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World File Search System辐射效率
基于标准单元的栅极尺寸和晶体管堆叠的抗辐射效率
近年来，晶体管技术的进步使得人们能够设计出越来越复杂的集成电路。随着在降低功耗和提高性能方面取得的巨大成就，在考虑深度扩展技术时也面临着新的挑战。明显的工艺变异性、老化和辐射效应是经常出现的设计挑战，其重要性也日益增加 [1-5]。集成电路越来越容易受到单个高能粒子撞击的影响，可能会产生破坏性或非破坏性的影响。当粒子撞击触发 CMOS 电路中固有的 PNPN 结构中的寄生晶体管时，就会发生单粒子闩锁 (SEL)，这可能会产生破坏性影响 [6]。当高能粒子从顺序逻辑元件撞击晶体管的敏感区域并沉积足够的电荷以扰乱电路时，单粒子翻转 (SEU) 会以位翻转的形式出现。此外，组合逻辑电路容易受到单粒子瞬态 (SET) 效应的影响，这种效应表现为粒子与处于关断状态的晶体管漏极电极相互作用产生的寄生瞬态电流。这并不是单粒子效应 (SEE) 的详尽列表 [7]。辐射加固设计 (RHBD) 技术已经开发出来，用于应对不同辐射条件下电子电路的辐射效应
辐射效率、对比度和...的测定
未来几年，我们将掌握临界尺寸在 30 纳米 - 150 纳米数量级的纳米电子和光子微结构。电子和离子光刻技术可以满足进一步电子设备小型化挑战的要求。定量估计光刻胶改性参数 [I] 是优化电子和离子光刻曝光以及相关的显影过程的重要一步。由于光刻胶层的聚合物分子发生交联或断裂，溶解率在辐照后会发生变化。经过适当溶剂（显影剂）的适当显影过程后，可以观察到光刻胶层中的浮雕微结构。在显影过程中，正光刻胶的辐照区域和负光刻胶的相反区域（未辐照区域）被去除。辐照点的溶解率变化取决于所使用的曝光剂量。聚合物光刻胶对辐射（电子束和离子束）的敏感度是通过曝光图像显影过程中的最小剂量 Do 来衡量的。光刻胶的敏感度由辐射粒子的辐射效率决定，辐射效率可以用吸收能量每单位（即电子伏特）的平均化学事件数（断链或破坏）来表征。在高分辨率电子束和离子束光刻领域，非常重要的一点是