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World File Search System辐照
促进监管部门接受离子和中子联合辐照用于核反应堆材料降解
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概述了欧盟项目中HTS导体和辐照研究的研究和开发
核心：Cu管，直径。38毫米，带有加工的螺旋槽（扭曲螺距1.2 m）HTS链：吹牛10磁带（Superox JP，12 mm x 0.08 UM），编织：144 CU线，直径。0.15毫米夹克：圆形的SS管（PF Iter电缆），54 x 54毫米，用4卷磨机@Criotec inf @criotec impianti（意大利）
辐照动物疫苗使埃塞俄比亚的动物保持健康，有助于出口和粮食安全
有效疫苗的供应和可及性对于控制和预防许多动物疾病的传播至关重要，其中一些疾病也会传播给人类。疫苗在动物身上的作用与在人类身上的作用相同，都是激活免疫反应，帮助身体做好抵抗未来疾病的准备。然而，一些疫苗使用活微生物，如病毒，这可能会导致疾病爆发。辐射可以帮助解决这个问题，它能灭活微生物，使其无法感染接种疫苗的动物。同时，辐射不会影响微生物的结构，因此免疫系统仍然可以识别它，从而使动物产生保护机制。疫苗辐照还可以确保疫苗不含任何污染物。
水动力学会影响疏水和亲水辐照纳米颗粒表面的热传输
配体在uences中纳米生物界面的热电导率，改变了NP周围发展的温度。因此，调整NP配体组成以实现NP表面所需的温度升高，并限制对健康组织的损害，10是nal设计和利用生物医学中等离子体涂层NP的最终目标。在NP表面的温度pro的直接实验测量很具有挑战性，并且通过聚合物或量子点与NP的临时结合尝试了它。11,12一种不太直接的方法在于通过光泵和探针技术（例如时间域热剂）测量界面热电导，例如时间域热率，o ge e e EN应用于扩展表面。已经表明，配体层的存在相对于与溶剂接触的裸露固体表面增强了热导率。13 - 15 Braun和Cahill 16 - 18的开创性作品表明，界面有吸引力对涂层配体层的疏水性或亲水性的依赖性。18溶剂的性质，17金属表面19的偶联键的密度以及将液体与固体20分开所需的粘附功能是所有因素，这些因素已显示出影响的导热率。有一个普遍的共识，即在存在三组分界面的情况下，即金属 - 配体 - 溶剂，配体 - 溶剂 - 溶剂界面，具有最大的热耐药性，21因此在传热机制的研究中起着重要作用。但是，该界面不能分类为理想的固体 - 液体或液体 - 液体界面，而是严格保留了so物质
促进核反应堆材料降解中离子和中子联合辐照的监管认可
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INL - HALEU 混合锆萃取 (ZIRCEX) 工艺
ZIRCEX 迄今为止，INL 首次使用未辐照锆合金进行实验室规模测试，以确定辐照燃料样品的操作参数。这些参数用于进行辐照燃料样品测试，成功确定辐照燃料和未辐照燃料的反应速率相当。这一点很重要，因为使用未辐照材料可以快速进行测试，从而缩短研发时间。
讨论 - ASTM International
David Franklin^ -问题：1.您用来预测辐照不锈钢设计性能的方程式之一包含辐照和未辐照材料面积减少的比率。这个参数的物理意义是什么？与均匀伸长率等其他参数相比，这个参数对辐照不是相对不敏感吗？2.EBR-II 反应堆内蠕变实验表明，除了在高温下，堆内蠕变对材料性能的影响与辐照后蠕变非常不同。那么，您如何预测辐照后蠕变对材料性能的影响。那么，您如何通过使用辐照后测试来预测蠕变保持时间的影响？3.疲劳测试的最新实验表明，由于保持时间而导致的损坏可能仅在钠冷反应堆中不存在的气氛中发生。这会影响您对堆内材料性能的预测吗？
利用电子风力对伽马射线辐照的 GaN HEMT 进行非热退火
电子产品中的辐射损伤减轻仍然是一个挑战，因为唯一成熟的技术——热退火，并不能保证获得良好的结果。在本研究中，我们介绍了一种非热退火技术，其中使用来自非常短持续时间和高电流密度脉冲的电子动量来瞄准和调动缺陷。该技术在 60 Co 伽马辐照（5 × 10 6 拉德剂量和 180 × 10 3 拉德 h − 1 剂量率）GaN 高电子迁移率晶体管上进行了演示。在 30 °C 或更低温度下，饱和电流和最大跨导完全恢复，阈值电压部分恢复。相比之下，300 °C 下的热退火大多使辐照后特性恶化。拉曼光谱显示缺陷增加，从而降低了二维电子气 (2DEG) 浓度并增加了载流子散射。由于电子动量力不适用于聚合物表面钝化，因此所提出的技术无法恢复栅极漏电流，但性能优于热退火。这项研究的结果可能有助于减轻电子器件中某些形式的辐射损伤，而这些损伤很难通过热退火实现。© 2022 电化学学会（“ ECS ” ）。由 IOP Publishing Limited 代表 ECS 出版。[DOI：10.1149/2162-8777/ ac7f5a ]
Si衬底上沉积的HfO2栅极介电体界面陷阱密度和串联电阻的频率依赖性研究：50MeV Li3+离子辐照前后
我们首次报告了 50 MeV Li 3+ 离子辐照对串联电阻和界面态密度的频率依赖性影响的研究，这些影响是由射频溅射制备的 HfO 2 基 MOS 电容器的电容-电压 (C-V) 和电导-电压 (G-V) 特性确定的。样品在室温下用 50 MeV Li 3+ 离子辐照。测得的电容和电导已根据串联电阻进行校正。在辐照之前和之后，在 1 KHz 至 1 MHz 的不同频率下估算了串联电阻。观察到串联电阻在辐照前随频率从 6344.5 降低到 322 欧姆，在辐照后降低到 8954-134 欧姆。界面态密度D it 由辐照前的1.12×10 12 eV 1 cm 2 降至3.67×10 11 eV 1 cm 2
