XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System输入阻抗
b'摘要 提出了一种毫米波\xe2\x80\x90 低\xe2\x80\x90 轮廓宽带微带天线。为了加宽阻抗带宽并同时实现稳定的大增益，在由同轴探针馈电的微带贴片两侧布置共面寄生贴片阵列。在微带贴片上蚀刻双槽以降低 H \xe2\x80\x90 平面交叉\xe2\x80\x90 极化水平。提出了使用 Floquet \xe2\x80\x90 端口模型进行零\xe2\x80\x90 相位\xe2\x80\x90 反射分析以预测寄生贴片阵列的谐振频率。根据理想探针的输入阻抗来验证激发的谐振模式。依次激励两个相邻的宽边谐振，分别以微带贴片的准 \xe2\x80\x90 TM 10 模式和寄生贴片阵列的准 \xe2\x80\x90 TM 30 模式为主导。所提出的天线尺寸为 1.06 1.06 0.024 \xce\xbb 0 3（\xce\xbb 0 为自由空间中 29 GHz 的波长），在 | S 11 | \xe2\x89\xa4 10 dB 时实现 15%（27\xe2\x80\x93 31.35 GHz）的阻抗带宽。实现的峰值增益高达 9.26 dBi，2 \xe2\x80\x90 dB 增益带宽为 15.7%。 H \xe2\x80\x90 平面交叉 \xe2\x80\x90 极化水平在 3 \xe2\x80\x90 dB 波束宽度内小于 14 dB，背部辐射水平小于 17.9 dB。'
b'摘要 提出了一种毫米波\xe2\x80\x90 低\xe2\x80\x90 轮廓宽带微带天线。为了加宽阻抗带宽并同时实现稳定的大增益，在由同轴探针馈电的微带贴片两侧布置共面寄生贴片阵列。在微带贴片上蚀刻双槽以降低 H \xe2\x80\x90 平面交叉\xe2\x80\x90 极化水平。提出了使用 Floquet \xe2\x80\x90 端口模型进行零\xe2\x80\x90 相位\xe2\x80\x90 反射分析以预测寄生贴片阵列的谐振频率。根据理想探针的输入阻抗来验证激发的谐振模式。依次激励两个相邻的宽边谐振，分别以微带贴片的准 \xe2\x80\x90 TM 10 模式和寄生贴片阵列的准 \xe2\x80\x90 TM 30 模式为主导。所提出的天线尺寸为 1.06 1.06 0.024 \xce\xbb 0 3（\xce\xbb 0 为自由空间中 29 GHz 的波长），在 | S 11 | \xe2\x89\xa4 10 dB 时实现 15%（27\xe2\x80\x93 31.35 GHz）的阻抗带宽。实现的峰值增益高达 9.26 dBi，2 \xe2\x80\x90 dB 增益带宽为 15.7%。 H \xe2\x80\x90 平面交叉 \xe2\x80\x90 极化水平在 3 \xe2\x80\x90 dB 波束宽度内小于 14 dB，背部辐射水平小于 17.9 dB。'
DNA/DNR-AI-224
输入 通道数 4，同时采样 配置 全桥、半桥或四分之一桥 分辨率 18 位 输入范围†见下表。 采样率 100 kSamples/sec（最大板速率 400 kS/s） 精度 积分非线性±0.0015% 偏移误差@25°C，G=2 0.0005% 典型值 增益误差@25°C，G=2 0.003% 典型值 偏移漂移/°C 2ppm 典型值 / 10ppm 最大 增益漂移/°Cz 2ppm 典型值 / 10ppm 最大 整体误差<250µV 桥接电阻120、350 或 1000 Ohm 抗混叠滤波器* 自动，72 dB 最小抑制 输入阻抗10 MegOhm，最小 激励输出 通道数每通道两个（P+、P-），可独立编程 输出电压0 至±10 Vdc（每个输出）； 20Vdc 差分跨度 分辨率 16 位 输出驱动电流 50 mA，最大值 输出误差 ± 5 mV，最大值，测量精度与模拟输入相同 分流校准**（见下页注释） 分流范围 6.7 k 至 170k Ohm（拉力或压力）内部。还提供两个用于用户提供的分流电阻的连接。 分流分辨率 ~1.1 kOhm 分流读回精度** 返回读数的 ±0.02% 自动桥零位/平衡 零位/平衡范围 19 位分辨率 @ ±10V（自动零位 1 mV 最大值） 通用规格 电气隔离 350 Vrms，通道到通道和通道到底盘 工作温度 经测试 -40 °C 至 +85 °C 振动 IEC 60068-2-6 IEC 60068-2-64
低温宽带子1-DB NF CMOS低噪声放大器用于量子应用
摘要 - 报告了基于标准40 nm CMOS技术的量子应用的低温宽带低噪声放大器（LNA）。LNA规范是从4.2 K处的半导体量子位的读数中得出的，其量子信息信号的特征是相位调节的信号。为了实现宽带输入匹配阻抗和低噪声图，可以利用输入晶体管的闸门电容。目标是将电阻和电容载荷与源电感变性的共同源阶段的输入阻抗匹配。电容载荷是由LC平行箱产生的，其谐振频率低于工作频率。实现的非构体等效电容已被证明是对输入阻抗匹配的好处。载荷的电阻部分是由cascode阶段的跨传导提供的。将电感器添加到cascode晶体管的门中以抑制其噪声，而具有两个共振频率的基于变压器的谐振器则用作第一个阶段的负载，从而扩展了操作带宽。提出并分析了LNA的低温温度操作的设计注意事项。LNA在整个频段（4.1-7.9 GHz）中实现了35±0.5 dB的测得的增益（S 21），回报损失> 12 dB，NF为0.75–1.3 dB（4.1-7.9 GHz），在室温下具有51.1兆瓦的功耗，同时显示为42±3.3 dB和NF的幂均值，均为0.2 db，Nf of 0.23-0.23-0.65 d.65 d.65 d.65 d.65 d.65 d.65 d.65 d.65 d.65 d d d db。在4.6至8 GHz之间。据我们所知，这是基于在4 GHz以上工作的批量CMOS过程的第一个报告，该过程在房间和低温温度下均显示出亚1-DB NF。
DNA/DNR-AI-255
