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World File Search System输出特性
CP-S.1 24/3.0电源：100
CP-S.1 24/3.0是新一代CP-S.1范围的电源。主开关模式电源提供85-264 V AC和90-277 V DC的广泛输入，额定输入电压分别为100-240 V AC，分别为100-250 V DC。额定输出功率为72 W，额定输出电流为3 a，输出电压为24 V DC。输出电压可在24至28 V DC的范围内调节。电源提供了U/I输出特性，其功率储备为5 s，并允许并行操作增加容量并实现冗余。冗余单元和缓冲模块可作为配件使用。
探究太阳能电池板电气参数随运行时间的变化
晶体硅太阳能电池仍是光伏太阳能电池板最常用的元件。尽管太阳能电池板的生产标准很高，但事实证明，在普通的工作条件下，太阳能电池很容易受到老化的影响。[1]。太阳能电池板输出参数的稳定性和寿命至关重要。由于辐射和老化对太阳能电池产生相似的影响，因此研究太阳能电池的抗辐射性不仅对于预测太阳能电池的寿命和寿命末期输出特性很重要，而且对于改进在高辐射环境中使用的太阳能电池的设计也很重要。在本文中，为了模拟和加速老化对太阳能电池参数的影响，将太阳能电池暴露于不同剂量的伽马辐射下[2,3]。
生物相容性固态离子敏感有机...- DR-NTU
图 1. 离子选择性固态有机电化学晶体管。 (a) ExG-SSOECT 的结构示意图和等效电路，以及半导体聚合物 PEDOT:PSS、离子液体 [MTEOA][MeOSO 3 ] 和 Na + 、K + 、Ca 2+ 离子选择膜的化学结构。 (b) 输出特性。 (c) 传输特性。 (d) 在恒定 V DS = -0.5 V 下进行的瞬态响应保持测试，脉冲 V GS = -0.4 – 0.8 V 最多 5000 次循环。 (e) 上升时间为 51.4 µs 的瞬态响应。 (f) 在 V DS = -0.1 V 时使用电流脉冲法进行迁移率估计。
完全植入式脊髓刺激器
下面总结的临床数据基于可用的同行评审的已发表文献，这些文献针对的是类似的可植入脊髓刺激 (SCS) 系统。PRECISION™ 系统与已发表文献中报道的 SCS 系统在预期用途、目标患者群体、技术、设备设计和输出特性方面相似。有效性分析中包括三项符合有效性特定纳入和排除标准的关键研究。安全性分析中包括共 11 项符合安全性特定纳入和排除标准的研究。有效性数据代表总共 116 名植入 SCS 系统的患者，而安全性数据代表总共 1056 名意向治疗患者和 880 名永久植入患者。
基于氧化锌薄膜晶体管的多模态皮层脑电图有源电极阵列
图 2. ZnO-TFTs 阵列的电气、机械和光学特性。 (A) VD = 5V 时具有不同 W/L 比的 TFT 的传输曲线。 (B) W/L = 80/5 的 TFT 的输出特性，显示漏极电流 (ID) 与 VD 的关系，VG 从 -1 V 变化至 5 V（步长 = 1 V）。 (C) 一个阵列的十二个 ZnO-TFTs 电极的传输特性。红线为平均值。 (D) 来自同一阵列的十二个 ZnO-TFTs 电极的跨导。蓝线为平均值。 (E) ZnO-TFTs 电极在弯曲半径为 15 cm 的情况下经过 10 次弯曲循环后仍保持稳定的电气特性。 (F) ZnO-TFTs 阵列的透射光谱。插图是 3 × 4 ZnO-TFTs 阵列的光学图像，显示了其高透明度。白色框架标记电极阵列。比例尺：2 毫米。
考虑准饱和效应的 COOLMOS 晶体管 SPICE 电气模型
电子邮件：1 s.laafar@gmail.com 摘要 本文讨论了 CoolMOS 功率晶体管的宏建模。正在建立一个能够提供准确结果的新型功率 CoolMOS 晶体管宏模型。它基于将 CoolMOS 功率晶体管细分为本征 MOSFET、JFET、齐纳二极管和电压控制电压源。所有这些组件都包含在一个子电路中，以描述功率 CoolMOS 晶体管的饱和和准饱和等效应。本文将在介绍新的子电路模型的同时清楚地解释这些影响以及参数提取过程。通过将所提出的模型在 PSpice 下的仿真结果与制造商提供的数据表结果以及英飞凌科技提供的模型进行比较，验证了所提出的模型的有效性。我们的模型为直流特性的所有工作区域提供了准确的描述。它给出的输出特性平均误差百分比小于 5.5%。
