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World File Search System辐照试验
复合材料热中子屏蔽性能研究...
虽然TiB 2 基复合材料的各种优异性能及制备方法已被广泛研究，但是其中子屏蔽性能尚未受到足够的重视。本文将对先前制备的TiB 2 -Al复合材料的中子屏蔽性能进行研究。利用光中子源装置对厚度为10 mm 的试验样品进行中子辐照试验。TiB 2 基含硼复合材料的平均热中子屏蔽率为17.55%，且屏蔽率随BN含量的增加而增大。复合材料的热中子宏观截面总体呈现稳定趋势，当BN含量为10%时，热中子宏观截面达到最大值7.58cm -1 。随着BN含量的增加，热中子注量率呈现逐渐减小的趋势。
高温沉积硅能谱的研究
I. 引言 工业界、研究机构和学术界使用专门的辐照设备对微电子元件进行辐照试验，以研究单粒子效应 (SEE)。具体来说，散裂设备试图重现感兴趣的辐射环境，获得超过数百 MeV 的能量范围。只有大型加速器才能达到如此高的能量，因此全球范围内的可用性有限。在欧洲，用于微电子测试的两种散裂设备是啁啾辐照 (ChipIr) 和欧洲核子研究中心高能加速器混合场 (CHARM)。ChipIr 是英国卢瑟福·阿普尔顿实验室的光束线，它利用 ISIS 加速器的 800 MeV 质子在钨靶上的散裂来产生类似大气的中子束 [1]。 CHARM 是位于瑞士 CERN 的设施，它使用 PS 加速器的 24 GeV 质子作用于铜靶，产生高能强子混合场，主要为中子，但也包括质子、介子和 K 介子 [2]。根据辐射场的性质，ChipIr 主要用于地面或飞行高度测试，而 CHARM 则专用于加速器或太空应用。两者需要进行详细交叉校准的原因
电子和质子辐照下 ASTRO-G 卫星热控膜的退化 Minoru Iwata (1) , Sumitaka Tachikawa (2) 和 Akir
电子和质子辐照下 ASTRO-G 卫星热控膜的劣化 Minoru Iwata (1) 、Sumitaka Tachikawa (2) 和 Akira Ohnishi (3) (1) 九州工业大学航天器环境相互作用工程实验室 日本福冈市北九州市户畑区仙水町 1-1 邮编 804-8550 电话：+81-(0)93-884-3597 邮箱：iwata@ele.kyutech.ac.jp (2,3) 日本宇宙航空研究开发机构航空宇宙技术研究所 日本神奈川县相模原市吉野台 3-1-1 邮编 229-8510 电话：(2) +81(0)42-759-8480 (3) +81(0)42-759-8479 电子邮件： (2) sumitaka@isas.jaxa.jp (3) ohnishi.akira@jaxa.jp 摘要 与传统卫星相比，ASTRO-G 卫星使用的热控材料由于要穿过范艾伦辐射带，因此会受到非常严重的带电粒子辐射。在本研究中，我们对这些热控材料进行了电子和质子辐照试验。我们将空间中的深度剂量分布分离为电子和质子分量，用电子或质子辐照，类似于空间中的每个剂量分量，并比较由于电子分量和质子分量导致的退化。讨论了由于电子和质子辐照导致的退化的相对影响。