时间。本工作将利用专业软件有限元技术计算机辅助设计（TCAD）软件框架，模拟计算探测器在不同辐射剂量下的全耗尽电压、击穿电压、漏电流、电容、加权场和MIP感应瞬态电流（信号）。通过分析模拟结果，可以预测探测器在重辐射环境下的性能。像素探测器的制作将在中国科学院微电子研究所的CMOS工艺平台上进行，采用超纯高电阻率（高达10 4 ohm·cm）硅材料。