输入通道数：2 配置：可通过软件选择同步机（3 线）或旋转变压器（4 线） 分辨率：16 位 精度：± 2.6 角分 频率：50 Hz 至 4.0 kHz 信号输入：2-28 Vrms. 输入阻抗：478 kΩ ±10 kΩ 加速度：300 rps/s @ 60 Hz, 450 rps/s @ 400 Hz 1000 rps/s @ 4000 Hz 阶跃响应：800 mS - 179° @ 60 Hz, 150 mS - 179° @ 2500 Hz 更新率：最大更新率等于激励频率。参考输出通道数：2（每个输入通道一个）输出电压：28 Vrms，最高 1.2 VA。电压分辨率 1.2 mVrms 参考频率 50 Hz 至 4 kHz (+/-1%) 同步器/分解器输出通道数 2（同步器/分解器输入和模拟输出的总数限制为 2。）配置同步器（3 线）或分解器（4 线）分辨率 16 位输出电压 28 Vrms 高达 1.2 VA。输出精度 ±4 弧分 通用规格 工作温度 经测试 -40 °C 至 +85 °C（在非 GigE Cubes 中，如果工作温度高于 60 °C，则需要 DNA-FAN。） 振动 IEC 60068-2-6 IEC 60068-2-64 5 g，10-500 Hz，正弦波 5 g（rms），10-500 Hz，宽带随机 冲击 IEC 60068-2-27 100 g，3 ms 半正弦波，6 个方向 18 次冲击 30 g，11 ms 半正弦波，6 个方向 18 次冲击 湿度 5 至 95%，无凝结 海拔 120,000 英尺 MTBF 275,000 小时 功耗 空闲时 4.5 瓦，满载时最高 10 瓦 订购 指导
仪器和系统手册 - Bitsavers.org
数字面板仪表 (DPM) 接受 de 或缓慢变化的输入信号。将该信号转换为数字形式并以十进制数字显示。DPM 将模拟到数字 (A/D) 转换器、显示解码器驱动器、十进制显示器和 DC/DC 电源转换器组合在一个组件中。提供全封装和无封装单板面板安装 DPM。DPM 适用于测试和测量应用、仪器系统、分析仪器、数据采集和记录系统、便携式设备、自动测试设备、车辆、医疗、化学和生物仪器、物理传感器（温度、压力、流速等）和工业过程控制仪器，仅举几例。Datel-Intersil 的 DM-3100 和 DM-4100 系列 DPM 采用现代 CMOS 运算放大器类型前端，具有极高的输入阻抗（通常为 1000 兆欧）和微小的偏置电流（平均 5 pA）。这些功能可避免因加载敏感测量电路而导致的错误。使用双斜率积分 AID 转换技术。该方法将输入与稳定的内部电压参考二极管或用户提供的外部比率参考进行比较。双斜率转换可抑制较高频率的噪声，并且显示的精度几乎不受内部时钟频率漂移的影响。提供电源和显示器选择。大多数带有红色固态自发光发光二极管 (LED) 显示屏的 DPM 由 +5 Vdc 稳压供电，液晶显示屏 (LCD) 由电池供电，电流极低（低至 3 mA）。几种型号采用交流供电。DPM 是采样仪器，每秒测量输入并显示读数几次。用户添加的内部电路可轻松使 DPM 适应更高的电压、电流和电阻范围。其他电路将使 DPM 适应测量温度、压力、RPM、频率、AC 和 -RMS 输入、声级、信号强度、角位置、重量等。Datel-Intersil 的大多数 DPM 仅用于显示应用，没有数据输出。但是，最近推出的型号 DM-4100D 包括 BCD 数据输出，因此 DM-41 OOD 可用于数据采集和数据记录系统。与老式的具有完全并行数据输出的竞争性 DPM 不同，这些 DPM 无法直接连接到共享数据总线，而无需用户提供接口电路，而 DM-4100D 可以直接连接到与其他设备（例如其他 DM-4100D）共享的微处理器总线。
DA-250D/250DH - TOA 电子
DA-250D 规格 双通道功率放大器应使用 D 类电路拓扑，并应可配置为双通道操作。双通道模式下所有通道均驱动时的功率输出应为：4 欧姆时每通道 250W，8 欧姆时每通道 170W。每对通道应可桥接以产生 500 W。总谐波失真 (THD) 应小于 0.1% @ 1 kHz，0.3% (20 至 20,000 Hz)。频率响应应为 20 至 20,000 Hz (± 1 dB)。信噪比应为 100 dB（A 加权）。串扰应为 70 dB（A 加权）。对于电子平衡输入电路的每个输入，输入阻抗应为 10k 欧姆。后面板开关应允许选择 1-2 个通道的桥接操作。后通道输入模式开关应允许选择输入 1 至所有模式，从而将来自输入 1 的信号同时馈送到其他通道。每个输入应具有 3 针凤凰块和 XLR 连接器。后面板输出连接器应为重型 M4 螺丝端子隔离条，适用于铲形接线片或高达 #12 AWG 的裸线。前面板衰减器应凹进以防止意外的电平变化，并且一旦正确设置电平，就可以将其移除并由随附的安全盖替换。前面板应有两组四个 LED 指示灯，用于指示以下情况：输入信号存在（大于 -20 dB）、输出信号存在（大于 1 W @ 8 欧姆负载）、峰值削波和保护电路激活。重量应为 11.02 磅（5 千克）。前面板还应有两个可拆卸的空气过滤器，无需将放大器从机架上卸下即可拆卸进行清洁。内置保护电路应监控电压和电流水平，以尽量减少过载造成的潜在损害，并通过每个通道的继电器在短路、直流偏移或功率放大器散热器工作温度超过 212°F (100°C) 或设备内部工作温度超过 176°F (80°C) 时禁用输出。继电器还应在开启期间将放大器与负载的连接延迟约 2 秒，以防止开启时出现任何噪音。功耗应为 120 W（基于 UL/CSA 标准）和 650 W（额定输出 4 欧姆 x 2 通道），以及 420 W（额定输出 8 欧姆 x 2 通道）。放大器应仅使用一个标准机架空间或 1.75 英寸 (44.5 毫米)，其尺寸应为 18.98 英寸 (宽) x 1.73 英寸 (高) x 15.82 英寸 (深) (482 x 44 x 401.8 毫米)。前面板饰面应为黑色阳极氧化铝，外壳饰面应为钢板。放大器应为 TOA 型号 DA-250D。
课程Aziendale -DAC研究与工程