2D 晶体管有多好？特定应用的基准研究
图 2. 使用宽度归一化导通电流除以源漏电场与栅极场感应载流子浓度，对 HP 晶体管类别中的一组 2D FET 演示进行性能基准测试。1L：单层。>3L：厚度超过三层。2020 IRDS HP：IRDS 预计的 5 纳米节点高性能逻辑晶体管规格。2020 IRDS HD：IRDS 预计的 5 纳米节点高密度或低功耗逻辑晶体管规格。带有叠加“×”的数据点表示 I Max /E SD 是从输出特性（I DS 与 V DS ）的线性区域中提取的情况，因此与来自饱和状态的其他点相比可能被夸大。插图：底部栅极 2D FET 的示意图（添加了顶部栅极，在某些报告的设备中使用），其中突出显示了关键参数。 12,51,53-65
柔性神经植入物的末端放大电路
直接在记录部位放大、转换和处理神经过程的微小离子电位波动的能力对于提高神经植入物的性能至关重要。有机前端模拟电子器件是此应用的理想选择，由于其具有类似组织的机械特性，因此可以实现微创放大器。在这里，我们通过配对耗尽型和增强型 p 型和 n 型有机电化学晶体管 (OECT) 来展示完全有机互补电路。通过精确的几何调整和垂直设备架构，我们实现了重叠的输出特性并将它们集成到具有单个神经元尺寸（20 微米）的放大器中。具有 p 和 n-OECT 组合的放大器可实现电压对电压放大，增益为 > 30 分贝。我们还利用具有匹配特性的耗尽型和增强型 p-OECT 来展示具有高共模抑制率（> 60 分贝）的差分记录能力。将基于 OECT 的前端放大器集成到灵活的柄部外形中，可以实现小鼠皮层中单神经元的记录并进行现场过滤和放大。
带有过渡的缺陷微腔 - 沉积物
使用过渡金属二进制基因生成元（TMDC）单层作为活性材料的创新微型和纳米层的研究和开发，由于其独特的电气，机械和光学特性，引起了极大的关注。在本报告中，详细介绍了被自组装并整合到介电分布式的bragg旋转结构中的光子缺失的微腔的制造，该结构完全封装了杜松子化的单层（WSE 2）（WSE 2）。WSE 2单层带有六角硼的封装过程产生的气泡会诱导微虫腔中的抛物线光子缺陷。这些缺陷导致直径依赖性的三维光学配置，这是通过实验研究和数值模拟确认的。此外，在谐振器中观察到输入输出特性中的显着非线性和激发功率依赖性的线宽缩小，表明激光操作通过光子自相关测量结果进行了验证。光子缺失的腔全部均在单个单层样品上形成，这表明多波长发射光子应用的潜在优势，并促进了基于TMDC的Prestruction Prestructuction Photonic-Donic-Defect Microlasers用于大规模制造。
采用极化诱导掺杂的 Ga2O3 场效应晶体管
摘要 III 族氮化物和β 相氧化镓（β -Ga 2 O 3 ）是目前研究较为深入的两种用于电力电子的宽带隙半导体材料。由于两种材料体系之间的晶格失配度相对较小，且可以利用体相 AlN、GaN 和β -Ga 2 O 3 衬底，因此已经实现了在β -Ga 2 O 3 上外延生长 III 族氮化物或反之亦然。然而，将两种材料体系集成在一起来设计功率器件仍然缺乏。本文数值研究了 AlN/β -Ga 2 O 3 异质结构，利用极化诱导掺杂来实现高性能增强型晶体管。受 AlN/β -Ga 2 O 3 界面极化效应的影响，沟道中的二维电子气浓度最高可达 8.1 × 10 19 cm −3。在沟道顶部引入p-GaN栅极，最终实现了具有可调正阈值电压的常关型AlN/β-Ga 2 O 3场效应晶体管。此外，我们插入了非故意掺杂的GaN背阻挡层以抑制漏极漏电流。最后，为了实现高性能III族氮化物/Ga 2 O 3基功率器件，我们进一步研究和分析了具有不同结构参数的器件的传输和输出特性。