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中子辐照 GaN 肖特基势垒二极管的温度相关电特性
明确研究了直径 400 μ m 的中子辐照 (NI) GaN 肖特基势垒二极管 (SBD) 的温度相关电特性。根据 CV 测量，与原始样品相比，NI 二极管的电子浓度明显下降，表明存在热增强载流子去除效应。中子辐照会导致明显的肖特基势垒高度不均匀性，这可以通过双势垒模型进行研究。数据表明，中子辐照会对漏电流以及低频噪声水平产生微小但可测量的抑制。尽管发现了新的深能级陷阱，但温度相关的电学结果表明 GaN SBD 具有出色的抗中子辐照性能和在极端工作温度下的稳定性。
中国中子源大气中子辐照谱仪调试
大气中子辐照谱仪（ANIS）是中国散裂中子源（CSNS）的一条新光束线，主要用于现代微电子的加速测试。它具有类似大气的中子谱，具有准直束斑和泛光束斑。ANIS 总长 40 米，配备中子快门、飞行管、中子扩展器、通量控制器、准直器、清除磁铁、中子滤波器以及光束线屏蔽。ANIS 后端设有控制室、操作室和储藏室。设计、组装、检查测试和初始调试测试于 2022 年成功完成。ANIS 目前处于科学调试的高级阶段，用于测量不同配置下的中子谱、通量和剖面。使用裂变电离室 (FIC)、位置灵敏气体电子倍增器 (GEM)、活化箔和单晶金刚石探测器测量了中子束特性。在这项工作中，我们介绍了 ANIS 的测量光束规格和光束评估，这对于即将启动的 ANIS 用户计划很有希望。还介绍了早期操作和用户实验。
高能质子辐照对GaN混合漏极的影响...
为了为 CERN 加速器隧道的新灯具提供耐辐射 LED 电源，需要对商用级功率晶体管在高水平粒子辐照下进行特性分析，因为这对半导体器件来说是一个恶劣的环境。这项工作描述了 24 GeV/ c 质子辐照对商用 GaN 混合漏极嵌入式栅极注入晶体管 (HD-GIT) 的影响，当时的剂量为 5.9 × 10 14 p/cm 2。漏极漏电流、阈值电压和 I ds − V ds 曲线的测量表明，在考虑的剂量之后，GaN HD-GIT 的电性能仅发生微小变化；例如，辐照后阈值电压平均增加约 11-13 mV。我们还对质子辐照引起的性能退化提出了物理解释；尤其是高电场下 2DEG 通道中的电子漂移速度似乎由于辐射引起的声子弛豫速率增加而降低。最后，提出了一种使用 GaN HD-GIT 进行电流控制的 AC/DC LED 电源，用于 CERN 隧道的新型灯具，满足辐射硬度和光质量方面的要求。
先进试验反应堆先进材料辐照的安全考虑
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离子辐照 AM 材料的原位和非原位表征
免责声明 本报告是由美国政府机构资助的工作报告。美国政府及其任何机构、芝加哥大学阿贡国家实验室或其任何员工或官员均不对所披露的信息、设备、产品或流程的准确性、完整性或实用性做任何明示或暗示的保证，或承担任何法律责任或义务，或表示其使用不会侵犯私有权利。本文以商品名、商标、制造商或其他方式提及任何特定商业产品、流程或服务并不一定构成或暗示美国政府或其任何机构对其的认可、推荐或支持。本文表达的文档作者的观点和意见不一定陈述或反映美国政府或其任何机构、阿贡国家实验室或芝加哥大学阿贡国家实验室的观点和意见。
疲劳-蠕变载荷组合下辐照不锈钢的裂纹扩展预测
本研究介绍了一种估算奥氏体不锈钢 304、304L、316 和 316L 型裂纹扩展的方法，这些不锈钢通常用作核压力容器的结构材料。这些结构部件通常要经受中子辐照和组合载荷，包括启动和关闭引起的重复机械应力（即疲劳）以及高温下加载期间引起的蠕变。在本研究中，使用基于条带屈服的疲劳裂纹扩展模型估算疲劳裂纹长度。该模型扩展为包括存在保持时间时的蠕变变形的影响，并扩展为包括辐照的影响。与文献中可用的实验数据相比，可以对各种组合载荷条件下选定的材料获得合理的裂纹扩展估计值。
基于微束辐照的28nm工艺静态随机存取存储器单粒子翻转研究
摘要：静态随机存取存储器(SRAM)器件作为重要的星载电子设备,在其执行空间任务过程中不可避免地受到空间高能粒子辐照的影响。为揭示高能粒子对28nm工艺SRAM造成单粒子效应(SEE)的机理,基于针孔重离子微束装置,对单粒子翻转(SEU)敏感区定位和多单元翻转(MCU)分布特性进行了研究。结果表明:微束辐照引起的SEU实际范围为4.8μm×7.8μm。通过小步长(每步1μm)移动设备台,建立了SEU敏感区的一维定位方法,可以降低定位精度对束斑尺寸的依赖,定位精度可提高到1μm。 MCU测试表明，翻转模式与相邻SRAM单元内敏感区域的间距密切相关，并且通过阱接触和位交错可以降低MCU的概率。
辐照诱导的环氧树脂衰老，用于浸渍超导磁铁线圈
摘要 - 理解辐射对环氧树脂功能性能的影响对于它们在未来的粒子加速器（如未来的圆形碰撞器（FCC））中的应用至关重要。我们比较了可用于磁铁线圈真空浸渍的六个环氧树脂系统的辐照诱导的衰老率。衰老。dma的存储和损失模量的演变揭示了交联和链分裂对玻璃过渡温度（T g）的竞争影响。衰老率在不同的树脂中差异很大，并且在My750树脂系统中观察到最快的老化，T g以大约9°C/mgy的速率降低。
表面表征和低能辐照的PANI/PBS聚合物纳米复合材料
摘要：在这项工作中，使用溶液制备方法制备了聚苯胺（PANI）（PANI）（PANI）和铅硫纳米颗粒（PBSNP）的纳米复合样品，以植入储能元件中。PANI/PBS纤维被不同的氧束的不同流体辐射：5×10 16、10×10 16和15×10 16离子。CM -2。由XRD，SEM，DSC和FTIR研究了复合材料。离子辐照后，T G和T M值分别降低了4.8℃和10.1℃。 以10 2 Hz至5 MHz的频率检查了未处理和受照射样品的电导率，电阻抗和电气模量。 此外，离子束在PANI/PBS的介电特性中引起了修改。 介电常数ε'从31提高到611，并通过通过将流量提高到15×10 16离子。CM -2。 此外，势能屏障W M从0.43 eV降低到0.23 eV。 确定了PANI/PBS样品的介电性能和结构特性的诱导变化。 这些修改提供了一个机会，可以将使用辐照的PANI/PBS样品用于多种应用，包括微电子，电池和电能的存储。离子辐照后，T G和T M值分别降低了4.8℃和10.1℃。以10 2 Hz至5 MHz的频率检查了未处理和受照射样品的电导率，电阻抗和电气模量。此外，离子束在PANI/PBS的介电特性中引起了修改。介电常数ε'从31提高到611，并通过通过将流量提高到15×10 16离子。CM -2。此外，势能屏障W M从0.43 eV降低到0.23 eV。确定了PANI/PBS样品的介电性能和结构特性的诱导变化。这些修改提供了一个机会，可以将使用辐照的PANI/PBS样品用于多种应用，包括微电子，电池和电能的存储。