C。Abbate，R。Di Folco，A。Evangelista，“使用振幅和相位数据阐述的多基线SAR干涉法”。通用电气和电子工程杂志，3，55-63。，2015年，doi：10.13189/ujeee.2015.030204。C。Abbate，R。Di Folco，I。de Bellis和Z. Varga，基于散点参数的仿真和测量，对IGBT的稳定性分析，机械工程信，第1卷。13（2015），97-105。C。Abbate，R。Di Folco，“功率IGBT模块产生的EMI的建模和分析”。通用电气和电子工程杂志，3（2）：49-54，2015，doi：10.13189/ujeee.2015.030203。C。Abbate，R。Di Folco，“高功率IGBT模块的高频行为”。通用电气和电子工程杂志，3（1）：17-23，2015，doi：10.13189/ujeee.2015.030104。C。C. Abbate，G。Busatto，F。Iannuzzo：“高压，高性能开关，使用系列连接的IGBTS”，Power Electronics，IEEE EEEE交易卷，第25卷，第25期，第9期，第9个数字对象标识符：10.1109/tpel.2010.2010.2010.2010.2049272 Year：2010，2010年，Div。2450-2459。C。Abbate，F。Iannuzzo，G。Busatto，“硅电源设备中的不稳定性：现代电力设备中的故障机制的审查”，IEEE工业电子杂志，2014年，IEEE 8（3），第8（3）页，第28-39。C。C. Abbate，G。Busatto，A。Sanseverino，D。Tedesco，F。Velardi：“高频输入阻抗的度量，以研究短路中的电力设备的不稳定性”，Microelectrectronics Reliability 2018，https://doii.org/10.org/10.10.1016/j.microrer.2018.0.0.0.0.0.0.0. n.07.0.07.07.07.07.07.07. n.07.07.07.07.07.07.07. n.077.07.07.07.07.07.07.7. n.07.07.07.07.07.7.07. n。），pp。75-82，iOS出版社，2007年。（2015）。C。Abate，M。Moroozov，G。Ubine，A。S。Tamburn，S。verse：“用于定量和当前赌注的aree阵列涡流和想象中的想象力，e'nde，eann毁灭性的非毁灭性非破坏性非破坏性（x），S。takahaon（x），S。takahaon（x），S。takahashi，S。takahashi。C。C. Abben，N。Bonora，A。Rugger，G。Iannites，F。Iannice，G。Box，G。Busty，“ Mechhanuminscenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescencences cencencencence cencenescenescencence cencencencence of NlOud velocitil of yressick yression：杂志：L。Coldel，L。Turter，S。Turket，C。Bells：Manysiss Manage Manage Manage in Dralling frp。<2> Procemy，167（2016）206-215。L。Coldel，L。Turther，S。Turket，C。Bells：进行内部处理和温度监测温度。Jek Community，102（2016）46-48。L。Colla，S。Turket：监测持久层压持续时间的FRP的持续时间。L。Coldel，S。Turket，E。Venorro：直径底：力的分析。Deading＆Technology，82（2015）21年。
国防部手册 - EverySpec
图页 图 1。B-52 和 JDAM 之间的 MIL-STD-1760 脐带照片.................................2 图 2。接口范围。........................................................................................................16 图 3。MIL-STD-1760 功能接口。........................................................................................18 图 4。主信号集。......................................................................................................21 图 5。辅助电源信号集。................................................................................................22 图 6.AEIS 实施阶段.......................................................................................................35 图 7.AEIS 系统关系.......................................................................................................37 图 8.集中式系统架构。.............................................................................................42 图 9.分布式系统架构。................................................................................43 图 10.代表性 SSIU 配置..............................................................................................44 图 11.结构接地连接...............................................................................................66 图 12.生成关键控制字.......................................................................................................72 图 13.基本网络配置....................................................................................................81 图 14.分层载流子存储总线配置。..............................................................82 图 15。数据总线网络配置 - 备选方案 1........................................................................82 图 16。数据总线网络配置 - 备选方案 2........................................................................83 图 17。数据总线接口场感应噪声水平........................................................................90 图 18。双轴接触电缆组件噪声水平.......................................................................92 图 19。标准 20 AWG 接触电缆组件噪声水平。.........................................................92 图 20。变压器中心抽头。飞机分层总线。变压器耦合器替代方案.................................................................................93 图 21。..............................................................................................94 图 22。.........................................................................................96 图 23。短截线中继器示例。.............................................................................................97 图 24。多个远程终端耦合选项。...........................................................98 图 25.本地和飞机 MIL-STD-1553 总线....................................................................99 图 26.单个和多个存储总线.........................................................................................101 图 27.单独和共享的 MIL-STD-1553 总线.......................................................................102 图 28.线性总线....................................................................................................104 图 29.星号总线。.............................................................................................................104 图 30.典型的 MIL-STD-1553 总线控制器。....................................................................106 图 31。存储冗余级别.......................................................................................................109 图 32。MSI 输入阻抗......................................................................................................110 图 33。MSI 数据总线接口的预期噪声水平.......................................................................112 图 34。飞机电压水平要求。......................................................................................115 图 35。飞机释放同意实施示例 – 机电继电器。.....116 图 36。飞机释放同意实施示例 – 固态.........................................................116 图 37。商店释放同意电压要求。.........................................................118 图 38。存储释放同意电路示例...............................................................................120 图 39。托架存储释放同意信号要求。..............................................123 图 40。托架存储释放同意直接连接 – 仅一个 MSI。........................123 图 41.带有单独 28 VDC 电源的托架存储释放许可....................124 图 42.带有三个控制电路的托架存储释放许可...............................124 图 43.联锁接口要求。................................................................................130 图 44.联锁功能的典型电路...............................................................................131 图 45.任务存储联锁功能.......................................................................................134 图 46.主联锁和辅助联锁.......................................................................................136 图 47.ASI 地址电气特性....................................................................................139 图 48.飞机地址电路示例....................................................................................140
网络分析和传输线
ii B.Tech。 ece-i sem l t/p/d c 3 - / - / - 3（R18A0261）网络分析和传输线课程课程目标：本课程介绍了电路的瞬态分析的基本概念，基本的两端口网络参数，滤波器的设计分析，对循环理论的设计分析及其在电路理论中的使用，对局部循环透明，依赖性轴承，依赖性，依赖性，磁性磁通量。 本课程的重点是包括DC发电机和DC电动机的DC机器的基本操作。 UNIT – I: Transient Analysis (First and Second Order Circuits): Introduction to transient response and steady state response, Transient response of series –RL, RC RLC Circuits for sinusoidal, square, ramp and pulse excitations, Initial Conditions, Solution using Differential Equations approach and Laplace Transform method, UNIT – II: Two Port Networks : Impedance Parameters, Admittance Parameters, Hybrid Parameters, Transmission (ABCD)参数，一个参数向另一个参数的转换，互惠和对称性的条件，两个端口网络串联，并行和级联配置的互连，图像参数，说明性问题。 单元-III：基因座图：共振和磁回路：基因座图 - 系列和平行RL，RC，RLC电路，具有各种参数的变化 - 共振序列和并行电路，带宽和质量因子的概念。 磁回路 - 法拉第的电磁诱导定律，自我和相互感应的概念，DOT惯例，耦合系数，复合磁回路，串联分析和并行磁回路。ii B.Tech。ece-i sem l t/p/d c 3 - / - / - 3（R18A0261）网络分析和传输线课程课程目标：本课程介绍了电路的瞬态分析的基本概念，基本的两端口网络参数，滤波器的设计分析，对循环理论的设计分析及其在电路理论中的使用，对局部循环透明，依赖性轴承，依赖性，依赖性，磁性磁通量。本课程的重点是包括DC发电机和DC电动机的DC机器的基本操作。UNIT – I: Transient Analysis (First and Second Order Circuits): Introduction to transient response and steady state response, Transient response of series –RL, RC RLC Circuits for sinusoidal, square, ramp and pulse excitations, Initial Conditions, Solution using Differential Equations approach and Laplace Transform method, UNIT – II: Two Port Networks : Impedance Parameters, Admittance Parameters, Hybrid Parameters, Transmission (ABCD)参数，一个参数向另一个参数的转换，互惠和对称性的条件，两个端口网络串联，并行和级联配置的互连，图像参数，说明性问题。单元-III：基因座图：共振和磁回路：基因座图 - 系列和平行RL，RC，RLC电路，具有各种参数的变化 - 共振序列和并行电路，带宽和质量因子的概念。磁回路 - 法拉第的电磁诱导定律，自我和相互感应的概念，DOT惯例，耦合系数，复合磁回路，串联分析和并行磁回路。UNIT – IV: Transmission Lines – I: Types, Parameters, Transmission Line Equations, Primary & Secondary Constants, Expressions for Characteristics Impedance, Propagation Constant, Phase and Group V e l o c i t i e s, I n f i n i t e L i n e C on c e p t s, L o ss l e ss n e ss / L o w L o ss C h a r a c t e r i z a t i on , D i s t或t i on - 无扭曲和最小衰减的条件，说明性问题。单元V：传输线 - II：SC和OC线，输入阻抗关系，反射系数，VSWR，λ /4，λ2，λ /8线 - 阻抗变换，z min和z Max的意义，史密斯图表 - 配置和应用，应用，单个固执匹配，说明性问题。